Métal De Contact - Semi-conducteur

1) le niveau de s'avérer ferme de deux arrange des puttinges pour entrer en contact :

Un écoulement d'électron sera eu d'avoir le système etun plus grand _F vers l'autre sinchè de système le système ne possède pas un seul niveau de société, il peut démontrer simplement observant cela dans le cas de l'équilibre thermique le courant qui les glissières dans un dos est égale au courant qui glisse dans l'opposé en arrière, et le bidon mutuel soit décrit comme le produit de la densité de pleins états dans un système pour la densité des états vides dans l'autre système et.

 

2) différence entre l'énergie de la société d'un métal et l'énergie de la société d'un semi-conducteur :

Dans un métal on l'a que le niveau de la société est plongé entre les états permis, dessous et_F est tout occupé tandis qu'à de l'excédent elles sont toutes les vides, dans un semi-conducteur à la place et_f est comporté à l'intérieur de la bande interdite et à son respect divers de position à lui en fonction du drogaggio.

 

3) niveau de vide :

Ébauche de l'énergie minimale qu'un électron devrait posséder pour le sottrarsi à l'infuence de l'atome d'origine.

 

4) le travail de fonction :

C'est la différence de l'énergie qj entre le niveau vide de et l'énergie de la société du matériel considéré.

 

5) affinité électronique :

C'est la différence de l'énergie entre le niveau vide de et la bande de la conduction d'un semi-conducteur ou d'un isolateur.

 

6) relation entre le travail de fonctions et le transfert des électrons :

Si j_M < j_S a un écoulement d'électron du métal au semi-conducteur autrement si j_M > j_S a un écoulement dans le sens opposé, en 1° le cas obtient un contact d'ohmmico, dans 2° le cas à la place un contact de rectification.

 

7) approximation d'épuisement :

)       la concentration des porteurs de minorité il vient négligé

b)       la concentration des porteurs de majorité est nulle à l'intérieur de la région de l'épuisement tandis qu'en vrac elle il est égale à la concentration du donori si nous considérons n-enduit

8) décrivent le métal-n_doped d'épissure dans le cas j_M > j_S:

Puisque le niveau de la société du métal est inférieur concernant celui-là du semi-conducteur, un écoulement d'électron sera eu des ces bout vers les bandes en métal donc sera plié vers la haute pour indiquer l'électron vidant dans la zone de l'épuisement et donc le déplacement de la bande de la conduction du niveau de la société.

Il charge : dans la région avec l'épuisement le donori ont perdu un électron donc de ionien sont positi à vous le fixe, parce que l'approximation de l'épuisement leur valeur est constante et égal à N_d dans toute la région charge donc le total stocké dans la région est Q = qN_dx_d , dans le métal ce sera les charges eues égales et l'opposé mais disposé sur une feuille pour entrer en contact avec l'épissure.

Champ et : est obtenu à partir de la loi du gauss comme l'intégrale avec la densité d'elle charge divisé pour le permittività et_{le s} du semi-conducteur, parce que la propriété du prélèvement du d il sera eue que sur le bord du métal le champ est et diminue jusqu'à être en valeur 0 dans x = x_d .

Il les améliore de Construire-Dans j : Est la différence potentielle ils entre la base de la bande de la valence dans le volume et la même sur l'épissure, est obtenue comme l'intégrale changée du signe du champ électrique entre l'épissure et champde x _d en particulier d'un tel a la forme d'un rectangle de triangle de la base X_d et la taille et_{le maximum} donc , de lui pu² pour extraire l'amplitude de la région de l'épuisement qui a remplacé dans l'expression d'elle charge entreposé dans une telle région donne

9) effet de la polarisation pour le métal-n_doped d'épissure dans le cas j_M > j_S :

S'appliquant une polarisation positive au métal on l'a que les électrons actuels dans lui viennent maigre devenu et donc le niveau du trasla ferme vers le fond d'une quantité qv_à , ayant le per² à rester immutato la valeur de la barrière des mises à niveau elles qj_B est comme si les bandes du traslassero en bloc vers la réduction élevée d'une telle manière les améliore de Construire-Dans j donc en bref est eues l'écoulement d'électron du semi-conducteur au métal est facilité tandis que cela du métal au semi-conducteur reste sans changement, est dans dont le régime polarisation directe.

L'application d'une polarisation négative au métal on l'a que qu'il vient rempli des électrons fermes et donc de son niveau de traslaverso la haute concernant celle-là du semi-conducteur, également dans ce cas-ci naturellement qj_B doit rester constante donc aura une altitude de la tension de Construire-Dans et donc l'écoulement d'électron sera gêné du semi-conducteur au métal tandis que l'écoulement dans le dos d'opposé demeurera essentiellement inchangé, est dans le régime de la polarisation inverse, charges stockées dans la région des augmentations d'épuisement combien V < 0 tandis que les capacités les différencient à l'unité de la surface diminue.

 

10) équation idéale de la valve de diode :

Dans les états de l'équilibre thermique elle est eue cela |_MME.De J| = | _SMDe J| et _{le SM}de J est proporziona ils par une constante de la proportionnalité de K pour présenter la densité libre d'électronn _s dans la bande de la conduction au bord avec l'épissure donc où N_d est la concentration libre d'électron dans le volume et f il est des mises à niveau ils de Construire-Dans. S'appliquant une tension V à nous avons que l'écoulement d'électron peut venir gêné ou facilité dans un dos tandis que reste sensiblement l'immutato dans le dos d'opposé, c'est a la colombe .

 

11) barrière de Schottky :

Ébauche de l'obstacle à l'écoulement d'électron d'un métal vers un semi-conducteur dopé de la manière uniforme, elle est égale à la différence de l'énergie entre le niveau de la société du métal et la bande de la conduction à l'interface du semi-conducteur avec de l'oxyde.

 

12) équation du courant dans le contact de Schottky :

_ le concept que stà le base être que un à mesure que un exemple pour intégrer le équation dérive et relatif diffusion n_doped un long le région charge espacer les, dans détail être et être obtenir multiplier pour et intégrer entre 0 et x_d être obtenir et remplacer le condition le découpe pour f et n être obtenir dans qui pour être obtenir où j_s dépendre sur le carré racine le v_pour donc venir pensée constante attendu que comme j_X dépend l'esponenzialmente de V_à.

 

13) barrière de Mott :

Ébauche d'un système constitué à partir d'un métal et d'un semi-conducteur qui dans la proximité de l'épissure faiblement est dopé dans l'ordre puis pour devenir lourd dopé au delà de x_d avec x_d petit de sorte qu'aucune ligne de champ électrique que vous finissez dans elle et donc à son intérieur le champ soit constant, il dérive une partie qu'il améliore les a seulement définies pour 0 < x < x_d est et remplacé dans le bidon facile soyez intégré.

 

14) contact d'ohmmico de tunnel :

Nous supposons d'avoir un métal à entrer en contact avec a n_doped lourd dopé de sorte que la région des charges les espace devienne de l'ordre du nm, s'appliquant une tension positive au métal si de lui qu'il abaisse le niveau de la société concernant celle-là du semi-conducteur donc deviendra le passage pour le tunnel possible d'effet du semi-conducteur au métal. Appliquant à la place une tension négative on l'a que le niveau de la société du métal est élevé concernant celui-là du semi-conducteur et est donc possible le passage d'électron pour le tunnel d'effet du métal au semi-conducteur.

 

15) contact d'ohmmico de Schottky :

Si j_M < j_S a un écoulement d'électron du métal au semi-conducteur, donc il y aura des préceptes d'une région d'accumulation dans lesquels beaucoup de porteurs libres tandis que dans le métal un d sera eu du positif de charges, dans la vertu de ce plus grand un n° des électrons sont présents ont elles-mêmes que n_doped le devient dopé principalement et donc les bandes sont pliées vers le fond de sorte que la bande de la conduction ferme soit approchée le niveau de et la bande de la valence principalement si elle en enlève.

La présence des porteurs libres à entrer en contact avec l'épissure implique

 

16) neutro de contact :

Ébauche d'un contact manquant dans la tension de Construire-Dans et dans ce qu'à l'épissure on a la même densité libre d'électron qui est eue dans le volume.

 

17) longueur de diffusion :

C'est la longueur pour laquelle la concentration des électrons qu'ils répandent réduit à 1/e de la valeur qui doit l'interface dans la mesure courte qualitativement la longueur de la région des charges les espace.

 

18) états de surface et d'elles classification :

Jusqu'ici nous avons supposé que les états disponibles d'un système sont seulement ces contenu dans la bande de la valence et la bande de la conduction, dans la vérité qui est vraie dans le volume en fait dans la surface aura seulement que les cravates sont inachevées et donc elles auront le richiudere entre d'elles ou sur des atomes d'impurità donner l'endroit à une distribution des états divers de celui est eu dans le volume, et en particulier nous aurons des états comportés à l'intérieur de gap.con une crête dans la correspondance de 1/3 de la même. Les états de surface seraient :

)       donateurs neutres si une fois occupé d'un électron et des cargaisons franchement quand ils sont vides

b)       accepters neutres vides si quand et cargaisons négativement une fois occupé d'un électron

d'ailleurs tenant le compte qu'au microscope l'amplitude de la région de transition est des dizaines de plans réticulaires, les états rapides de surface sont eus qui sont ceux à entrer en contact avec le volume et donc ils rattrapent fastly l'équilibre thermique avec le même et les états de disques extérieurs d'une valve qui sont trouvés dans des zones intermédiaires de la région de transition et donc pour utiliser plus d'heure de rattraper l'équilibre thermique avec le volume.

 

19) effets de la surface sur le métal-semiconduttore de contact :

Les états de surface et de l'impurità supposent réparti dans un endroit de la couche d d'amplitude entre le semi-conducteur et le métal, à ses têtes a un tombé des mises à niveau elles et le passage des électrons est possible au tunnel d'effet, si les états de surface sont de type accepter qu'ils détournent des électrons au n_doped et donc la bande de la conduction sur le bord va loin du niveau de la société. Dans la vertu combien dès que dit il sera clairement cela en présence de a n_doped avec des états de type accepter de surface le métal afin de réaliser d'un contact de rectification n'est pas nécessaire.