Tecnologa de los procesos Cmos
1) oblea:
El bosquejo de un tener dimetro del disco del silicio abarcado entre los 7,5cm y los 23cm y grueso inferior hasta 1m m, se obtiene rebanando con una lmina del diamante al lingote del silicio al solo cristal que en su vuelta se obtiene con el mtodo de Czochralski. En detalle que una fusin del silicio es policristallino tenido que viene scaldata en un crisol por medio de la radiofrecuencia, fundida viene mantenido a 1425C que est a poca temperatura avanzada aqulla de fusin del silicio, viene en l sumergi un cristal del silicio que determine la direccin del lingote obtenido, viene entonces ruotato y extrado generando el lingote con ritmos del aumento entre 3cm/h y el 18cm/h.
2) mtodos de oxidacin de la oblea:
La oxidacin de la oblea sucede calefaccin ellos en una atmsfera oxidating, en detalle se tiene:
a) Oxidacin seca: la atmsfera contiene solamente el oxgeno, de ella deriva un proceso lento para el velocizzare que las temperaturas de 1200C se utilizan aproximadamente.
b) Oxidacin mojada: la atmsfera contiene el vapor del agua, un proceso deriva algn expreso para cul es suficiente una temperatura abarcada entre 900C y se obtiene 1000C.per un xido de la calidad escasa.
El xido obtenido tiene una cantidad del doble del volumen aproximadamente con respecto al volumen del silicio consumido y se ampla bastante en ambas las direcciones verticales.
3) realizacin de zonas con varias concentraciones del impurit:
a) Epitassia: viene crecido un monocristal de la pelcula que sujeta la oblea a las temperaturas y a la fuente elevadas del drogaggio del una.
b) Deposizione: viene evapor un material el narcotizar en la superficie del silicio, para seguir tiene un ciclo termal que difunda el impurit en el bulto
c) Impiantazione: la superficie del silicon viene bombardeado con los tomos del donori o tener energa elevada los accepters, a las temperaturas avanzadas a 800C tiene el impurit del delle de la extensin entre vario teniendo densidad de las zonas.
4) extensin selectiva:
La capacidad de actuar conviene de barrera en las comparaciones del dopanti del impurit introducido de algunos materiales que:
) al fotoresist
b) polisilicio
c) dixido SiO 2del silicio
d) Nitrato del pecado del silicio
En detalle vienen uso usted para realizar de las mscaras que concurren la extensin selectiva.
5) retiro del xido:
El xido viene cubierto del fotoresist, a l que viene traslap una mscara en las zonas en donde desea que permanece el xido (…positivo del fotoresist), tal protegge de la mscara el fotoresist abajo de las vigas UV y por lo tanto no se polimeriza, qu sa en lugar de otro sucede para el fotoresist no enmascarado, que se puede quitar con un disolvente orgnico, la ventana abierta por lo tanto concurre la eliminacin debajo del xido por medio de un cido con el cual en lugar de otro el fotoresist resista.
6) EBL:
La tcnica de las mscaras concurre desafortunadamente realizar lneas de la amplitud mnima iguala 0.8m m mientras que la viga de Electrom concurre llegara 0.5m m, bosquejo de uno tcnico precisa mucho y con muchas ventajas pero tambin el mucho costoso.
7) Polisilicio:
El polisilicio es una estructura en el silicio no monocristalino que es el depositar obtenido en SiO2 , bosquejo de un material que se comporte de la pantalla en las comparaciones de las extensiones del impurit y por lo tanto viene utilizado principalmente en lugar del metal para realizar que la puerta unas del MOS con la puntera a mantener por lo tanto separa a usted fuente y el dren, por otra parte el drogaggio de l reduce la resistencia a los valores muchos fondos. Polisilicio narcotizado no viene en lugar de otro utilizado para realizar las resistencias mucho arriba una en las memorias estticas.
8) nMOS de proceso:
) por medio de la mscara activa SiO 2 de la regin se elimina donde el nMOS se desea para ser observado
b) la multa del xido o el xido se deposita de la puerta que tiene un grueso de aproximadamente 100
c) deposita el polisilicio que va a formar la puerta unas
d) el xido de la puerta se elimina de las regiones donde para el impiantazione estn verdades venido entonces de las extensiones profundasn aproximadamente 1mm y concerniente a la fuente y al dren
y) un xido se deposita a menudo y posteriormente los contactos metlicos a la fuente y al dren son verdades venido
9) Tipologie Cmos realizzative:
) al n-well de proceso
b) p-well de proceso
c) Proceso de la Gemelo-Tina
d) SOI de proceso
10) n-well de proceso del Cmos:
) viene realiz la trampa n destinada para acomodar el pMOS
b) por medio de la mscara activa depositan 2SiO y pecado en las regiones donde el MOS se desea para ser observado
c) el substrato p viene p narcotizado en la zona externa a se que acomodar el nMOS y eso se cubre de pecado
d) viene a menudo xido crecido en las zonas donde hay pecado, no obstante crece es verticalmente que lateralmente dando el lugar a una forma al canaln del pjaro que reduce la regin activa pero hace la estructura plana
y) introducir una capa cargada negativamente al o'xido-silicio del interfaz que la tensin del umbral V puede ser tcambiante est del pMOS que del nMOS
f) el xido de la puerta se deposita y el polisilicio a U en cunto debe conectar la puerta dos unas
g) Vienen las extensiones realizadas n del nMOS y de p del pMOS
h) Vienen realizan los contactos, el metalization y el passivazione a usted.
i) el substrato que acomoda el nMOS viene conectado con VSS mientras que viene el n-well que acomoda el pMOS l conectado con la DDde V .
11) caractersticas del p-well de proceso del Cmos:
La realizacin es complementaria aqulla del n-well del Cmos sin embargo que considera que el transistor observado en el substrato tiene caracterstica mejor y que el pMOS ellas tiene aumento inferior con respecto al nMOS, de ella deriva que si un Cmos con el nMOS se desea y pMOS con las caractersticas equilibradas cunto la ms posible convoca para recurrir a un p-well del proceso Cmos.
12) Proceso De la Gemelo-Tina:
Una capa del epitassiale separa el substrato n de la regin sobresaliente donde se observan son el n-well para el pMOS que el p-well para el nMOS, de tal manera el latchup est prevenido y el MOS con caractersticas equilibradas est obtenido.
13) SOI:
Con la puntera para reducir los efectos del latchup y para aumentar la velocidad, el silicio de la tecnologa en aislador se ha desarrollado donde est el aislador en zaffiro bueno.
14) mejoras de la tecnologa Cmos:
con) agregado ms niveles que el metal (…en capas conectadas buenas de aluminio en medio ellas por medio de VA) y de polisilicio un desvo mejor de las alimentaciones concurre y de l las marca dej solamente en el detalle del reloj
b) la resistencia del polisilicio usado para la puerta unas est de aproximadamente 30conel , sa puede dar el lugar a retrasa el consistir en la caja de lneas largas, por lo tanto se prefiere para utilizar el silicide que es polisilicio/tantalio o una capa traslapada de silicide a una capa de silicide, en tal manera la resistencia 3 de la puerta que unas se reducenconal .
15) BiCMOS:
El bosquejo de un proceso en el cual sean actual npn de los transistores, pnp, nMOS, pMOS, es particularmente laddove usado debe ser grandes cargos pilotados y es demandas que los tiempos bajos de retrasan, sta es como ejemplo la caja de las memorias y de los autobses dados de mel processori.
16) reglas del diseo:
Bosquejo de los tiempos de las reglas para obtener el principio rendido en el rea posible mnima, a tales restricciones geomtricas de los lugares de la puntera en las mscaras y a las interacciones entre las diversas capas, pueden ser expresadas en la forma de siguiente dos usted:
) a las Micro'n-reglas
b) l- basar-reglas no pueden ser utilizadas bajo mm
17) algo disea las reglas para los procesos Cmos:
) el polisilicio esto a la puntera debe ser extendido ms all de la regin de las extensiones evitar contactos entre la fuente y el dren
b) los anillos del protector previenen el latchup, en el bosquejo particular del substrato p del nel de las extensiones p se vienen que conectaron con VSS o del substrato n del nel de las extensiones n que vienen conect con la DDde V .
18) origen y desarrollo del latchup:
El latchup es un fenmeno ms all de el cual adentro ha prevenido el desarrollo de la tecnologa Cmos, bosquejo en hecho de un parsito del circuito innato en el proceso Cmos que debajo de puerta oportuna de las condiciones al cortocircuito entre DDy V SSde V con el dao consiguiente del dispositivo Cmos, todos que est reanudado de la figura siguiente:
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En cortocircuito si es actual en el emettitore de las diapositivas del npn una, se viene al tener que su VSEA = 0,7V por lo tanto pase en la conduccin y por lo tanto resbale la corriente tambin en el emettitore, del resto la cada en Rdetermina bien Vun = -0,7V para el pnp que por lo tanto en la conduccin pasa tambin por lo tanto ulteriorly resbala la corriente ensubstrato de R y por lo tanto el npn la puerta hacia la saturacin, este sinch duro del efecto del rigenerativo no coge para arriba el disparador-punto, ms all hasta de el cual est en uno sea estable esa puerta a los holdingones para los cuales se tiene el cortocircuito. Las razones que pueden dar el lugar al latchup son por lo tanto esencialmente los extracurrents que sas que pueden ser introducidas en el I/O circulan.
19) mtodos de prevencin del latchup:
) el b se puede reducir de los dos transistores adornados a usted
b) los valores de las resistencias R manan y Rpuede ser substratoreducido
c) se puede insertar de los anillos del protector que actan como los colectores ficticios que absorben los portadores de la minora que bajan por lo tanto el aumento del npn y del pnp.
d) mucha lata s mismo del drogadicto se haga un substrato y cubrirlo con una capa del epitassiale, de tal manera reduce el valor de la resistencia del substrato
y) el R bien por medio de unopuede ser drogadicto reducido del leggermente de la capa traslapado a un pesado de la capa narcotizado.