Fotorivelatori
1) reflector fotoelctrico externo del efecto o de la emisin:
La energa del fotn se tiene en el caso que ilumina la superficie del material se eleva suficientemente para rasgarlo al mismo material y para hacerlo libre en el vaco, tal efecto viene utilizado en el fototubi que est de los tubos a vaciar en cul emite un ctodo l los electrones que atrajeron de una corriente del campo elctrico dan al lugar a uno.
2) efecto o fotoconducibilit fotoelctrico interno:
Se introduce inverso en los empalmes polarizados que en la regin del espacio de la carga los introducen un campo elctrico elevado en una posicin a separar las cargas que vienen formado del incidente del fotn en la misma regin.
3) Largenesses que caracteriza un fotodiodo:
) la eficacia h del quantica es el Relazioneship entre el flujo de las cargas generadas para la absorcin y el incidente ptico de la energa.
b) el responsivit R dado del Relazioneship entre el fotocorrente y el incidente ptico de la energa
La relacin entre los dos largenesses es 
.
4) criterios del massimizzazione de la eficacia del quantica:
) es necesario disminuir las reflexiones del incidente superficial que la capa de no-reflejo de silice es posible tratando la superficie de una
b) para maximizar la absorcin de la capa vaci ampliarse de cuntas dimensiones posibles
c) para evitar el fotoeccita de
los portadores de las diosas de la recombinacin a usted regin que
vacia del nella, de que obtiene si se verifica 
la
relacin donde est la distancia W
1 entre la superficie de la incidencia y la zona vaciada
della que comienza.
5) PERNO de la vlvula de diodo:
El bosquejo de un empalme pn con frapposta una regin intrnseca que a las polarizaciones tpicas se vacie totalmente y por lo tanto en l es presente al campo elctrico elevado que separa las cargas.
6) vlvula de diodo de Schottky:
Es un empalme constituido de un metal y un semiconductor n-dopado, viene utilizado porque elimina la recombinacin superficial.
7) vlvulas de diodo del fotorivelatori al eterostruttura:
Los portadores presentes en la capa se vacian sobre todo al boquete apretado donde hay un campo elctrico elevado, y por lo tanto son aqu que sucede la separacin de las cargas.
8) APD:
El bosquejo de un fotodiodo que se aprovecha de la avalancha del efecto para para asociar ms portadores a un nico incidente del fotn, la calidad del dispositivo se ata a la capacidad de hacer la zona muy pequea donde est con eficacia avalancha el efecto tenida.
9) efecto del microplasma:
En la presencia de algunos puntos donde se tiene una elevacin local del campo elctrico se puede tener una avalancha prematura en el caso que el proceso de la multiplicacin no sucede de manera uniforme en toda la rea iluminada.
10) ionizacin del impacto:
Cuando la energa cintica de un portador se avanza al boquete, la posibilidad que existe el portador rinde su energa a un electrn en la venda de la valencia que lo lleva en la venda de conduccin donde por lo tanto se vienen a tener dos electrones libres mientras que tambin uno ha sido boquete formado en venda de la valencia.
11) coeficiente de ionizacin:
Es la probabilidad que el portador excita un electro'n-boquete del apoyo, es tuvo quey para los electrones y a h para los boquetes, si las dos probabilidades son casi iguales, ambos los portadores conservan el ionizzare y por lo tanto la avalancha se coge para arriba rpidamente tambin en una terminada distancia.
12) coeficiente de multiplicacin terica:
13) el coeficiente de multiplicacin los experimenta:
14) defectos del fotorivelatori al germanio:
) a las altas corrientes del buio
b) passivazione superficial difcil
c) la avalancha se comienza del tipo equivocado de portadores