Elementos de la fsica de los semiconductores
1) retculo de Bravais:
Los cristales son caracterizan a usted de una regularidad los espacian por lo tanto son posibles describir a cualquier tomo a pertenecer l por medio del portador de R =1 pero2 na3 , con de los portadores de R constituye el retculo de Bravais.
2) teorema del bloque:
En el caso slido de cristalino un hamiltoniana que es 
donde est mejoras U(r) l peridico, el
autostato uno est 
que es el producto de una onda
plana para tener trmino la misma regularidad del retculo.
3) zona de Brillouin:
Del teorema del bloque muestre eso en el caso de un retculo que l es suficiente saber el autofunzione en una zona determinada del espacio k dijo que 1 zona de Brillouin en cunto conservamos solamente a l se reduzca siempre con una traduccin en un portador del retculo mutuo.
4) caractersticas del electrn del bloque:
La velocidad del grupo de un electrn en la venda n con
el portador de la onda que k est 
, en la presencia
de fuerzas externas, el portador de la onda variada en segundo
lugar 
, 
la cantidad es el
equivalente del mpetu p al pacto para considerar tales el che eficaz
de la masa M 
.
5) caractersticas del GaAs y de:
Cristal
El GaAs se cristaliza en la estructura del zincoblenda constituido a partir de traslati de la FCC de dos retculos a lo largo de la direccin [ 111 ] de una distancia igual a la longitud del lazo. Tambin se cristaliza en la estructura del zincoblenda que coincide con aqul del diamante en cunto son iguales todos los tomos.
Vendas
Las vendas del GaAs evidencian un boquete directo, por otra parte ante el interior de la zona de Brillouin est el presente otros dos mnimos, uno a 0,3eV de anterior y el otro a 0,48eV. Uno debe en lugar de otro abrir indirecto.
Masa eficaz
La masa eficaz del GaAs es m*los = 0.067m0 y
es isotropa mientras que aqul de es anisotropic, en detalle que la
masa longitudinal vale 
mientras que la masa
seccionada transversalmente vale 
Venda de la valencia
La venda de la valencia es degenerada en el
origen, tiene en las vendas del hecho 3 caracterizadas de diferente
parabolicit, uno del boquete pesado (HH) que tiene masa eficaz 
, una del boquete ligero (LH) con la masa eficaz 
y una del boquete partio' -apagado (SABE).
6) caractersticas de compuestos ternarios:
El bosquejo de compuesto que conservan la estructura cristalina de los compuestos binarios de los cuales derivan alguno pero modifican el valor a veces y la naturaleza del boquete.
7) densidad de portadores en la degeneracin del caso de la aproximacin no:
La densidad del electrn en venda de conduccin es 
donde para la funcin de la distribucin de la
firma la aproximacin se considera la degeneracin que es que el
nivel de la firma est tenido bastantes lejos lejos de la venda de
conduccin, de tal manera que tal distribucin no se reduce aqulla
de Maxwell-Maxwell-Boltzmann y 
se tiene donde 
est la densidad eficaz de estados en la venda de
conduccin que se debe multiplicar para MC para i que tiene mnimos ms equivalentes de los
semiconductores en venda de conduccin.
De manera anloga se obtiene en la venda 
del con de la valencia 
.
8) nivel de lo intrnseco firme:
9) densidad del tomo del ionizzati:
el ser yD el nivel dispensador de aceite y y al nivel de aceptador, en detalle el curso de la densidad electrnica en la venda de la conduccin de un semiconductor narcotizado a variar de la temperatura evidencia linear un curso de aumento para las bajas temperaturas, cuando todo el donori ha sido ionizzati comienza la zona de la saturacin en la cual se tiene la concentracin que l es dopodich constante para las temperaturas siguientes al 500K que los electrones pasan de la venda de la valencia a la venda de conduccin que da el lugar a una variacin precipitada de la concentracin en esta venda.
10) ley de Matthiessen:
La movilidad es la constante de la proporcionalidad entre
el campo aplicado y la velocidad asumida de los portadores, vale 
, en el caso que en el portador ms mecanismos actan que
dispersando total de la movilidad que es 
11) aproximaciones usadas en el estudio de los efectos inducidos de la agitacin termal:
Los tomos del retculo estn conforme a la agitacin termal, para facilitar del estudio hacen las aproximaciones siguientes:
) se asume que la posicin media de tomos coincide con el retculo cristalino
b) se asume que el movimiento con respecto a la posicin del equilibrio es mucho de menor importancia con respecto a la distancia entre los tomos.
12) dispersin del fononi:
Se asume que a cada tomo del cristal un oscilador armnico es asociado, eso de lugar a las dispersiones acsticas caracteriz el curso linear adentro presionado del origen y de las dispersiones pticas caracterizados de curso casi constante, para notar que el fononi ellos es Bosoni y por lo tanto descritos de la estadstica de Bose-Einstein.
13) Tipologie de los procesos de la interaccin:
) interaccin con los defectos que desintegraciones o impurezas
b) Las interacciones con fononi estn para la deformacin que electrosttico
c) Interaccin entre los portadores
14) ecuacin de Boltzmann:
dondeest funcionamiento la k l dicho de la colisin y describe a la variacin temporal de la funcin de distribucin debido a los fenmenos de la colisin.
15) mtodo de los momentos:
Viene utiliz el teorema segn el cual el conocido de
los momentos de los infinites M de la funcin 
de la distribucin es equivalente al conocido del
f(r de la funcin de distribucin, k, t).
16) hidrodinmica de las ecuaciones:
donde est la velocidad u l media de los portadores y del W es la energa cintica media de la partcula.
16) Deriva Y Difusin Modelo:
Sigue habiendo se tiene la aproximacin introducida es
siempre en las condiciones casi staticit que est 
de tener,:
17) Velocidad De la Curva - Campo:
Para los campos inferiores hasta el 1kV/cm que todos los
semiconductores tienen un curso linear de la velocidad de los
portadores con el campo, la constante de la proporcionalidad est la
movilidad que a las bajas temperaturas se determina de la dispersin
del fononi acstico mientras que a las altas temperaturas se
determina de la dispersin del fononi ptico. Para los campos
eleva a usted, los materiales del covalenti que las GE y ellas
introducen la saturacin debido a la calefaccin de los portadores
de la parte del campo elctrico, la velocidad de la saturacin
es 
, los materiales polares como el GaAs en lugar de
otro introduce una zona a la resistencia los distingue negativa
debido al intervalle de la dispersin.
