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Polarizzazione transistore 1) Problematiche relative alla determinazione del punto di lavoro : La retta di carico in continua determina il punto di lavoro in continua, poi al variare del segnale d´ingresso si ha l´oscillazione del segnale d´uscita nella caratteristica d´uscita, in tutto questo però si deve far attenzione che si rimanga sempre nella zona attiva e che siano rispettati i seguenti limiti: a) Corrente massima è legata alla dimensione dei fili che uniscono reoforo e semiconduttore b) Tensione massima è legata al break-down e al reach-through quindi dipende anche dalla connessione c) Potenza massima è legata al metodo di dissipazione adottato d) VBE massima in generale si sceglie il punto di lavoro in modo da dimezzare la retta di carico in continua, dopodiché si vede quale dovrebbe essere la pendenza della retta di carico in alternata, passante per il punto di lavoro e la si trasla sin quando il nuovo punto di lavoro non la divide in due parti uguali. Si osservi che le due rette hanno pendenze diverse in quanto in continua si considerano RC ed RE mentre in alternata si considerano RC ed RL .
2) Problematiche relative all´emettitore comune con polarizzazione fissa : Si realizza con un npn la cui corrente di base IB è ottenuta tramite una resistenza RB connessa alla VCC . Fissata RB si determina la IB tuttavia il punto di lavoro può variare sia con la temperatura che sostituendo il transistore, per ovviare a questo inconveniente è necessario che la IB possa variare come avviene nel circuito per la polarizzazione automatica.
3) Sorgenti che determinano la instabilità della IC : a) la corrente di saturazione inversa ICO raddoppia ogni aumento di 10° della temperatura b) la VBE diminuisce di 2,5mV / °C c) b aumenta con la temperatura 4) Differenza tra stabilizzazione e compensazione termica : La stabilizzazione si realizza con elementi resistivi ed è volta a rendere minimi gli effetti della temperatura sul punto di lavoro mentre la compensazione è volta ad annullare tali effetti, ha l´unico inconveniente che è più costosa.
5) Descrivere il circuito per la polarizzazione automatica : Si pone sulla base un partitore resistivo e una resistenza RE sull´emettitore, tramite essa scorre una corrente che è pari alla somma della IB e della IC la quale dipende dalla corrente di saturazione inversa ICO che varia con la temperatura. Se aumenta IC diminuisce la corrente IB la quale pilota la amplificazione e quindi diminuisce IC .
6) Fattori di sensibilità : La IC dipende dalla temperatura tramite b , VBE e ICO , la sua variazione si può scrivere Si trova che questi fattori di sensibilità vengono minimizzati se si aumenta la resistenza sull´emettitore, la quale non può però essere molto elevata in quanto altrimenti occorre una tensione di alimentazione molto elevata per avere una corrente di intensità decente. Spesso si pone un condensatore in parallelo alla RE per far si che la stabilizzazione avvenga solo per le variazioni dovute alla temperatura le quali hanno frequenza molto bassa e non per le variazioni del segnale d´ingresso, si ha quindi che in presenza di un segnale d´ingresso, la RE viene bypassata dal condensatore CE , spesso in parallelo a quest´ultimo che è molto grande si pone un condensatore più piccolo il quale ha il compito di bypassarlo alle frequenze più elevate dove l´elettrolitico non risponde adeguatamente.
7) Sensibilità della iC alle variazioni della ICO : Con riferimento al circuito a polarizzazione automatica si scrive l´equazione della maglia d´ingresso
8) Sensibilità della iC alle variazioni della VBE : Scrivendo la
9) Sensibilità della iC alle variazioni di b : Si scrive l´equazione della maglia d´ingresso
10) Descrivere il circuito che esegue la compensazione termica rispetto a ICO : Si pone un diodo polarizzato inversamente tra base ed emettitore, in esso quindi scorre la corrente di saturazione IO che è funzione della temperatura così come la ICO nel transistor la cui corrente di base è quindi IB=I-I0 che sostituita nell´equazione del transistor
11) Descrivere il circuito che esegue la compensazione termica rispetto a VBE : Si pone un transistor con collettore e base cortocircuitati tra la base e l´emettitore del transistor da compensare, in questo modo si ha |