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Laser Del Semiconductor 1) ley de Lambert:
caracteriza la variacin de la intensidad de un paquete
ptico monocromtico que el propaga ante el interior de un
semiconductor, en ella
2) coeficiente de aumento para un bulto del semiconductor: llega a ser vario a partir de la 0 para las energas del fotn avanzado al boquete de energa y tiene un curso a la parbola invertida que mximo se mueve hacia mayores energas al aumento del iniettata de las cargas.
3) revocacin de la poblacin: Se tiene en el caso en el cual la actual densidad del electrn entre el mnimo de la venda de conduccin y el nivel de la firma de la misma l es casi mayor de la actual densidad del electrn entre casi el nivel de la firma de la venda de la valencia y el mximo de la venda de la valencia.
4) el aumento mximo:
es por lo tanto falta de informacin para la densidad de portadores inferiores a la densidad n tde la transparencia mientras que ms all de ella tiene un curso linear con la cuesta igual al aumento los distingue a.
5) densidad de la corriente del umbral:
se obtiene que impone el stazionaria de la condicin
6) aumento del anillo de la cavidad del risonante: donde estn los coeficientes R1 y R 2 de la reflexin de los actuales espejos en la cavidad, el L su longitud y el g el coeficiente de prdida de la misma.
7) aumento del umbral: De modo que el autosostenga de la oscilacin sea
necesario que el aumento del anillo es unitario, la imposicin de
esta condicin
8) las maneras usted concurre usted mismo en la cavidad del risonante: Las maneras que usted concurre usted mismo en la cavidad
son solamente las para las cuales el L longitud de la cavidad es un
mltiplo entero de las longitudes de onda medias, de que estn para
cul se tiene
9) poca de la vida photonic de la cavidad: est en la parte que tuvo que las prdidas de la cavidad y en parte a la transmisin a travs de los espejos.
10) coeficiente de confinamento y de relacin con el aumento del umbral: Bosquejo de la fraccin de la manera electromgnetica (…que extiende en una regin amplia t) presente al interior de la regin activa amplia d al interior de el cual hay la presencia contempornea de electrones y de boquetes. la expresin del aumento del umbral tendra que
considerar que toda la manera electromgnetica no reside en la
regin activa, eso es tendra por lo tanto ser modificada
11) ecuaciones de las instalaciones:
12) concentracin del electrn y del fotn en la funcin de la densidad corriente: Al crecimiento de la densidad corriente aumenta a la concentracin del pecado de los portadores cuando no coge para arriba el th del valor de umbraln , a este punto que sigue siendo constante mientras que la densidad del fotn que hasta entonces era nula comienza a crecer linear.
13) energa en escape los superficiales del laser: donde
14) coeficiente de aumento saturabile:
15) causa fsica de la saturacin del aumento: Tiene tuvo que la carencia de los portadores que pueden recombinar para la emisin estimulante cuando se eleva la densidad photonic.
16) respuesta de un laser al paso actual: Aplicndose a un paso actual la densidad electrnica la
concentracin photonic aumenta hasta coger encima del valor del
umbral para el laser del efecto despus
17) caractersticas en continuo de un laser: La concentracin del fotn bajo umbral es 0 mientras que
sobre el umbral est
18) respuesta en frecuencia de un laser:
siendo
19) oscilaciones del multimodali: Los analizan que escriben las instalacio'n-ecuaciones para cada los activos de la manera m en la cavidad.
20) chirrido: A la modulacin de la densidad de los portadores que
corresponde est una variacin de la amplitud de marcas ellas del
escape ese una variacin de la segunda frecuencia del la de la
emisin |