Éléments de la physique des semi-conducteurs
1) bonnet de Bravais :
Les cristaux sont caractérisent à vous d'une régularité les espacent sont donc possibles pour décrire à l'n'importe quel atome à concerner il à l'aide du porteur de R =1 mais2 Na3 , avec des porteurs de R constituent le bonnet de Bravais.
2) théorème de bloc :
Dans le cas plein de cristallin un hamiltoniana qu'il est 
où U(r) est des mises à niveau elles périodiques,
l'autostato un est 
qui est le produit d'une vague
plate pour avoir la limite la même régularité du bonnet.
3) zone de Brillouin :
Du théorème du bloc démontrez cela dans le cas d'un bonnet il est suffisant le connaître que que l'autofunction sur une zone déterminée de la zone 1ª par k de l'espace de Brillouin dans combien nous mettent en boîte seulement à lui soit toujours réduit par une traduction sur un porteur du bonnet mutuel.
4) caractéristiques de l'électron du bloc :
La vitesse de groupe d'un électron dans la bande n avec
le porteur de vague que k est 
, en présence des
forces externes, le porteur de la vague diverse en second lieu 
, 
la quantité est l'équivalent de
l'élan p au pacte pour considérer tels le che efficace de la masse
M 
.
5) caractéristiques de la GaAs et de :
Cristal
La GaAs se cristallise dans la structure du zincoblenda constitué à partir du traslati de FCC de deux bonnets le long de la direction [ 111 ] d'une distance égale à la longueur de la cravate. En outre elle est cristallisée dans la structure du zincoblenda qu'elle coïncide avec celui-là du diamant dans combien tous les atomes coûtent égaux.
Bandes
Les bandes de la GaAs démontrent un espace direct, d'ailleurs à l'intérieur de la zone de Brillouin sont le présent d'autres deux minimum, un à 0,3eV de précédent et l'autre à 0,48eV. On doit à la place entailler indirect.
La masse efficace
La masse efficace de la GaAs est m*= 0.067m0 et est isotropa tandis que celui-là de est anisotrope, en
particulier la masse longitudinale vaut la peine 
tandis que la masse en coupe vaut la peine 
Bande de la valence
La bande de valence est dégénérée dans
l'origine, a en fait 3 bandes caractérisées du parabolicità
différent, un de l'espace lourd (HH) ayant la masse efficace 
, une de l'espace léger (main gauche) avec la masse
efficace 
et une de l'espace s'est dédoublée-au
loin (SAIT).
6) caractéristiques des composés ternaires :
L'ébauche de composé qu'ils conservent la structure cristalline des composés binaires desquels ils en dérivent mais modifient la valeur parfois et la nature de l'espace.
7) densité des porteurs dans la dégénération de cas d'approximation pas :
La densité d'électron dans la bande de conduction est 
où pour la fonction de la distribution de la
société l'approximation est considérée la dégénération qui est
que le niveau de la société est eu assez loin loin de la bande de
conduction, d'une telle manière qu'une telle distribution n'est pas
réduite à celle-là de Maxwell-Maxwell-Boltzmann et 
est eue où 
est la densité efficace des
états dans la bande de conduction qui doit être multipliée pour MC pour I ayant des minimum plus
équivalents de semi-conducteurs dans la bande de conduction.
De la manière analogue elle est obtenue en bande 
de escroc de valence 
.
8) niveau de qualité intrinsèque ferme :
9) densité d'atome d'ionizzati :
être etD le niveau de distributeur et et au niveau d'accepteur, en particulier le cours de la densité électronique dans la bande de la conduction d'un semi-conducteur dopé à changer de la température démontre linéairement un cours croissant pour de basses températures, quand tout le donori ont été ionizzati commencent la zone de saturation dans laquelle la concentration qu'il est dopodichè constant pour les prochaines températures au 500K est eue que les électrons passent de la bande de la valence à la bande de conduction donnant l'endroit à une variation brusque de la concentration dans cette bande.
10) loi de Matthiessen :
La mobilité est la constante de la proportionnalité
entre le champ appliqué et la vitesse supposée des porteurs, elle
vaut la peine 
, dans le cas qui sur le porteur plus
de mécanismes agissent que dispersant le total de mobilité qu'il
est 
11) approximations utilisées dans l'étude des effets induits de l'agitation thermique :
Les atomes du bonnet sont sujets à l'agitation thermique, afin de faciliter de l'étude font les approximations suivantes :
) on le suppose que la position moyenne des atomes coïncide avec le bonnet cristallin
b) on le suppose que le mouvement concernant la position d'équilibre est beaucoup mineur concernant la distance entre les atomes.
12) dispersion du fononi :
On le suppose qu'à chaque atome du cristal un oscillateur harmonique est associé, cela de l'endroit aux dispersions acoustiques a caractérisé le cours linéaire dedans serré d'origine et des dispersions optiques caractérisées du cours presque constant, pour noter que le fononi ils sont Bosoni et donc décrites des statistiques de Bose-Einstein.
13) typologie des processus d'interaction :
) interaction avec les défauts qui dissolutions ou impuretés
b) Les interactions avec le fononi sont pour la déformation qui électrostatique
c) Interaction entre les porteurs
14) équation de Boltzmann :
là oùle k il est ledit fonctionnement de la collision et il décrit à la variation temporelle de la fonction de distribution due aux phénomènes de collision.
15) méthode de moments :
Elle vient a employé le théorème selon lequel la
connaissance des moments d'infinites M de la
fonction 
de la distribution est équivalente à la
connaissance du f(r de fonction de distribution, k, t).
16) hydrodynamique d'équations :
là où u il est la vitesse moyenne des porteurs et du W c'est l'énergie cinétique moyenne de la particule.
16) Dérive Et Diffusion Modèles :
L'approximation présentée doit rester toujours dans le
staticità de conditions presque qui est d'avoir 
,
est eue :
17) Vitesse De Courbe - Champ :
Pour les champs inférieurs à 1kV/cm que tous les
semi-conducteurs elles ont un cours linéaire de la vitesse des
porteurs avec le champ, la constante de proportionnalité est la
mobilité qui à de basses températures est déterminée à partir de
la dispersion à partir du fononi acoustique tandis qu'aux
températures élevées on le détermine à partir de la dispersion à
partir du fononi optique. Pour des champs elle élève à vous,
les matériaux de covalenti que les GES et elles présentent la
saturation due au chauffage des porteurs d'une partie du champ
électrique, la vitesse de saturation est 
, les
matériaux polaires comme la GaAs présentent à la place une zone à
la résistance les différencie négatif dû à l'intervalle de
dispersion.