Transistor de caractéristiques
1) convention sur les courants :
Ils sont considérés positifs si entrant dans le transistor.
2) transistor dans la zone active de l'opération :
Il est vrai venu polarisant la base-emettitore d'épissure
directement réduire la barrière d'elle les promeuve, dans un pnp
soyez donc des lacunes qu'ils répandront dans la base tandis que le
nombre libre d'électron qu'ils répandent dans l'emettitore est
beaucoup inférieur dans combien a vrai venu une base dopée moins de
l'emettitore, le courant qui les glissières dans est, 
vient donc d'ailleurs défini le rendu d'emettitore 
. Analogue il vient a défini le rendu de la base 
et le rendu du collecteur 
.
Étant le collecteur-emettitore polarisé d'épissure
inversement, la barrière des mises à niveau leur est élevée et
croisée dans la réduction, le courant de l'étendre dans
l'emettitore sera beaucoup haut un, a 
, l'ajouterau C0 dû à la polarisation
inverse a 
le quindi 
est égal au
rapport entre la variation du courant du collecteur concernant
l'interdiction et la variation du courant de l'emettitore concernant
la même interdiction, des valeurs typiques sont 0.90 < < 0.995.
L'expression précédentedu C est valide pour la région active du fonctionnement du
transistor, alors que l'expression généralisée est 
celle, en bref exprime seulement le fait qu'au courant dans l'épissure PN
entre le collecteur et la base additionnez une fraction à du courant qui circule dans
l'emettitore.
3) technologies constructives du transistor discret :
) réalisation du transistor pour l'augmentation :
On extrait un cristal simple d'une fusion de silicium de laquelle il vient a changé la concentration de l'impurità pendant l'opération d'ébauche.
b) Réalisation du transistor pour l'alliage :
la boule de 2 littles du repos indien de trivalente sur les deux visages d'un semi-conducteur, soulèvent la température jusqu'à attraper vers le haut de la fusion de l'Indien, dopodichè dans le refroidissement il se cristallisent réalisant deux régions dopées "p".
c) Réalisation du transistor pour la diffusion (pour glisser vers le bas) :
Elles viennent utilisé des masques et des émissions gazeuses de l'impurità qui vont affecter le semi-conducteur.
4) Premier Effet :
La polarisation on crée inversementde la région de J C un de vider qui se prolonge la plupart du temps dans la base dopée étant ceci moins de collecteur, les effets qui en réalisent sont :
) la probabilité de la recombinaison dans la base diminue donc des augmentations à
b) le courant de diffusion augmente avec le degré de la concentration et puisque la base est réduite, de telles augmentations de gradient et avec lui égalementet
c) pour des polarisations inverses hautes, la base peut devenir de l'ouvrier électrique de nulle d'amplitude "atteindre-à travers".
5) ouverture à la base commune :
La base à la masse donc dans un pnp est eue pour avoir Jet polarise à vous directement
doit faire ÊTREV un
positif tandis que pour avoir un Jpolarisé C
inversement
je dois prendre Vun negativa de
CB. Dalla 
déduit cela dans la
caractéristique d'évasion, l'évasion estle C tandis que les CBde V
et le Iet sont
les largenesses de revenu, on le préfère des deux prendreet comme le paramètre dans combienle C @ et et eux sont obtenus des horizontals droits dans la
région active de la laquelle se prolonge dans le quart de cercle
caractériséet> 0 et CBde V0 < la
région de la saturation dans laquelle les augmentations du courant
avec V sont eu bruschiles CB presque constants sont
obtenus pouret> 0 CB
de 0etde V > qui est directementJ polarisé C tandis que
la région d'interdiction est eue pouret< 0 et les épissures sont obtenus polarisant inversement
tous les deux.
Jusque la caractéristique du revenu, elle est la même de la valve de diode directement polarisée à moins qu'à la croissance de Vles CB pour le premier effet qu'il augmenteet et donc les courbes sont obtenues plus épaisses.
6) équation caractéristique de l'ouverture à l'emettitore commun :
est eu, du repos 
donc le remplacement 
de la colombe 
est eu est le
courant de la saturation inverse avec la base ouverte (…B= 0) tandis qu' 
est
le facteur de l'amplification dans le courant pour de grandes marques
elles de l'ouverture à l'emettitore commun (…observe queCE0 =le CB0 où CE = émetteur commun et
Base de CB = De Collecteur). Elle vient a
d'ailleurs défini le gain du courant dans continu 
et le gain dans le courant pour de petites marques
elles 
. On observe que les courbes qui
composent la caractéristique d'évasion avecle C à changer de Vle CE et le IB car le
paramètre n'est pas horizontal comme un est eu à la place pour la
base commune dans de combien de petite variation détermine une grande variation de
b .
7) zones de saturation pour l'emettitore commun :
Le CE est obtenu polarisant tous les
deux directement que les épissures doncV est beaucoup petite et puisque l'emettitore doit amasser, 
indépendamment de la valeurdu
B .
8) zone d'interdiction pour l'emettitore commun :
Les conditions d'interdiction sont les mêmes de la base
commune 
c'est-à-dire, 
mais
dans ce cas-ci si la base ouverte laisse et doncB = 0 n'a pas l'interdiction dans à combien 
dépend donne et le C0
peut être arrivé à avoir 10C=, le problème est résolu insérant un VSOIT @ -0.1V pour
le transistor à la GE et VSOIT @ 0V pour le transistor à. On
l'observe qu'en états d'interdiction le CB0 dansdiapositive une d'épissure de collecteur qui ne coïncide pas avecle C0 pour suivre les deux
raisons :
) à la croissance de Vle CE un augmente la dimension de la couche et de la vérification vidées l'avalanche d'effet
b) là sont des courants qui croisent l'épissure sur la surface du transistor et pas dans le corps
d'ailleursles CB0 sont beaucoup les variables du transistor de transistor également du même modèle.
9) courbe du transfertC- VSOIT pour l'emettitore commun :
Pour VSOYEZ ® -le ¥ est eu quele C®le CB0 et le
transistor est interdetto, parce que VSOIT = 0 aC =le CES, attrape vers le haut la tension
alors de amorce Vg quandle C vaut la peine 
du C reposé et le péché
quand la tension de la saturation V n'est pas attrapée vers le hautde s le transistor est dans la
région active, pour le silicium V sest @ 0,8V eu.
10) équations d'Ebers-Moll et de modèle relatif :
L'équation générale du transistor peut être écrite
dans 
la forme où stà de "N" pour la manière
de l'opération normale, si nous imaginons pour
échanger les rôles des deux épissures a également 
où "" le stà pour l'opération invertie et le vige la
relation 
d'ailleurs VC représente la tension entre les finitions elles du
collecteur et d'un point intérieur à la base, il est eu qu'il
diffère de Vle CE pour la
présence 
de a de la valeur approximativement de
100W qui extrinsèque les
difficultés que les porteurs se réunissent pour les sortir des
finitions de la base étant large et serrée lui. Une telle
résistance n'apparaît pas dans le modèle d'Ebers-Moll constitué à
partir de deux valves de diode dans le contropunta chacun avec un
générateur du courant commandé en parallèle, elles est nulle
choisissent si à = àN = 0 qui est
si la largeur de la base est plus grande de la longueur de la
diffusion et donc de tous les frais qu'elles sont recombinées dans la
base, est ceci la situation qui est eue si deux vraies valves de diode
dans le contropunta sont mises, dans que le cas a vrai non venu sûr
un transistor.
Des deux équations d'Ebers-Moll elles peuvent être
l'estrinsecare Vet et VC et obtient 
donc et
donc l'expression du courant de l'évasion du transistor duquel CE -le ¥® est regardécela V tandis que 
le rapport est constant et vaut la peine b .
11) limite de valeurs pour les tensions d'inverse :
Indépendamment des caractéristiques de la dissipation du transistor, le CB inverse maximum de la tensionV qui peut être appliqué entre le collecteur et la base est limité des deux phénomènes suivants :
Multiplication la tête la première
Le produit accéléré de frais pour le nouveau
grimper de porteurs de collision donc jusqu'à, si la configuration est à
la base communeC=àet on l'a que la
tension pour laquellele ¥®de
C est beaucoup haut un, doit à la place en fait être eu® un
¥, dans l'emettitore commun étant 
assez qui ®un 1 afin de
faire pour divergerle C donc
pour une tension inférieure, un dispositif à la résistance
négative dans pour combien petit est eu maisle C le courant qui les glissières dans
la base est petite donc le circuit est comme une base commune,
jusqu'à la croissancedu C il
grimpe mais la dissipation de la résistance de la base et du circuit
qu'il retourne pour se comporter comme un emettitore commun.
Atteindre-À travers
À la croissance de la tension inverse que la dimension de la base est réduite augmente donc le gradient de la concentration des porteurs de minorité et donc du courant jusqu'à ce que dépasser également les limites maximum admises du dispositif se développe.
La tension à laquelle la vérification de phénomène est non seulement dépendue de la configuration mais de la physique du dispositif.
12) Fototransistore :
S'avérer le courant est une évolution du fotodiodo dans
combien concourt d'avoir un plus grand, il peut être réalisé avec
un transistor en lequel l'épissure de collecteur est découverte, et
laisser la base ouverte, ou il peut être sended un courant sur la
base et la possession donc une double commande, dans un tel cas a en
fait 
.
