La simulacin de circuitos electrnicos
1) consideraciones para una buena simulacin del circuita ellos:
) el comportamiento analizado que representa solamente su funcionalidad las ejecuta relativamente los estmulos en renta
b) Cada modelo tiene solamente una validez del empleo ante el interior de lmites seguros de dimensiones, temperatura, corriente, tensin
c) Los datos del plan estn a menudo originan de los procedimientos di.le que a usted no saben la validez
d) todos los algoritmos resolutorios no son igualmente eficientes y no precisan, en algunos casos que no pueden converger
2) criterios para la opcin del modelo:
Un modelo mucho elabor en clase del lugar de las ecuaciones complejas que llevan a un resultado exacto pero en un rato largo con respecto a ese empleado para la puesta en prctica de un modelo ms simple, es por lo tanto compensacin importante entre la precisin y una rapidez de la elaboracin. En clase entonces de un mismo dispositivo un vario modelo al segundo se utiliza que se debe utilizar en un circuito analgico o digita ellos.
3) aproximacin gradual modelo del canal para el MOS:
Consideramos un MOS al canal de N, l hemos narcotizado dbil un substrato de P en el cual observen a los drogadictos dos extensiones de N fuertemente, sobre el espacio hasta el cual lo separa es el xido de la puerta mucho, aproximadamente 1000A, externamente a las extensiones que tenemos en lugar de otro xido del campo mucho a menudo, aproximadamente 5000A. xido excesivo de la puerta viene aluminio depositado para formar el electrodo de la puerta.
4) la distribucin de cargas en el substrato en la funcin de la tensin aplic a la puerta unos en el caso de VDS = 0:
) acumulo, me tengo cuando la tensin aplic a memorias de la puerta del substrato los portadores de la mayora
b) Se tiene el vaciar, cuando la tensin aplic a memorias de la puerta del substrato un nmero pequeo de los portadores de la minora solamente suficientes compensar los portadores de la mayora
c) Se tiene la revocacin, cuando la tensin aplic a memorias de la puerta del substrato a una gran cantidad de portadores de la minora que forman por lo tanto un canal entre las dos extensiones,
5) efecto de Vel DS 0:
Al crecimiento de VDS VGD = VGS "VDS disminuye hasta a ser ms pequeos de VT a ese punto del lado del dren no es ms la revocacin del canal que por lo tanto se obstruye, antes de que estrangular el canal se contraiga gradualmente al crecimiento de VDS y el ID aumenta ms y ms lentamente, cuando el canal es pasos estrangulados unola D de la saturacin independiente de Vel DS , se puede tener un aumento de la corriente de la saturacin solamente con un aumento de Vel GS .
6) ecuacin general ideal que describe el comportamiento del MOSFET:
El DS es banally 
donde 
est la resistencia de un dx de la caracterstica
del canal y 
es cargas para el rea unitaria,
substituyendo tercera en segunda y segunda se tiene adentro antes de
que
se tenga, integrando
de las
cuales 
.
Esta ecuacin evidencia tres zonas de la operacin:
Interdizione se tiene para VGS< VT , el canal no se forma del lado de la fuente y por lo tanto la corriente no puede resbalar
Ohmica se tiene para VDS < (VGS "VT), de l deriva eso en la PU de la ecuacin para descuidar VDS2 .
Saturazione se tiene para VDS > (VGS "VT) se tiene en hecho de queel DS es casi independiente de Vel DS .
7) modulacin del canal en el MOSFET:
Al crecimiento de Vel DS que se tiene el que el canal se estrangula y parael DS elevado V todava llega a ser ms ms corto, traduce en un aumentodel DS por lo tanto en la
saturacin el MOSFET no se comporta exactamente como un generador
actual, para describir el fenmeno viene utiliz el coeficiente de
modulacin de la longitud del canal l y la ecuacin del MOSFET se convierte 
.
8) efecto de la polarizacin del substrato en el MOSFET:
La tensin del umbral VT es funcin de la polarizacin del substrato, se tiene en
hecho 
.