Épissure PN

1) l'analyse d'un semi-conducteur a dopé de la manière arbitraire :

La présence d'un gradient de la concentration des porteurs donne à l'endroit à un courant de diffusion de la région à une plus grande concentration vers la région à une plus petite concentration, les porteurs qui se déplacent congé de per² de le ionien du signe opposé, la répartition de charges qu'il est obtenu donne à l'endroit à un champ électrique qui s'oppose à l'écoulement ultérieur d'électron donc à l'équilibre que le semi-conducteur est caractérisé d'une concentration variable encore des porteurs avec la position et He les améliore de Construire-Dans. La présence d'un champ électrique déduit facile observant cela sur les diagrammes de bande l'énergie qui sépare le niveau de la société de la bande de conduction est énergie les améliore tandis que la différence de l'énergie entre la bande de la conduction et de l'énergie de l'électron est énergie cinétique de, donc les définir comme des mises à niveau et se rappeler la relation entre elle les améliorent et le champ a dans combien et_f il coûte constant dans un semi-conducteur à l'équilibre thermique et donc son dérivé est nul tandis qu'et on le trouve au centre entre la bande de valence et bande de conduction et change donc si le semi-conducteur a le drogaggio variable.

À l'équilibre thermique le courant qui les glissières dans le semi-conducteur doivent être dans la nulle moyenne donc de l'équation de l'ottiene de dérive et de diffusion du repos étant lui-même uguagliando les deux a trouvé des expressions pour obtenir cela intégré entre deux points à la diverse concentration qu'il assure ou dans la forme exponentielle .

 

2) équation de Poisson pour un semi-conducteur avec un drogaggio générique et sa simplification :

là où e a été remplacé. L'équation n'est pas soluble dans le cas général donc vient souvent a adopté deux simplifications :

)       approximation de presque-neutralité, en bref elle s'assume que la concentration des porteurs est pressoche égal à la concentration des impuretés, n'est jamais valide combien dans le volume à où donc au deuxième du drogaggio du semi-conducteur ha n = oppurede N _d p = N .

b)       Approximation de l'épuisement, prévisions que la concentration des porteurs libres est beaucoup inférieure à la concentration des impuretés d'ionizzate, dans le sostanza n < < oppurede N _d p < < N_à .

 

3) épissure PN à l'équilibre thermique :

Quand a p_doped est mis au contact avec a n_doped a une variation brusque du drogaggio dans la correspondance de l'épissure récupère donc un écoulement d'électron de la région n à la région p et un écoulement d'espace dans l'opposé, donc dans les régions d'origine ils demeurent de les ioniennes qui produisent d'un champ électrique qui s'oppose à la diffusion ultérieure des charges. Afin d'analyser cette situation l'approximation est utilisée presque neutralité dans le volume et l'approximation de l'épuisement dans la région des charges les espace courrier au ridosso de l'épissure, dans elle donc que l'équation de Poisson est réduite à , des utilisations afin de le trouver le champ électrique. Dans n_doped le N= 0 donc l'intégrant pour 0 < x < x_n qui est dans la région des charges les espace du n_doped a , analogue pour p_doped des trouvailles devant donc être le champ continu dans l'origine autrement ne pourrait pas admettre des mises à niveau elles, trouve la relation en bref qui prolongation car le semi-conducteur principalement dopé a une plus petite prolongation de la région de l'épuisement.

L'intégration du champ ulteriorly qu'il est obtenu en n_doped des mises à niveau elles tandis que p_doped dedans où x_n et x_p sont I il les améliore aux fins de la région de l'épuisement et leur différence correspond aux mises à niveau elles de Built_In .

 

4) il les améliore de Construire-Dans pour une épissure p n :

ceci parce que dans le cas d'un semi-conducteur beaucoup de toxicomane le niveau de la société est beaucoup de voisin à une des deux bandes.

 

5) épissures polarisées PN inversement :

S'appliquant à une polarisation inverse qui est du générateur sur la région n les dimensions de la région de l'épuisement sont augmentées, parce que elle ont en fait comme aussi le champ électrique pour lequel est eu tandis que les capacités diminuent dans combien part les armures, a qui est les capacités classiques pour de petites marques elles.

Naturellement depuis augmenter l'inverse de polarisation elle grimpe jusqu'au champ électrique, un certain phénomène doit se produire ou ouvrir une brèche que vous limitez l'opération, en particulier avant que l'infraction du dispositif les effets suivants puisse être présentée :

L'effet Valanga le champ électrique appliqué accélère un porteur libre qu'il rencontre un atome et de libre un électron de valence. À la suite de la collision 3 les porteurs ont elles-mêmes, deux électrons et un espace qui vient accélère du champ donnant nouvellement à endroit vous à d'autres des coups.

L'effet Zener si le semi-conducteur est beaucoup de vérification de toxicomane l'effet de Zener avant l'avalanche d'effet, en particulier est eu qu'étant la région d'elle charge les espaces ils beaucoup petits, le champ électrique ainsi est élevé pour interrompre des cravates de covalenti et pour créer de l'électron-espace de croisillons.