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Transistor bipolaire

1) densité de l'électron courant nde J qu'il glisse dans un npn :

Dans un npn de BJT il y a un écoulement négligeable d'espace dans la base et donc à partir de l'équation de la continuité le long champ électrique peut être déduit l'axe X qui a remplacée dans l'équation de la continuité pour des lacunes et devenir plus simple donne laisser à selon le membre seulement que le dérivé est obtenu les différencie donc l'intégration parfaite le long de la région basse a , remplaçant les valeurs est obtenu où après avoir supposé Dpresque constant n dans la base et donc nous l'avons remplacée avec sa valeur moyenne tandis que

 

2) prototype de BJT :

L'ébauche du transistor davantage près de la formulation de Schottky, dans elle en fait la concentration du dopage est constante dans les diverses régions de E là sont des variations brusques de drogaggio aux épissures.

 

3) polarisation active d'un BJT :

L'épissure SOIT est polarisée directement, cela réduit la barrière des mises à niveau elles et donc les électrons viennent inettati dans la base, alors que l'épissure est AVANT JÉSUS CHRIST inversement polarisés donc les électrons vient éliminé vers le collecteur, la base d'ailleurs sont beaucoup de poignée peut donc être employée la théorie de la valve de diode à la base courte afin de dire que la distribution des porteurs de minorité supérieurs ne sera pas exponentielle mais tracer. Être négatifde V SOIT, l'exponentiel associé à lui vaut la peine le 1 donc courant qui les glissières dans le BJT est dépend donc du chemin exponentiel de la tension appliquée, le graficando cette relation sur un papier de semilogaritmica obtient droit dont la pente est donc inversement proporziona ils à la température qu'elle concourt pour réaliser des sondes de la cette taille, d'ailleurs l'intersection avec l'axe VSOIT = 0 nous donne la valeur de JS et de ceci la valeur peut nous gagner des charges avec Built_In actuel dans la base, dividendola pour les charges q est les présents obtenus de nombre d'atome de dopanti dans la base, dit nombre de Gummel qu' il est important parce que beaucoup plus beaucoup le plus grand est petit est le courant transporté du BJT.

 

4) gain du courant dans un BJT :

Le courant qui glisse entre l'emettitore et après base est essentiellement dû aux trois contributions :

)       recombinaison d'iniettati d'électrons de l'emettitore avec les lacunes actuelles dans la basele Rb

b)       La recombinaison des électrons que l'iniettati de l'emettitore dans la région des charges éloigne les a comportées entre l'emettitore et la base

c)       écoulement d'espace de la base à l'emettitorele pe

En étant du courant qui vient iniettata de l'emettitore et qui il se décompose lui-même dans les membres précédemment indiqués et le membre que le collecteur rattrape, venez défini les coefficients suivants :

est le facteur de la recombinaison dans la base

est l'efficacité d'emettitore

dans eux fonctionnent définit le paramètre à F au lequel relazionale C et le cioè C = -à F etau escroc àF = gaT remplaçant dans l'équation des courants dans le BJT C =b F est obtenule BbF est gain du courant dans continu.

 

5) modèle d'Ebers-Moll :

Ce modèle tient sensiblement le compte du courantl'ÊTRE qui est recombiné précédemment dans l'épissure la détourne au courant actuelJ n qu'il va de l'emettitore au collecteur, en particulier le remplacement de l'expression trouvée pour Jn a et en manière analogue peut être exprimé, parce que 1ª de décomposition le quart de cercle et ajouter et détournerle S il est obtenu

et aussi .

Dans ces largenesses il y a 4 incognito cependant seulement 3 sont indépendant dans combien entre ils vige la relation de réciprocité , le circuit correspondant voit que deux valves de diode disposées comme dedans un npn ont constitué à partir des valves de diode, chacun d'elles a alors en parallèle un générateur courant.

 

6) Premier Effet :

Pour un BJT a polarisé dans l'épissure active de région AVANT JÉSUS CHRIST est polarisé inversement, elle suit qu'une partie que l'amplitude correspondante de la région des charges les espace est fonction de la tension inverse appliquée et celle implique une variation du courant a en fait la colombe est la tension de Hearly, peuvent en particulier être observées qui quand le CBde V augmente, égalementle C augmente.

D'un point de vue graphique, Và sont le point d'intersection sur l'axe des abscissas des tangentes aux courbes paramétriquesde C selon le CEde V (… et donc aussi des CBde V puisqu'en CE actif de région =CB de V est V eu 0,7V) que de telles tangentes disparaît pris dans le point partant de la saturation, considérant à la place les tangentes à la droite de la région active, obtiennent une valeur V'plus de bénéfice pour la planification dans combien relatif aux capitaux d'opération de région.

 

7) effet de Kirk :

Nous sommes en états d'injection de High_Level quand la population des porteurs de majorité à l'équilibre vient lourd changé de la polarisation, quand cet état est présent au collecteur a l'amplitude de la région des charges que les espaces les étire pour diminuer, et la correspondance la région presque-neutre de la base est augmentée, de lui elle s'avère qu'elle diminue le gain dans le courant du BJT et obtient plus mauvais la réponse dans la fréquence de la même.

 

8) période de passage dans la base :