Valves de diode spéciales
1) valve de diode de Gunn :
Le haut est une valve de diode utilisée afin de créer des impulsions à la fréquence beaucoup est constitué à partir d'un semi-conducteur du type GaAs trompeuse réalisée par n avec la cathode pour amasser et l'anode alimentée au moyen d'une résistance variable, au moyen de captures d'un condensateur les impulsions d'évasion ici. La GaAs est un semi-conducteur avec un espace direct et un espace indirect de la deuxième valeur plus élevée donc à du champ électrique que nous appliquons nous avons deux divers mobilities donc deux diverses conductivités en particulier à la croissance du champ et diminuons la conductivité dans combien augmente la masse efficace.
Nous supposons qu'elles sont venues pour créer deux distributions des parallèles positifs de charges, elles endommageons l'endroit à 2 champs électriques locaux desquels une somme au champ externe qui est à côté du champ critique et l'autre est détourné est eu donc comme exemple que les électrons sont plus de disques d'une valve que ceux derrière, crée un taquet qui donne l'endroit à une impulsion.
2) recouvrements :
L'ébauche d'un MOS de condensateur en lequel elle vient a créé la région vidante, le photon que les disques là-dessus donne à l'endroit à un électron-espace de croisillon qui vient supporté séparé du champ donnant l'endroit à une impulsion courante qui vient capturé du côté du métal au moyen d'un condensateur.
3) Fotodiodo :
L'ébauche d'une épissure polarisée PN inversement,
l'équation est 
en l'absence de photon a le courant
du buio qui elle est négative, si à la place ils enregistrent des
photons, doit être ajoutée un courantle S au courant du buio en particulier que l'intensité de ce
courant est maximum si le photon frappe juste dans la correspondance
de l'épissure et diminue partir de ceci parce qu'il augmente la
probabilité que le porteur créé de minorité recombine lui-même
avant d'attraper vers le haut de l'épissure.
L'épissure PN est réalisée avec une région p
amincissent beaucoup un, le courantle S qui est obtenu est 
4) tunnel de valve de diode :
L'ébauche d'une épissure PN en laquelle les les deux les régions sont beaucoup de toxicomanes, d'une telle manière que la région des charges les espace est infinitésimale, du nm, et donc vous il pouvez être passage d'électron pour que le sbisogna de tunnel d'effet cependant tienne le compte que les électrons auxquels cela il est permis sont ceux comportés entre le niveau de la société et la bande de la valence du n_doped et pouvez seulement faire un saut à l'énergie constante vers des lacunes comportées entre la bande de la valence et le niveau de la société du p_doped. On l'a que polarisant inversement les deux bandes elles ne sont pas recouvertes tandis que la polarisation directement peut être arrivée à avoir le maximum de la superposition.
La caractéristique du diodo présente un dispositif à la pente négative donc à la résistance les différencie le négatif qui vient utilisé afin de réaliser la typologie 3 de l'oscillateur :
) monostabile le droit de cargaison intersecte la caractéristique dans un dispositif à la pente positive
b) bistabile le droit de cargaison intersecte la caractéristique dans 3 points desquels seulement ceux sur les dispositifs de la caractéristique à la pente positive correspond à l'équilibre stable.
c) astabile le droit de cargaison rencontre la caractéristique sur le dispositif à la pente négative.
5) tunnel résonnant de valve de diode :
Il est constitué à partir de la GaAs alternée à AlGaAs doit être fait de sorte qu'il y ait un seul état disponible et ce soit action obtenue sur la distance.
6) valve de diode menée :
L'ébauche d'une épissure PN réalisée avec un semi-conducteur à l'espace dirigé comme la GaAs, polarisant directement a un passage d'électron de la bande de la conduction à la bande de la valence avec conséquent ayant l'émission de photon la phase où accidentelle obtient donc une source de lumière incohérente.