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Transistor bipolaire 1) densité de l'électron courant nde J qu'il glisse dans un npn : Dans un npn de BJT il y a un écoulement négligeable
d'espace dans la base et donc à partir de l'équation de la
continuité
2) prototype de BJT : L'ébauche du transistor davantage près de la formulation de Schottky, dans elle en fait la concentration du dopage est constante dans les diverses régions de E là sont des variations brusques de drogaggio aux épissures.
3) polarisation active d'un BJT : L'épissure SOIT est polarisée directement, cela réduit
la barrière des mises à niveau elles et donc les électrons viennent
inettati dans la base, alors que l'épissure est AVANT JÉSUS CHRIST
inversement polarisés donc les électrons vient éliminé vers le
collecteur, la base d'ailleurs sont beaucoup de poignée peut donc
être employée la théorie de la valve de diode à la base courte
afin de dire que la distribution des porteurs de minorité supérieurs
ne sera pas exponentielle mais tracer. Être négatifde V SOIT,
l'exponentiel associé à lui vaut la peine le 1 donc courant qui les
glissières dans le BJT est
4) gain du courant dans un BJT : Le courant qui glisse entre l'emettitore et après base est essentiellement dû aux trois contributions : ) recombinaison d'iniettati d'électrons de l'emettitore avec les lacunes actuelles dans la basele Rb b) La recombinaison des électrons que l'iniettati de l'emettitore dans la région des charges éloigne les a comportées entre l'emettitore et la base c) écoulement d'espace de la base à l'emettitorele pe En étant du courant qui vient iniettata de l'emettitore et qui il se décompose lui-même dans les membres précédemment indiqués et le membre que le collecteur rattrape, venez défini les coefficients suivants :
dans eux fonctionnent définit le paramètre à F au lequel
relazionale C et le cioè C = -à F etau escroc àF = gaT remplaçant
5) modèle d'Ebers-Moll : Ce modèle tient sensiblement le compte du courantl'ÊTRE qui est recombiné précédemment
dans l'épissure la détourne au courant actuelJ n qu'il va de l'emettitore au
collecteur, en particulier le remplacement de l'expression trouvée
pour Jn a et aussi Dans ces largenesses il y a 4 incognito cependant
seulement 3 sont indépendant dans combien entre ils vige la relation
de réciprocité
6) Premier Effet : Pour un BJT a polarisé dans l'épissure active de région
AVANT JÉSUS CHRIST est polarisé inversement, elle suit qu'une partie
que l'amplitude correspondante de la région des charges les espace
est fonction de la tension inverse appliquée et celle implique une
variation du courant D'un point de vue graphique, Và sont le point d'intersection sur l'axe des abscissas des tangentes aux courbes paramétriquesde C selon le CEde V (… et donc aussi des CBde V puisqu'en CE actif de région =CB de V est V eu 0,7V) que de telles tangentes disparaît pris dans le point partant de la saturation, considérant à la place les tangentes à la droite de la région active, obtiennent une valeur V'plus de bénéfice pour la planification dans combien relatif aux capitaux d'opération de région.
7) effet de Kirk : Nous sommes en états d'injection de High_Level quand la population des porteurs de majorité à l'équilibre vient lourd changé de la polarisation, quand cet état est présent au collecteur a l'amplitude de la région des charges que les espaces les étire pour diminuer, et la correspondance la région presque-neutre de la base est augmentée, de lui elle s'avère qu'elle diminue le gain dans le courant du BJT et obtient plus mauvais la réponse dans la fréquence de la même.
8) période de passage dans la base : |