Épissures entre les semi-conducteurs matériels
1) relation d'Einstein :
2) équation de Poisson :
3) il les améliore de Construire-Dans :
La mise pour entrer en contact avec a p_doped avec a
n_doped un travaso est eue des charges pour la diffusion, un tel
processus vient se rebeller arrêté des mises à niveau elles de
Construire-Dans 
où nn0 il est la concentration d'électron dans la région n à
l'équilibre tandis que pp0 est la
concentration d'espace dans la région p à l'équilibre.
4) amplitude des régions vidées :
La fabrication de l'approximation de vider complet et
d'appliquer l'équation de Poisson 
et dans le
fattispecie ha 
e est obtenue 
5) goupille valve de diode :
Entre la région p et la région n qu'elle vient a inséré une couche de semi-conducteur intrinsèque faiblement dopé ou de celui pour celui qui a appliqué la polarisation il s'avère complètement être vidé.
6) typologie des alignements pour l'eterostrutture :
L'alignement 1° du type a un matériel serré pour entailler cette forme un trou des mises à niveau elles endroit pour entrer en contact avec un matériel pour entailler au loin que les formes les barrières est pour la bande de conduction qui pour la bande de valence.
Alignement 2° du type avec opportun choisi des matériaux un de seemiconduttori d'eux peuvent agir en tant que du trou des mises à niveau elles pour des électrons et de la barrière pour des lacunes.
7) modèle d'Anderson et de Frensley-Kroemer :
Dans un eterostruttura ils viennent placé pour entrer en
contact avec les semi-conducteurs avec l'espace divers, le modèle des
prévisions d'Anderson que cette variation d'espace détermine une
variation de l'énergie de la bande de la conduction égale à la
différence des affinités électroniques 
.
Ébauche d'un modèle que le compte de la présence de dipöle
ne tient pas qui est formée en raison de l'interface, celle à la
place elle est visionnée préalablement dans le modèle de
Frensley-Kroemer pour lequel la discontinuité de la bande de valence
est donnée 
du.
8) épitaxie et techniques realizzative :
L'épitaxie consiste en réalisant une couche cristalline mince du semi-conducteur matériel dont la propriété sont déterminées à partir ci-dessous du substrat. Les techniques possibles sont suivantes :
LEC semblable à la méthode de Czochralsky
LPE que la couche cristalline accroît une solution liquide commençant de sature dilué sur un substrat cristallin
VPE le procédé d'augmentation est alimenté d'une vapeur et donc il exige les températures élevées
La MOCVD est basée sur la pyrolyse des éléments de metallorganici en présence d'idruri
MBE des marques nous moléculaires vient des dépôts à vous sur un substrat cristallin de chauffage
9) presque niveaux de société :
En conditions l'équilibre n'a pas un seul niveau du bensi
ferme 2 qui viennent pour coïncider quand l'équilibre est rattrapé,
ont le cioè 
e
10) densité du courant dans la valve de diode de Schockley :
là oùle s1 il est le courant de saturation qui croise l'épissure dans le cas de la polarisation inverse.
11) efficacité d'injection électronique :
