Technologie De Silicium

1) chimies de propriété à la base de produite du â "SiO ₂de système :

)       en utilisant l'acide d'idrofluorico le silicium peut être bioxyde dissous de silicium et être laissé intact

b)       du bioxyde de silicium peut être employé afin de protéger un cristal de silicium des atomes bombardés d'ionizzanti

 

2) processus à glisser vers le bas :

La production du circuit intégré se produit par les étapes suivantes :

)       à la création du polisilicio

Le bioxyde du silicium et du carbone vient scaldati à 2000°C dans un four, est obtenu du silicium pur à 90%, il vient alors converti dans le triclorosilano qui vient alors distillé obtenant le silicium à ledit à semi-conducteurs de polisilicio dans combien a constitué à partir de petits cristaux avec la direction de randomica.

b)       Production d'un cristal simple ayant le diamètre approximativement de 10cm

b1) Technique de Czochralski

Le polisilicio vient porté à une température du correspondant 1412°C au point de fusion du silicium, après quoi une graine de silicium avec la direction intentionnelle vient ruotando d'immesso dans la fusion tandis que le creuset roulent dedans la direction opposée, le cristal vient peu au temps extrait à partir de la fusion, et elle est refroidie créer un cylindre de semi-conducteur pur et correctement orientée.

b2) Technique des zones de flotteur

Le cylindre de polisilicio vient fait au ruotare et de chauffage avec une source rf au congé du fond où il y a la graine dans l'ordre puis à monter vers la haute.

c)       Production de la gaufrette

Ensuite que le cristal simple a été créé elle vient mannered au moyen de créer de diamant de ladite gaufrette de tranches

d)       Oxydation de la gaufrette

Le silicium vient oxydé de la manière qui peut être laddove protégé n'est pas désirée est toxicomane, les méthodes afin de l'oxyder est suivante :

) oxydation d1 thermique

L'endroit de gaufrette dans un tube de quartz vient endroit à l'intérieur d'un four qui produit une température comportée entre 850°C et 1000°C, dans le tube vient l'oxygène enflé

d2) Dépôt

On le fait les réagir que l'oxygène et silicium venir convogliati sur la surface de la gaufrette et

afin d'augmenter la vitesse de l'oxydation à la température ou à la pression peut être augmentée

et)       Litografia

Ensuite que la gaufrette a été oxydée il est nécessaire d'éliminer l'oxyde des régions qui doivent être des toxicomanes, sur un tel but que la gaufrette est couverte du polymère appelé résistent et là-dessus un masque aligné par le microscope n'est placé, dans le cas d'un positif de résistance, pas le subiranno masqué par secteurs l'attaque des faisceaux d'ultra-violet qui interrompent les cravates entre les molécules et donc ils sont dissous en utilisant un dissolvant. À ce point les régions se protègent contre la résistance ne viennent pas disciolte dans l'à haute fréquence d'acide que le silicium dans ces zones élimine l'oxyde apportant de nouveau à la lumière dans laquelle il doit supporter le drogaggio.

f)        Drogaggio

Avant que l'impiantazione de le ionien se produise qui consiste en mitrailler des secteurs découverts de la gaufrette avec de la ionienne accélère d'un champ électrique à vous ait comporté entre le 25keV et 200keV les ioniens d'une telle manière pénètrent 1mm dans le changement de silicium lourd la structure régulière de la même qui mais ils viennent reconstitué au moyen d'un chauffage à 1000°C que la diffusion de la ionienne concourt.

g)       CVD

L'ébauche d'un procédé qui concourt pour créer des couches de silicium ou le isolateur plus d'à la gaufrette qui vient endroit à l'intérieur d'un four a chauffé à 1000°C au moyen de rf dans lequel elle vient soufflé un gaz SiCL₄ qu'elle est décomposée sur la surface de la gaufrette créant la couche souhaitée, le processus est ledit epitassiale et peut créer une couche avec un plus petit drogaggio de ci-dessous ou pour des applications particulières on peut être couche ou polisilicio déposée d'oxyde.

h)       Metalization

Il est avant que nécessaire pour éliminer l'oxyde de silicium des points dans lesquels le contact métallique avec du silicium est exigé, après quoi on est vaporizzando en aluminium déposé de couche une source pleine au moyen d'Électron-faisceau ou pulvérisation. La couche en aluminium vient donc laddove éliminé n'est pas exigée au moyen de photolitograph et finalement l'endroit de gaufrette dans un four à 450°C vient où un bon contact d'ohmmico se produit la fusion de l'aluminium sur garantir de silicium.

i)         Essai et impacchettamento

Un essai préliminaire est effectué avant sur la gaufrette après quoi il est subdivisé dans les morceaux dont arrière est fixé à la bâche et les contacts métallisent à vous viennent se relient à vous au piedini après quoi au morceau qu'il vient d'isolement avec du plastique, au métal ou à la céramique.

 

3) Litografia avec les particules chargées :

)       à électronique

On a une source d'électron qui produit d'avoir le diamètre de paquet beaucoup petit, il va enregistrer un électronique résistent que des actes comme de masque, toutefois dans la résistance pour par l'intermédiaire de de la forme de diffusion aimez une poire qui s'avère optimal dans combien le métal qui vient plus tard déposé n'arrive pas pour entrer en contact avec avec la résistance qui autrement quand il vient éliminé porterait par l'intermédiaire également du métal pour entrer en contact.

Le procédé est beaucoup le lent dans combien d'ordinateur doit guider le paquet électronique et élimine le point de résistance pour le point, toutefois la précision qui est obtenue élève beaucoup et exactement concourt pour réaliser des masques qu'alors venu utilisé dans le photolitograph.

b) ionique

 

4) Perçage d'un tunnel De Litografia :

Il est vrai venu au moyen d'un se dirige de diapositives de tungstène qui vient courrier à une distance approximativement de 10A° de la résistance, parce que d'effet de Tunnell un courant qui enregistre la résistance. C'est une technologie précise beaucoup mais ralentit un.

 

5) réalisation des contacts ohmiques vers le piedini externe :

)       à la soudure thermique

On a un bec en lequel le fil enveloppé sur une bobine glisse, par un fiammella de l'oxygène crée une petite boule qui vient alors écrasé sur la matrice portée à la température de 400°C, plus tard le bec est déplacé sur le piedino et réalise l'autre ouverture.

b)       soudant aux ultrasons

Le bec avec le puits est mis au contact après quoi ils commencent les ultrasons (100kHz) qui laissé hors de l'air de l'espace comporté entre deux les superficiels, il est venus donc pour créer un contact optimal.