Les phénomènes transportent dans les semi-conducteurs

1) caractérisation des dispositifs analogiques vous :

) création des modèles mathématiques à nous ou au circuita ils dérivant de la description mathématique des processus d'examen médical qui règlent le fonctionnement du dispositif

b) création de circuita de modèles ils dérivant des caractéristiques aux agrafes exprimées en forme graphique.

2) Dispositif L'"Volume" :

C'est un dispositif électronique qui tire profit directement d'une certaine propriété du semi-conducteur et pas de la propriété des épissures.

3) semi-conducteur intrinsèque :

On a l'ébauche d'un matériel dont le bonnet est constitué à partir des atomes jointifs de tetravalenti entre elles du covalenti attache, qu'à la croissance de la température certains des cravates sont interrompu qui produisent des électrons libres pour se déplacer le bonnet et un nombre égal d'espace.

4) semi-conducteur extrinsèque de type ânâ? :

Insérant le pentavalenti d'impurità (…phosphore P4, comme arsenic, antimoine de Sb) dans le bonnet du silicium de tetravalente, ciascuna d'eux remplaceront à un atome de silicium ayant créé 4 cravates de covalenti avec les premiers voisins tout en assurant une petite énergie (…0,1eV pour la GE et le 0,05eV pour) 5° l'électron de la valence du donateur peut être enlevé de le même. Dans la représentation aux bandes qui correspond pour créer un niveau d'énergie (…niveau de distributeur) au ridosso immédiatement de la bande de conduction, c'est popolato des cinquièmes électrons fournis à partir des donateurs qui cependant déjà au passage ambiant de la température dans la bande de conduction.

5) semi-conducteur extrinsèque de type âpâ? :

Insérant le trivalenti d'impurità (…bore de B, gallium de Ga, indiens dedans) dans le bonnet du silicium de tetravalente, ciascuna d'eux remplaceront à un atome de silicium ayant créé 3 cravates de covalenti avec les premiers voisins restent donc inachevés une obligation covalente qu'il attire près des électrons de la valence les forçant à interrompre leur obligation covalente.

Dans la représentation au ci² de bandes il correspond pour créer un niveau d'énergie (…niveau d'accepteur) au ridosso immédiatement de la bande de valence, que déjà à la température ambiante il vient complètement à l'occupation des électrons de valence qui donc congé des lacunes libres à mener dans la bande de valence.

6) loi d'action de la masse :

On l'observe que si l'augmentation la concentration des porteurs du type "n" (…dopant avec le tetravalenti d'impurità) réduit le nombre de porteurs "p" dans combien est recombiné et viceversa, est eu donc cela à un donné à la température le produit du nombre de porteurs du type "p" pour le nombre de type les porteurs "n" qu'il est constant et il vaille la peine où_{à 0} est une constante indépendante de la température et et₀ sont l'espace d'énergie pour lequel à 0K il vaut la peine 0,785eV pour la GE et le 1,21eV.

7) densité des charges dans un semi-conducteur :

Il est obtenu à partir de la loi de l'action de la masse et à partir de la relation de la neutralité :

) dans un type ânâ? de semi-conducteur les électrons règnent et leur concentration est égale à la concentration des donateurs qui est n = N_d tandis que la concentration des lacunes est p = n²/N_d .

b) dans un type âpâ? de semi-conducteur les lacunes règnent et leur concentration est égale à la concentration des accepters qui est p = N tandis que la concentration des électrons est n = n^{les 2}/N_à .

8) mobilité :

C'est la constante de la proportionnalité entre le champ appliqué et la vitesse moyenne supposée à partir des porteurs, pour les lacunes ha tandis que pour les électrons donc les deux types de porteurs viennent mouvement à vous du champ dans des dos opposés.

9) conductivité :

quindi

10) Effet De Hall :

On a un semi-conducteur à la section rectangulaire avec la base W et la taille d, et glisse dans le trasversa de direction un courant dans le dos de x les croissants, a d'ailleurs un champ de B dans le sens du z augmentant, les porteurs dans le mouvement sont sujets à la force de de Lorentz que cela les pousse indépendamment vers le fond de leur nature, ont elles-mêmes donc cela dans le cas d'un type le semi-conducteur "n" les porteurs sont les électrons libres et sont donc de basses charges eues négatives et positif haut de charges tandis que dans le cas d'un type le semi-conducteur "p" les porteurs sont les lacunes pour lesquelles il prend le bas des charges positives et hautes il charge le négatif. Dans les les deux les caisses par double couche est créé des charges et donc un champ électrique qui s'oppose à la force de Lorentz, sa valeur à l'équilibre est obtenu sur le budget des forces desquelles étant ha et quindi .

En particulier on définit la constante de Hall qui concourt pour gagner la mobilité au cas où serait célèbre la conductivité s a en fait et voulant tenir le compte du fait que tous les frais ne se déplacent pas avec la même vitesse qu'il a .

11) décrivent la diffusion :

_ l'image du s au sezionare idéal un semi-conducteur de sorte que la concentration du porteur qui doivent sx être divers de celui-là qui doivent dx, puisque chaque porteur pour l'effet du mouvement de la température dans le randomica de direction, ont que le nombre de porteur qui croisent la section du sx au dx soit plus grande du n° de celui-là qu'il croix de dx au sx, créent qui est une densité du courant de l'étendre dans la direction vis-à-vis le gradient de la concentration, dans le cas de l'espace ont tandis que dans le cas de l'électron libre ayez où D_p et D_n ils sont les constantes de diffusion.

12) relation d'Einstein :

Il met dans la relation la constante de la diffusion avec la mobilité respective dans combien tous les deux sujet aux statistiques de considérations, trouvent l'équivalent dans la tension de la température.