Modelos no lineares
1) equivalente del circuito de una vlvula de diodo:
El paralelo se constituye de una capacidad que sea aqulla entre el ctodo y el nodo, en paralelo a l tiene la serie de una inductancia, una resistencia y el paralelo entre una conductancia no linear y una capacidad tambin no lineares l, esta ltima cuenta de un asimientos del hecho que al segunda de la polarizacin de la vlvula de diodo la regin que vacia ms o menos se vacia y por lo tanto la capacidad variada que es atado a la distancia entre los portadores.
2) intrinseci y estrinseci de los miembros:
El intrinseci de los miembros es los que valor depende de la polarizacin es por lo tanto no linear y viene descrito generalmente por medio de una funcin por el contrario de cunto se tiene para el estrinseci de los miembros que pueden ser descritos con un nmero y corresponder a usted le adorn del circuito.
3) necesidad para realizar medidas rpidas:
) la curva que describe el comportamiento de una vlvula de diodo que no es isoterma, los valores son funcin de la temperatura en el hecho que sala o el venir abajo a lo largo de la curva que se l lo cambia est se en un caso la vlvula de diodo es fra y para va de su inercia termal pondremos un P al scaldarsi mientras que en el otro caso es ya caliente.
b) En los semiconductores hay del impurit que actan como de trampas y realizan el proceso de la recombinacin que desfalca de los portadores, la poca del detrappolamento estn de un cierto ms por lo tanto que eleva mucho con respecto al ns que l caracteriza a correspondiente del perodo a las frecuencias avanzadas al gigahertz. La consecuencia de este efecto es que las caractersticas de un FET introducen una caracterstica con la negativade r ds.
4) caracterizacin de un dispositivo no linear:
) un circuito se asocia al dispositivo equivalente a los concentrados de los parmetros a usted, en la verdad una a los parmetros distribuidos sea el ms relacionarse pero su elaboracin larga y compleja por lo tanto para el plan prefiere esta solucin menos confiable pero ms rpida
b) la funcin del interpolante entre un grupo de aproximadamente ya 20 se elige realiz
5) primer mtodo para la extraccin del circuito equivalente de las medidas:
Consideramos el modelo de la vlvula de diodo descrito previamente, el valor de la PU de los miembros que se determinar de irse de las medidas siguientes con pasos lgicos:
) se realizan de las medidas que dan a la parte real y a la parte imaginaria nosotros de la tiesura introducida de la vlvula de diodo
b) uno escribe una
igualdad del g(C de la funcinobjetiva , L igualdad ,
igualdadde R ,el 0 , h , G, a, g) que contiene todos los parmetros que
caracterizan el circuito equivalente y viene defini una distancia 
c) inicialmente de un valor cualquiera a h yal 0 despus de lo cual a variarlos se procura para disminuir la distancia
6) segn el mtodo para la extraccin del circuito equivalente del misure:
El valor de los miembros se gana posteriormente antes de estrinseci y aqul del intrinseci de los miembros por medio del procedimiento siguiente:
) aplicando una corriente que eleva mucho a los miembros que el intrinseci de la vlvula de diodo por lo tanto del valor de la parte real del Z midi para PU f=0 que deduca la lata ellos mismos de la friccin del parsito descudese mientras que la inductancia y el parsito de la capacidad se pueden caracterizar para irse de la localizacin de la frecuencia de la resonancia. Estas medidas vienen fredde del misure de las llamadas y concurren la localizacin del valor de adornado a usted
b) Pasamos del Z a la Y y desfalcamos el paralelo ya famoso de la capacidad despus de lo cual se vuelve al Z y la inductancia es serie desfalcada tambin l los avisos del paso anterior, todava se pasa a la y a este punto de la interseccin con el eje de los formers de la parte real de la entrada determina la conductancia intrnseca mientras que de la cuesta de la parte imaginaria se determina la capacidad intrnseca.
c) el procedimiento se debe repetir para cada punto de la polarizacin considerada del inters del interpola despus de lo cual