Diagrammes de bande

1) structure du silicium et du diamant :

Dans la coquille intérieure du diamant il y a 2 électrons au niveau de l'énergie 1s, alors que selon la coquille elle est constituée à partir de deux électrons au niveau de l'énergie 2s et d'autres 6 au niveau de l'énergie 2p. Le silicium a alors une troisième coquille constituée à partir de 2 électrons sur l'état 3s et de 2 électrons sur l'état 3p.

 

2) niveaux énergiques du diamant à diminuer du paramètre réticulaire :

Un eu vers le haut de cela les niveaux 2s et le rassemblement 2p créant bas une bande de valence est constitué à partir de 4N soit, est-ce que bande de la conduction également qu'elle a constitué à partir de 4N soit et dans les moyens une bande interdite ? la noter qu'également le niveau 1s se dégénère donnant à endroit à des bandes interdites d'ailleurs au 0K la bande de conduction est vide tandis que la bande de valence est pleine.

La valeur de l'espace est fonction du type de drogaggio du semi-conducteur.

 

3) facteur de Boltzman :

 

4) Fonction De Fermi-Dirac :

 

5) densité des états :

 

6) concentration intrinsèque des électrons et des lacunes :

à la température ambiante (300K) elle vaut la peine 2.5*10¹⁹ .

 

7) niveau de société :

il est intéressant de noter que le niveau de la société est trouvé exactement à la moitié de l'espace d'énergie dans le cas que la masse de l'espace est égale à la masse de l'électron.

 

8) énergie de société dans le cas d'un semi-conducteur dopé :

on l'observe donc cela dans le cas du drogaggio du type p que le niveau de la société est déplacé vers la bande de valence tandis que le cas du drogaggio du type n le niveau de la société est déplacé vers la bande de conduction.

 

9) dérive écartée et d'équations :

 

10) relation d'Einstein :

 

11) effet de l'intersection entre le niveau ferme de la société et le niveau de la qualité intrinsèque :

On l'a que la région dans laquelle le niveau de la qualité intrinsèque ferme qu'il trouve au disotto du niveau de la société vient zone appelée d'inversion dans comme combien coûte si plus il n'étaient pas dopés que dactylographient p mais du type n.

 

12) effet de l'intersection entre le niveau de la société et la bande de la conduction :

Dans la région dans laquelle le niveau de la société on le trouve au-dessus de la bande de conduction qu'il crée les prétendus âgas un de l'elettroniâ? qu'il rend le semi-conducteur de tout le semblable à un métal.

 

13) réalisation d'un diagramme de bande :

)       le concevoir place côte à côte le relati énergique de niveaux à vous aux divers matériaux et caractériser les distances qui doivent demeurer sans changement en particulier dans le semi-conducteur en métal de contact doit rester espace d'énergie inchangé du semi-conducteur et de la distance du niveau de la société du métal concernant la bande de la conduction et à la bande de la valence du semi-conducteur tandis que dans le contact entre deux semi-conducteurs les valeurs de l'énergie deux doivent demeurer espace inchangé, la distance entre les deux bandes de la conduction et la distance entre les deux bandes de la valence.

b)       Pour concevoir le dos en lequel les électrons qui est du matériel avec de l'énergie élevée de la société vers celle-là avec de l'énergie de la glissière ferme plus de plus de terre en contre-bas.

c)       Basé sur le dos en lequel les électrons glissent pour déterminer si les bandes dans la détermination matérielle sont augmentées ou elles sont abaissées, en particulier si les électrons vont loin d'un type le semi-conducteur n sont eus qui dans la correspondance de l'épissure il si de lui l'impoverisce et donc le niveau de la société s'abaisse qui est les approches elle-même qui une d'un semi-conducteur intrinsèque, ayant mais il pour rester ferme a lui-même que la bande de conduction doit aller loin d'elle qui doit pour se soulever. Analogue si les électrons entrent dans le type le semi-conducteur p, elle si elle en enrichit et donc on l'a que le niveau de la société approche celui-là d'un semi-conducteur intrinsèque qui est la bande de conduction va loin du niveau de la société et de l'avoir rester ferme, la bande de conduction est abaissée.

d)       Pour concevoir le niveau de la qualité intrinsèque ferme toujours comporté entre la bande de la valence et la bande de la conduction

et)       pour caractériser la région de transition où les bandes commencent à se plier, par la suite à son intérieur la région de l'inversion ferme qui sont eues quand le niveau de la qualité intrinsèque intersecte le niveau de la société, par la suite à son intérieur la région de la dégénération dans de la laquelle la bande de la conduction ferme croise le niveau (…gaz d'électron) ou la bande de la valence ferme croise le niveau de (…gaz d'espace).

f)        Concevoir le diagramme de la densité de lui charge rapporter les zones identifiées au point et) et caractérisant la région de la transition avec elle les charges ont fixé le positif dans le cas d'un type le semi-conducteur n et le négatif dans le cas d'un type le semi-conducteur p, alors que les régions d'inversion sont caractérisées des meubles chargés au cours exponentiel finalement la région de dégénération sont beaucoup petit et caractérisé de lui charge fixe. Le métal est eu alors qui pour la répulsion présente des charges a tout disposé un sur la telle surface d'affleurement et pour rendre le matériel totalement neutre.

g)       Pour concevoir à diagramme de électrique champ apportant en arrière zone indiqué à point et) et se rappelant que le champ électrique est l'intégrale de la charge pour laquelle dans la région de transition où il est eu charge fixe a droit, dans la région d'inversion où c'est meuble de charges eu au cours exponentiel, le champ électrique l'a également cours exponentiel et dans la région du contact entre deux divers semi-conducteurs devant être respecté la conservation du mouvement du porteur D, une discontinuité du champ électrique doit être eu.

h)       Concevoir le diagramme de lui améliore leur rapporter les zones indiquées au point et) et se rappeler qu'elle les améliore est obtenu intégrant le champ électrique et le cambiandogli du signe donc dans la région de transition où le champ électrique est droit, elle les améliore est une parabole tandis que dans la région d'inversion où le champ électrique est un exponentiel, les améliore est également exponentiel il mais avec le signe opposé finalement dans la région une de transition est la parabole eue. On l'observe que dans la région où les deux semi-conducteurs viennent pour entrer en contact et donc il a une discontinuité du champ électrique, doivent être eues également une discontinuité des mises à niveau elles.

 

14) Calcolo du travail de fonction d'un matériel :

La mesure du travail qf de fonction la distance dans l'eV entre le niveau de et _{le 0}vide et le niveau de la société d'un matériel, il dépend des caractéristiques physiques du matériel, afin de le mesurer met le matériel sur un plat d'un condensateur dans lequel la distance entre les armures il vient fait pour changer la loi en second lieu , sur l'autre armure vient l'endroit qui comme exemple avoir le travail célèbre de fonction de matériel l'or. Le condensateur vient passionnan'avec un écoulement de continuum tandis que si de il y a pour changer la distance entre les armures le courant qui obtient est sended au négatif d'agrafe de opérationnel qui a l'autre extrémité à amasser, une tension est obtenu que c'est proporziona elles à la différence du travail de fonctions et peut être calculé au moyen d'un détecteur de valeur efficace.