Empalmes entre los semiconductores materiales
1) relacin de Einstein:
2) ecuacin de Poisson:
3) los aumenta de Construir-En:
El poner para entrar en contacto con a p_doped con a
n_doped un travaso se tiene de las cargas para la extensin, tal
proceso viene rebelin parada de mejoras ellas de Construir-En 
donde est la concentracin n
n0 l del electrn en la regin n al equilibrio
mientras que pp0 es la
concentracin del boquete en la regin p al equilibrio.
4) amplitud de las regiones vaciadas:
La fabricacin de la aproximacin de vaciar completo y
de aplicar la ecuacin de Poisson 
y en el
fattispecie ha 
e se obtiene 
5) perno vlvula de diodo:
Entre la regin p y la regin n que viene insert una capa de semiconductor intrnseco dbil narcotizado o de se para cualquiera aplic la polarizacin resulta totalmente ser vaciada.
6) Tipologie de las alineaciones para el eterostrutture:
La alineacin de 1 tipo tiene un material apretado para abrir esa forma un agujero de mejoras ellas lugar para entrar en contacto con con un material para abrir de par en par que las formas las barreras estn para la venda de conduccin que para la venda de la valencia.
Alineacin del tipo 2 con oportuno elegido de los materiales uno del seemiconduttori de ellos pueden actuar como del agujero de mejoras ellas para los electrones y de la barrera para los boquetes.
7) modelo de Anderson y de Frensley-Kroemer:
En un eterostruttura vienen colocado para entrar en
contacto con los semiconductores con el boquete vario, el modelo de
las inspecciones previoes de Anderson que esta variacin del boquete
determina una variacin de la energa de la venda de la conduccin
igual a la diferencia de las afinidades electrnicas 
. Bosquejo de un modelo que la cuenta de la presencia
del dipolo no sostenga que se forma debido a el interfaz, de que en
lugar de otro se ve de antemano en el modelo de Frensley-Kroemer para
el cual la discontinuidad de la venda de la valencia se da 
de.
8) epitaxy y tcnicas realizzative:
El epitaxy consiste en realizar una capa cristalina fina del semiconductor material que caracterstica se determina abajo del substrato. Las tcnicas posibles son siguientes:
LEC similar al mtodo de Czochralsky
LPE que la capa cristalina crece una solucin lquida que comienza de satura diluido en un substrato cristalino
VPE el proceso del aumento se alimenta desde un vapor y por lo tanto exige altas temperaturas
El MOCVD se basa en la pirolisis de los elementos del metallorganici en la presencia del idruri
MBE de marcas nosotros moleculares viene los depsitos a usted en un substrato cristalino calentado
9) casi niveles de la firma:
En condiciones el equilibrio no tiene un nico nivel del
bensi firme 2 que viene coincidir cuando el equilibrio se coge para
arriba, tiene cio 
e
10) densidad de la corriente en la vlvula de diodo de Schockley:
dondeest la corriente el s1 l de la saturacin que cruza el empalme en el caso de la polarizacin inversa.
11) eficacia de la inyeccin electrnica:
