La simulation des circuits électroniques
1) considérations pour une bonne simulation de circuita ils :
) le comportement analysé qu'elle représente seulement sa fonctionnalité relativement les met en oeuvre des stimulus dans le revenu
b) Chaque modèle a seulement une validité d'emploi à l'intérieur des limites sûres des dimensions, la température, courant, tension
c) Souvent les données de plan sont proviennent des procédures di.le qui à vous ne savent pas la validité
d) tous les algorithmes resolutive ne sont pas également efficaces et ne précisent pas, dans certains cas ils ne peuvent pas converger
2) Critères pour le choix du modèle :
Un modèle a beaucoup élaboré en nature d'endroit à des équations complexes qui portent à un résultat précis mais dans un long temps concernant cet employé pour l'exécution d'un modèle plus simple, est donc différence importante entre la précision et une rapidité d'élaboration. En nature alors d'un même dispositif on emploie un divers modèle au deuxième qui doit être employé dans un circuit ou un digita analogique ils.
3) approximation progressive modèle de la Manche pour le MOS :
Nous considérons un MOS au canal de N, il a faiblement dopé un substrat de P en lequel des toxicomanes sont réalisés deux diffusions de N fortement, au-dessus de l'espace jusqu'au lequel les sépare est l'oxyde de la porte beaucoup, approximativement 1000A°, extérieurement aux diffusions que nous avons à la place l'oxyde du champ beaucoup souvent, approximativement 5000A°. Oxyde fini de porte il vient aluminium déposé pour former l'électrode de la porte.
4) la répartition des charges dans le substrat en fonction de la tension a appliqué à la porte ceux dans le cas de VDS = 0 :
) je m'accumule, est eu quand la tension a appliqué aux rappels de porte à partir du substrat les porteurs de majorité
b) Vider, est eu quand la tension a appliqué aux rappels de porte à partir du substrat un nombre restreint de porteurs de minorité seulement suffisamment pour compenser les porteurs de majorité
c) L'inversion, est eue quand la tension a appliqué aux rappels de porte à partir du substrat un grand nombre de porteurs de minorité qui forment donc un canal entre les deux diffusions,
5) effet de Vle ¹ 0 de DS :
À la croissance de VDS VGD = â?"Vde V GSDS diminue jusque 2'à être plus petits de VT à ce point du côté du drain pas est plus l'inversion du canal qui donc est obstrué, avant que l'obstruction du canal soit rétrécie graduellement à la croissance de VDS et le ID augmente de plus en plus lentement, quand le canal est les passages obstrués unle D de la saturation indépendante de Vle DS , bidon soyez ayez une augmentation du courant de la saturation seulement avec une augmentation de Vle GS .
6) équation générale idéale qui décrit le comportement du transistor MOSFET :
Le DS est banally 
où 
est la résistance d'un dx de dispositif de canal et 
est des charges pour le secteur unitaire,
remplaçant le troisième dans le deuxième et le second dedans dont
avant qu'il
soit eu, intégrant
est eu 
.
Cette équation démontre trois zones d'opération :
Interdizione est eu pour VGS< VT , le canal n'est pas formé du côté de la source et donc le courant ne peut pas glisser
Ohmica est eu pour VDS < (le âde V le GS "VT), de lui dérive cela dans le pu² d'équation pour négliger VDS2 .
Saturazione est eu pour VDS > (le âde V le GS "VT) est eu en fait quile DS est presque indépendant de Vle DS .
7) modulation de canal dans le transistor MOSFET :
À la croissance de Vle DS que ceci est eu que le canal est obstrué et pourle DS élevé par V devient toujours davantage plus court, traduisent
dans une augmentationdu DS donc
de saturation le transistor MOSFET n'est pas comporté exactement
comme un générateur courant, afin de décrire le phénomène il
vient a employé le coefficient de modulation de la longueur du canal l et l'équation du transistor
MOSFET devient 
.
8) effet de la polarisation du substrat dans le transistor MOSFET :
La tension du seuil VT est fonction de la polarisation du substrat, est eue en
fait 
.