Courants dans l'épissure PN
1) équation de continuité :
L'ébauche d'une équation qui tient le compte du dû courant est aux porteurs de majorité aux lesquels aux porteurs de minorité, afin de le caractériser considère avoir la région large du dx de semi-conducteur et le secteur, est eue :
Je remplace le développement de Taylor di Jn(dx de x) et ottengo 
,
le remplacement dans l'essa 
obtient 
où E(x) et n(x) est deux fonction de x exige donc le
calcul du dérivé de la fonction composée, une relation analogue est
eu également pour des lacunes.
2) la capture et l'émission d'une partie d'états localisent à vous :
Le mécanisme plus simple que la génération visionne l'émission d'un électron qu'elles donnent les passages de bande de valence dans la bande de conduction, il mais il est assez improbable dans les semi-conducteurs que comme le germanium et un silicium ils possèdent un espace indirect, exige en fait une collision à trois particules, un électron, un photon et un fonone, que cela se produit à la place est qu'ils viennent tire profit de vous des états actuels à l'intérieur de l'espace qui ont doivent des impuretés ou aux imperfections du bonnet, ils est beaucoup de voisins fermes au niveau de la qualité intrinsèque et a l'énergie ett et densité de Nt , nous supposons d'ailleurs qu'ils sont des accepters d'états qui est neutre si vide et nié à vous une fois occupé.
Les 4 processus possibles peuvent être eus après :
La capturede R 1
d'une ébauche d'électron du passage
d'un électron de la bande de la conduction à une soit vide, le
rythme à laquelle cela qu'elle se produit est 
celui
est est proporziona elles à la concentration d'électron dans la
bande de conduction n, à la densité des états vides il localise 
à vous et au produit du Th thermique de
la vitessev pour le trasversa
s n de sectionde
capture que la mesure de l'efficacité de l'état
dans la capture de l'électron est un.
R2 d'émission
d'elettrone une ébauche du passage d'un électron
de l'état localisé à la bande de conduction, le rythme quel ci² il
se produit est 
qui est est proporziona qu'ils la
densité des états localise à vous complètement pour la
probabilité d'émission etle n .
La capturede R 3
de la lacune que une ébauche du passage d'un
espace de la bande de la valence à une soit localisée a occupé d'un
électron, le rythme auquel cela elle se produit est 
celui est est proporziona ils à la concentration d'espace
dans la bande p de valence, à la densité des états elle localise à
vous a occupé 
des électrons et au produit du
Th thermique de la vitessev pour le trasversa de section de la capture des lacunes sp .
R4 d'émission de
lacune une ébauche du passage d'un espace de
l'état localisé à la bande de la valence ou de l'équivalent le
passage d'un électron de la bande de la valence à l'état localisé,
le rythme auquel cela il se produit est 
celui est
est proporziona qu'ils la densité des états localise vide pour la
probabilité de l'émission d'un espace à vous età p .
3) la distinction entre les états vous localise du type piège et du type centre de recombinaison :
La distinction se produit pour la manière de fenomenologica qui est suppose qu'il y a une augmentation de R3 a donc une augmentation du n° des lacunes, peut être retourné à l'état de l'équilibre thermique est par Rle 1 (…dans qui enferment l'état localisé est un centre de recombinaison) cela par R4 (…dans qui enferment l'état localisé est un piège).
4) recombinaison clairement U de taux :
là où on l'a supposé que les sections de capture sont
égales et que 
, il s'avère être maximum pour des
états localise à vous situe à vous dans la correspondance ferme du
niveau de la qualité intrinsèque.
5) période de la vie des porteurs supérieurs :
L'ébauche du temps qui s'écoule avant que les porteurs
supérieurs qui ont été inettati ils viennent riassorbi, parce que
sa détermination emploie la fonction de U appliquée exactement aux
porteurs à n supérieur 'dans le cas de l'injection de Low_Level qui
est dans le cas dans lequel la densité des porteurs elles ne sont pas
beaucoup changées de la perturbation concernant leur valeur à
l'équilibre, est eue qui est le poi n de p 0 "de â de n0 e p '= p" de â de n'
= n naturellement '= p '. Le taux
de recombinaison 
remplace les données précédentes
et la résolution de l'équation qu'il les différencie obtient 
le @t 0de la
colombe tn et donc 
.
On l'observe que la période de la vie des porteurs à t supérieurn ne dépend pas de la concentration des porteurs de majorité.
6) Norme De Recombinaison :
C'est un processus à deux corps, un électron et un espace annihile mutuel.
7) Recombinaison De Foreuse :
C'est un processus à 3 corps, un électron et un espace annihilent et un troisième électron ou espace acquiert le moment et l'énergie des porteurs qui frappent.
8) densité des porteurs de minorité au bord de la région vidante :
Nous voulons déterminer la densité des porteurs de minorité supérieurs aux extrémités de la région vidante donc que nous sommes intéressés à la concentration d'électron dedans - x pqui est n 'p(- à x supérieurp) et à la concentration d'espace supérieure dans xn qui est p 'n(xn), ils expriment comme la différence entre la valeur passionnant'et la valeur à l'équilibre, et peuvent être obtenus facilement en combien coûtent célèbre la concentration à l'autre fin des épissez (…égale à la concentration des impuretés dans le vrtù d'approximation de la neutralité presque) et la différence potentielle elles égales aux mises à niveau elles de Construire-Dans.
, l'analogue obtient pour p 'n(- xn), les deux relations
montrent pendant que les concentrations des porteurs de minorité sont
sujettes à la polarisation tandis que les concentrations des porteurs
de majorité sont svincolate certains.
9) analyse de la valve de diode idéale :
Le cours des lacunes supérieures à l'intérieur de la
majeure partie de n_doped peut lui-même être gagné au moyen de
l'équation 
de la continuité où pour le
semplicità de l'analyse l'état stationnaire est considéré, la
concentration du donori est constant et le champ électrique est nul,
d'ailleurs la fonction de U est réduite pour les hypothèses
précédentes 
à la quantité, l'équation est
réduite 
au ce a la solution 
à
où et B ils sont obtenus à partir des conditions à la découpe
tandis que 
.
10) valve de diode à désirer ardemment base :
On suit l'ébauche d'une valve de diode pour laquelle la
longueur de Lla diffusion p
est petite concernant la longueurW B du n_doped de que tous sont recombiné avant
l'atteinte dans WB et donc le
coefficient de B du membre reflété est nulle donc que le cours des
lacunes supérieures à l'intérieur du volume est 
d'ailleurs puisque le champ électrique dans le volume est
nul, le courant est toujours dû exclusivement 
de
la diffusion, ébauche d'un exponentiel qu'il démontre comme près de
la région de l'épuisement le courant est tout dû aux lacunes tandis
qu' partir vers le contact métallique on l'a que le courant
d'espace diminue et augmente à la place le courant des électrons.
De la manière analogue 
est trouvé et
l'ajouter est eue 
.
11) valve de diode à la base courte :
L'ébauche d'une valve de diode en laquelle la longueur de
L la diffusionp est beaucoup la
plus grande de l'amplitude WB de n_doped, donc dans 
la première
utilisation exponentielle 1 de marques, résolvant constate 
que le descrescita de la prolongation une du type linéaire
de la densité d'espace supérieure dans n_doped que la dérivation du
courant constant d'espace correspond un qui n'exige pas donc un à
tout le courant d'électron de majorité.
12) les courants dans la région de la charge les espacent :
Dans la région d'elle charge les espaces qu'ils sont les
centres actuels de ricombinazione/generazione, donc il est nécessaire
d'estimer les courants ils dus, au moyen de fonction
Le diretta ha U>0
de polarisation nettoient donc la recombinaison, le total
courant de la recombinaison rde J obtient l'intégration le long de la région des charges
les espace 
, ébauche d'une intégrale qui est
résolue pour la manière numérique ou pour le semplicità le maximum
de U est considéré et l'intégral sur infinitésimal de la région de
est les espaces chargés elles, obtient 
que
rapportata au J courant ttotal qu' il fournit 
que prolongation pendant que
Jr devient négligeable à la
croissance de la polarisation directe appliquée.
L'inversa ha U<0 de
polarisation nettoient donc la génération, le total courant de
la génération de Jg est de la
manière approximative 
que le rapportata à tous
les t approvisionnementscourants de J 
que la prolongation comme
dans les valves de diode il polarise à vous inversement la
génération que le courant est dû la plupart du temps de la région
des charges les espace.
13) courants dans la vraie valve de diode :
Dans les vraies valves de diode là-bas au courant a visionné préalablement dans le cas de la valve de diode idéale que les courants sont eus également qui dérivent de la génération et la recombinaison dans la région des charges les espace, ils s'avèrent la plupart du temps être importants dans le cas de la polarisation inverse ou de la polarisation active mais la personne faible, dans la proximité de l'épissure sont eues :
) porteurs de minorité d'iniettati qu'elles répandent vers le contact d'ohmmico
b) porteurs de majorité qui driftano vers l'épissure pour être alors diffus dans la région où elles sont minorité
c) porteurs de majorité qui driftano vers l'épissure afin de se recombiner avec les porteurs de minorité d'iniettati
d) les porteurs de majorité que le driftano vers la région He charge les espacent afin de se recombiner avec venir des porteurs de la région avec le drogaggio opposé.
De toute façon dans la proximité des contacts d'ohmmici le courant est dû exclusivement des porteurs de majorité qui driftano.
14) Carica stockée d'une valve de diode :
Elle charge entreposé dans la région presque-neutre est
obtenue intégrant sur une telle région la distribution de la
minorité de charges supérieure, dans le cas d'une valve de diode
pour désirer ardemment base qu'une telle distribution est que les approvisionnements intégrés 
qui est beaucoup charge simplement l'iniettata est égal au
produit du courant d'espace pendant la période de la vie de la même.
Dans le cas d'une valve de diode à la base courte à la
place la distribution des porteurs supérieurs elle est 
donc 
de ce qui 
est
obtenu où selon l'espace de membre dans le type région est la
période du passage moyen d'un n.
15) transitoire de la valve de diode :
S'appliquant à une polarisation dirigée à une valve de diode au long drainage de base au commencement, on l'a qu'il charge est limité du courant et donc il est nécessaire une période Pò avant qui les cargaisons de valve de diode et est doivent I ses têtes VD .
S'appliquant à l'heure une polarisation inverse que nous devons avoir que la valve de diode ne mène pas si non un petit courant des porteurs de minorité, mais celui ne se produit pas immédiatement dans combien coûte nécessaire un Pò de temps avant qu'il vient des charges de riassorbita dans la région presque neutre, parce que le velocizzare cette fois peut ou être réduit le courant continu ou pour réduire la période de la vie de l'insertion de porteurs de minorité des centres de la recombinaison en or.
16) les capacités se sont associées à une valve de diode :
Une capacités C sont jeu inhérent aux charges stockées dans la région de l'épuisement et une capacités relativesC d aux charges stockées dans la région presque-neutre, accroissent l'esponenzialmente avec la tension directe appliquée tandis que Cj assume la valeur prédominante dans le cas de la polarisation inverse.
