Champ d'effet de transistors

1) comparaison entre le FET et le BJT :

Avantages

)       rigidité de revenu beaucoup élevés ( @ 10¹⁰ W)

b)       dimensions réduites

c)       immunité contre le bruit

d)       il est à l'unipolare

Inconvénients

le produit de Banda est inférieur donc dans le VHF est preferibile un BJT.

 

2) principe de fonctionnement du FET :

Une barre de semi-conducteur dopé est n eu, si sur la porte ceux constituée à partir d'un semi-conducteur dopé p beaucoup intensément, applique une tension négative, on l'a que l'épissure PN est polarisée inversement et donc une région vidante sera eue qui, étant le canal moins de toxicomane, se prolongera la plupart du temps dans elle déterminant un empêchement à l'écoulement courant, si nous fixons V_GS et nous appliquons une tension V_{DS que} nous avons qu'elle change linéairement de la valeur maximum qu'elle a sur la source à la valeur minimale qu'elle a sur le drain. Dans un point celui que nous aurons que la tension est la somme des deux tensions, si ce qui s'avère est tel pour polariser inversement de la manière intense l'épissure PN, a l'obstruction et donc courant n'en glisse pas_{le D} mais cette vérification jamais dans combien si_D = 0 alors pas est tombé de ne les améliore pas à l'intérieur du canal et donc nous ne peut pas être l'obstruction ou sion doitavoirle ¹ 0 _{de D} que dans le point dans lequel le canal la densité de courant a été interrompu elle doit entrer infini mais celui n'est pas réaliste.

 

3) caractéristique d'évasion pour la configuration au terrain communal de source :

_{Le GS} exprime _{le D} en fonctionde V _{le DS} ayant comme le paramètreV, distingue les trois régions suivantes :

Région D'Ohmmica

C'est la zone pour quel V que_{le DS} est plus petit de V_{le P} qui décommande théoriquement la largeur du canal, peut être considéré à l'employé constant de l'amplitude2b(V_GS) donc de V_{le GS} appliqué, le FET se comporte donc comme une conductibilité commandée de V_{le GS} de la valeur.

Région du courant ou de la saturation constant

Quand V_{le DS} rattrape V_P , la largeur du canal devient minim et de valeur de D près de la source, à la croissance de V_{le DS que} l'amplitude du canal s'étire à être constante le long de la même qu'également le courant_{le D} qui glisse dans elle, la caractéristique est donc horizontale et à la croissance de la polarisation inverse V_GS pincez-au loin manifeste déjà pour V_DS inférieur et donc un plus petit est eu_{le D} . L'expression du courant dans cette région est où_{le SAD} sont la valeur du I_D pour V_GS = 0, d'elle qu'il peut noter que l'interdice de FET quand _{le GS} =le V _P est Vplacé .

Région de panne

À la croissance de V_{le DS} au delà de la zone au courant constant, vérification l'avalanche d'effet et a une augmentation brusque_{du D} à la tension presque constante, naturellement à la croissance de la polarisation inverse V_{GS que} la panne rattrape pour V_DS inférieur dans combien les deux causes est ajoutées.

 

4) polarisation du FET :

FET pour creuser des rigoles le ânâ?

Le circuit pour la polarisation automatique est constitué à partir des résistances R_D (relié _{à la densité double}de V), R_S (relié à la masse) et les courrierde R _G entre la porte et la masse depuis_{le G} 0 "et_{le S} coïncident avec_{le D} a V_GS = - I_DR_S qui est droit de polarisation qui dans le plan du transcaratteristica passe pour l'origine, toutefois en raison de la dispersion élevée des paramètres du FET souvent qu'il vient a fourni un transcaratteristica relativement à la tension du pincement outre de minimal et relatif à la tension maximum du pincement outre et derrière le but réduisant les variations_{du D} vient endroit un générateur V_GG en série à la résistance R_G , toutefois employer un partitore R ₁, R ₂de resistivo peut être fait à moins que ce deuxième generatore.

FET à l'enrichissement

Dans ce cas-ci c'est V nécessaire que_{un GS} positif devient donc partie par R_G entre le drain et la porte, dans qui enferment _GS =V_DS cependantsi le ¹ V _DS de la demande V _GSde conditions de fonctionnement peut être relié une résistance R ₁ de porteentre et source, dans toutes les deux est V eu les caisses le FET s'avère thermiquement stabilisé cependant pour l'effet de Miller, abaisse la résistance du revenu.

5) modèle du FET pour de petites marques elles :

_{Le D} s'avère être fonction est de V_{le GS} que de V_{le DS} donc considérant un développement en série de tailleur a arrêté à 1° que l'ordre a de ce que le modèle du FET pour petit peut être gagné les marque dans la très basse fréquence a constitué à partir d'un courrier de la résistancer _d entre le drain et la source et en parallèle à un générateur du courant de la valeur g_mV_GS. Le modèle dans le VHF est obtenu à partir le précédent ajoutant des capacités entre chaque croisillon des agrafes du FET, en particulier _{le gd}de C _gs etde C sont relativement aux épissures et sont comportés entre 1pF et 10pF tandis que _{le gd}de C est les capacités au canal et est comporté entre 100nF et 1pF.

Se rappelant les conventions afin de passer d'un générateur du vrai courant à un générateur de vraie tension le circuit équivalent peut être série obtenue pour de petites marques elles ce que donc il est constitué à partir d'un générateur de la tension ayant moins vers le drain et d'endroit de valeur en série à une résistance de la valeur r_d .

 

6) Transconduttanza :

étant

il vaut la peine approximativement 20mA pour chaque volt de variation de V_{le GS} .

 

7) facteur de l'amplification m :

il est simplement placement obtenu

 

8) amplificateur au FET généralisé :

Sur la porte ceux un générateur v _I est eue , dessus vidange une résistance R_d un générateur v_à et vient a capturé l'évasion v_o1 finalement sur la source a une résistance R_S un générateur v_s et vient _O2 capturé de l'évasionv . De ce disattivando de configuration les générateurs opportuns, éliminant les résistances opportunes et remplaçant l'équivalent de circuit du FET pour petit les marquent obtiennent les réponses pour les configurations possibles. On l'observe qu'étant à nous entre la porte et le canal une épissure polarisés inversement dans le cas du FET ou d'un oxyde dans le cas du transistor MOSFET, une résistance est eue de toute façon beaucoup haut un et donc il est inutile de les mettre en série la résistance intérieure du générateur v qui est habituellement beaucoup de terre en contre-bas.

 

9) configuration au terrain communal de source :

La source doit amasser et elle les marque du revenu sur la porte ceux, les marque de l'évasion vient capturé sur le drain, l'amplification dans la tension et les R_hors des séries pour petit sont remplacement obtenu au FET que le circuit équivalent les marquent, ont e .

 

10) configuration pour déclencher le terrain communal :

On a la porte ceux à amasser et il les marque du revenu appliqué sur la source tandis que l'évasion v₀₁ vient capturé sur le drain, parce que le calcul de_{à v} est nécessaire pour remplacer dans le contour la série de circuit équivalent du FET et employer la relation à partir dont se multiplier pour m est obtenu donc le générateur de tension peut être remplacé d'un générateur de tension de la valeur mV_s avec en série une résistance de la valeur mR_s , unificando les générateurs de la tension et de la résistance obtient , finalement dividende que toutes les limites pour obtient la valeur de la résistance du revenu . On l'observe que la porte ceux n'absorbent pas le courant et donc le courant du revenu sur la source est égal au courant d'évasion sur le qundi de drain que nous n'intéresse pas le gain dans le courant.

 

11) configuration pour vidanger le terrain communal :

Le drain est eu s'est relié directement à l'alimentation sans résistance, les marque du revenu sur la porte ceux et il les marque de l'évasion capturéeV ₀₂ sur la source, remplaçant le circuit équivalent pour petit il les marque et raisonnant donc quant pour que la configuration déclenche le terrain communal et est obtenues. On l'observe qu'être nul le courant de revenu a et .

 

12) a dédoublé l'amplificateur chargé :

C'est les marques eues ils du revenu sur la porte ceux et l'évasion vient pris est sur le drain qui sur la source, si les deux résistances sont égale les deux les marquent qu'ils sont capturés sont égaux dans le module mais dans l'opposition de la phase, toutefois la résistance de l'évasion sur la source sont basse tandis que la résistance de l'évasion sur le drain est hauts donc deux les évasions doivent être des suites d'un collecteur commun qu'il agit en tant que de l'amortisseur. L'analyse est gagner effectué_{à v} et R_dehors est dans le cas que l'évasion est prise sur le drain que dans le cas il est pris sur la source.

 

13) VVR :

Acronyme de la résistance variable de tension, ébauche d'un FET dans la région linéaire, de laquelle la résistance peut être changée changeant la tension appliquée sur la porte ceux.

 

14) Circuit AGC :

Un npn de transistor automatiquement polarisé au moyen de R est eu₁ et R₂ , le revenu est appliqué sur la base par un condensateur de bloc tandis que l'évasion est capturée sur le collecteur, bufferizzata donc rectifié et filtré pour obtenir une tension qu'agissant sur la porte ceux d'un FET la conductibilité en change .

On a se rappeler que l'amplification de la tension _{à V} d'un emettitore commun avec la résistance sur l'emettitore est est eu qui s'avère la fonction de la tension d'évasion et donc un contrôle automatique du gain qui vient utilisé au but d'avoir un niveau d'évasion constante également dans la présence d'un niveau variable des marques elles du revenu.

Transistor MOSFET

15) principe de fonctionnement du transistor MOSFET :

La typologie du transistor MOSFET sont suivante :

Transistor MOSFET à l'enrichissement

Un type substrat est n eu^- dans ce qui sont ils noie les pièges dopés à vous prelié aux agrafes du drain et de la source, entre l'agrafe de la porte et le substrat qu'elle est présente une couche d'oxyde qu'en bref des capacités déterminent, appliquant une tension négative sur la porte ceux, il est eue que sur l'autre galette du condensateur, qu'un qui coïncide avec le substrat, viendra des rappels vous du même substrat des porteurs positifs vous, dont le nombre augmente la croissance de la tension négative appliquée à la porte ceux, après que tout crée donc creusez des rigoles qui combine le drain et la source dans laquelle les porteurs sont les lacunes ce canal vient "zone d'inversion" appelée. On l'a que si est dans la zone d'ohmmica pour laquelle_{le D} il augmente la croissance de V_{le DS} tandis que si la forme de canal et dans le dispositif pas diapositive un courant . Le transistor MOSFET à l'enrichissement au canal "p" est plus lent et présente une plus grande résistance concernant le canal "n" dans combien dans la couche d'oxyde coûte présent des meubles positifs ioniens vous, que dans le type pour creuser des rigoles "n" qu'ils sont rejetés vers le substrat en changeant l'allorchè de réponse polarise la porte ceux avec une tension positive afin de créer le canal tandis que dans le type au canal "p" afin de créer le canal on lui exige sur la porte une tension négative qui attire les meubles positifs ioniens vous au métal où ils ne présentent pas des effets délétères.

Transistor MOSFET à vider

Un substrat de type est p eu dans lequel ils sont noie les pièges dopés à vous nrelié aux agrafes du drain et de la source, ceux-ci sont se relient à vous par un type le canal n, entre l'agrafe de la porte et le substrat est présent une couche d'oxyde qui en bref détermine des capacités, appliquant une tension nulle sur la porte ceux, est eu que dans le courant de canal en fonction de V _{le DS} appliqué peutglisser régulièrement, appliquant à la place sur la porte une tension négative, est eu qui sur l'autre galette du condensateur, cela un que coïncide avec le canal, viendrez des rappels vous des porteurs positifs vous la minorité qu'ils réduisent la conductibilité du canal, appliquant naturellement également une tension positive d'autres électrons dans le canal sont rappelés et donc les travaux de transistor MOSFET à l'enrichissement.

La valeur de la tension V _T peut être réduite optimisant l'interfacciamento, la dissipation, l'alimentation et les vitesses suivants des manières :

)       à la place en utilisant un cristal de silicium avec la directive < le 100> qui < 111 >

b)       pour s'ajouter à SiO₂ du péché₄ pour doubler la constante diélectrique

c)       au lieu de l'électrode de la porte métallique pour employer le silicium dopé avec du bore.

 

16) Invester un transistor MOSFET :

Dans la version plus simple que un transistor MOSFET est eu a piloté sur la porte ceux a alimentée par une résistance sur le drain et avec la source à la masse, dans les circuits numériques ils mais la résistance elle doit être remplacée d'un transistor MOSFET, ont suivant les contours possibles :

Invester au transistor MOSFET avec la cargaison saturée

La porte de Cortocircuitando et le drain du FET de la cargaison de cargaison la sa droite est la parabole qui joint les points V de I_GS = V_DS , si le ribaltiamo, le trasliamo et nous rapportent sur la caractéristique de l'évasion du pilote, il d'elle devient la droite de cargaison, de ce bidon de représentation lui-même soit extraite la caractéristique de transfert qu'elle démontre car la tension d'évasion est inférieure concernant la tension de l'alimentation d'une quantité égale à V_{le SEUIL} du FET de la cargaison d'ailleurs que la tension de l'évasion n'est pas nulle en présence de la tension maximum du revenu mais elle vaut la peine V_DESSUS, une telle tension qu'il le bidon lui-même soit réduit à l'aide d'un transistor de cargaison beaucoup le plus petit concernant le pilote, de toute façon per² l'oscillation de la tension d'évasion est réduite concernant l'oscillation de la tension de revenu, afin de résoudre l'utilisation de problème le circuita suivant de solutions ils :

Invester au transistor MOSFET avec la cargaison non saturée

Par une batterie le transistor MOSFET de la cargaison est polarisé pour la faire fonctionner dans la région d'ohmmica, le droit de cargaison doit donc tracer et concourt d'avoir pour la tension d'évasion un maximum d'oscillation, le défaut de cette configuration doit exiger une deuxième batterie.

Perfectionnement de transistor MOSFET d'Invester avec la cargaison du type d'épuisement

Employer pendant que chargé un épuisement de transistor MOSFET peut être évité moi l'emploient de 2ª la batterie dans combien le canal est formé et donc la conduction également pour V _GS=0 est eue si le pilote est de type perfectionnement et est beaucoup le plus grand du transistor MOSFET de la cargaison obtient un maximum d'oscillation de la tension d'évasion. Le défaut de cette configuration est qu'il est compliqué pour réaliser très près d'un épuisement de transistor MOSFET et d'un perfectionnement.