MOS De Transistor

1) décrivent la structure d'un NMOS à l'enrichissement :

Un MOS de condensateur est eu a constitué à partir d'un métal, un oxyde et un a p_doped, oxyde de della de têtes de AI nous avons deux agrafes reliées par n dopées des régions AI de drain et de source, l'application d'une porte positive d'Al de tension est eue que dans une première fois ci-dessous la région est vidé des lacunes après quoi Al à se développer de V_G est arrivé à avoir un canal des porteurs de minorité qui concourt le drain d'Al de source de l'écoulement dal d'électron.

 

2) analyse approximative_{du DS} avec la commande des charges :

Le courant_{le D} qui glisse dans le canal est donné simplement du rapport entre les charges Q_n et le moment _TRde T qu'il utilise pour croiser le canal, a en particulier tout en remplaçant l'ha

 

3) analyse complète_{du DS} avec la commande des charges :

Dans ce cas-ci la chute n'est pas négligée des mises à niveau elles qu'elle est eue le long du canal, toutefois afin de simplifier le trattazione emploie l'approximation du progressif-canal en second lieu qui les champs dans la direction y (…du drain à la source) sont infinitésimaux concernant celui ils sont eus dans la direction X (…de la porte ceux au volume) d'ailleurs est supposé qui la longueur du L canal est plus grande de la longueur de la région de vider au drain. La chute des mises à niveau elles à l'intérieur d'un dispositif d'avoir la résistance du canal R est où le remplacement est obtenu , intégrant pour la séparation de la variable et le remplacement de la valeur de m_n est ébauche obtenue des paraboles qui expriment_{le D} à changer de V_G cependant qu'elles ont seulement la valeur pour V_DS < â" V _T de V_G implique là-bas en fait une conductibilité improbable les différencie négatif et il charge non négatif dans le canal. Cependant pour Von a _{le DS} >le â "V de V_{G T} que le canal est interrompu près du drain et donc un fort est le champ électrique créé qui il y a celle la vitesse des porteurs est maximum et la constante donc_{le DS} sont constante et peu sensible à V_{le DS} sa valeur dans cette région d'opération est en fait .

 

4) détermination de V_T :

Le NMOS dans la saturation est cortocircuitando mis la porte avec le drain, donc de l'ébauche de droite peut être conçu à la caractéristique de à changer de V _D qui intersecte l'abscisse dans V_T et dont la pente peut être employée afin de déterminer la mobilité.

 

5) Effet De Corps :

Quant à la détermination de V_T également dans ce cas-ci le NMOS dans la saturation est cortocircuitando placé que la porte avec le drain d'ailleurs s'applique une tension V_B au volume, au son on a se développer que le droit parallèlement au lequel représente à changerdu trasla de V _D si mêmes et donc à la croissance de V_B il augmente également V_T .

5) Transconduttanza :

Il peut calculer dérivant le I_D concernant V_G obtient par V_D < V_{S reposé} .

 

6) période de passage :

La période du passage dans le canal d'un MOS en ayant la saturation on obtient la source à amasser est estimée avec l'intégrale où etle pu² de V _C à être résolution gagnée pour la séparation de la variable l'équation les différencient , qui l'a remplacée et a intégré fournit .

 

7) CMOS :

C'est un circuit constitué à partir d'un PMOS et avoir le NMOS le drain en commun tandis que la source de PMOS est à V_{solides solubles} tandis que la source de NMOS doit amasser, la porte est à la place cortocircuita à vous et ils il vient les marques appliquées ils du revenu tandis que l'évasion est prise sur le drain. La caractéristique principale de cette configuration est qu'une du MOS deux absorbe seulement le courant pendant les commutations dans combien coûte alternativement interdetto et l'autre est dans la région active.