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Laser De Semi-conducteur 1) loi de Lambert :
il caractérise la variation de l'intensité d'un paquet
optique monochromatique que le propaga à l'intérieur d'un
semi-conducteur, dans elle
2) coefficient de gain pour un volume de semi-conducteur : il devient divers de 0 pour des énergies du photon avançé à l'espace d'énergie et a un cours à la parabole invertie dont le maximum est déplacé vers de plus grandes énergies à l'augmentation de l'iniettata de charges.
3) inversion de population : Elle est eue dans le cas dans lequel la densité actuelle d'électron entre le minimum de la bande de conduction et presque le niveau de la société de la même il est plus grande de la densité actuelle d'électron entre presque le niveau de la société de la bande de valence et le maximum de la bande de valence.
4) le gain maximum :
c'est donc nulle pour la densité des porteurs inférieurs à la densité n tde transparent tandis qu'au delà d'elle a un cours linéaire avec la pente égale au gain les différencie à.
5) densité du courant de seuil :
il est obtenu imposant le stazionaria de condition
6) gain d'anneau de la cavité résonnante : là où R1 et R2 sont les coefficients de la réflexion des miroirs actuels dans la cavité, le L sa longueur et le g le coefficient de perte de la même.
7) gain de seuil : De sorte que l'autosostenga d'oscillation soit nécessaire
que le gain d'anneau soit unitaire, imposer cette condition
8) des manières vous concourez vous-même dans la cavité résonnante : Les manières que vous concourez vous-même dans la
cavité sont seulement ceux pour lesquelles le L longueur de la
cavité est un multiple entier des longueurs d'onde moyennes, celle
est pour ce qu'il est eu
9) période de la vie photonic de la cavité : elle est en partie qui a dû les pertes de la cavité et en partie à la transmission par les miroirs.
10) coefficient de confinamento et de relation avec le gain de seuil : Ébauche de la fraction de la manière électromagnétique (…que se prolonge dans une région large t) actuelle à l'intérieur de la région active large d à l'intérieur duquel il y a la présence contemporaine des électrons et des lacunes. l'expression du seuil de gain devrait considérer que
toute la manière électromagnétique ne réside pas dans la région
active, cela est aurait donc pour être modifiée
11) équations d'acomptes :
12) concentration d'électron et de photon en fonction de la densité de courant : À la croissance de la densité de courant elle grimpe jusqu'à la concentration du péché de porteurs quand elle ne rattrape pas le Th de la valeur- seuiln , à ce point qu'il reste constant tandis que la densité de photon qui était jusque-là nulle commence à se développer linéairement.
13) puissance dans l'évasion de la superficielle du laser : là où
14) coefficient de gain saturabile :
15) cause physique de la saturation du gain : Il a doit le manque de porteurs qui peuvent recombiner pour l'émission stimulée quand la densité photonic est élevée.
16) réponse d'un laser à l'étape courante : S'appliquant à une étape courante la densité
électronique la concentration photonic augmente jusqu'à attraper
vers le haut de la valeur du seuil pour le laser d'effet après
17) caractéristiques dans continu d'un laser : La concentration en photon sous le seuil est 0 tandis
qu'au-dessus du seuil elle est
18) réponse dans la fréquence d'un laser :
étant
19) oscillations de multimodali : Ils sont analysés écrivant les acompte-équations pour chaque des capitaux de la manière m dans la cavité.
20) gazouillement : À la modulation de la densité des porteurs qu'elle
correspond est une variation de l'amplitude de marques elles de
l'évasion cette une variation de la deuxième fréquence de la La
d'émission |