Vlvulas de diodo, BJT, MOS y caractersticas de las puertas lgicas

Vlvula de diodo

1) ecuacin de la vlvula de diodo:

donde estV _D la tensin a los jefes de la vlvula de diodo que para el etimologia del nodo de la palabra viene asumi el positivo en el mismo, _{la D} se considera positivo si resbala del nodo hacia el ctodo, en el caso en lugar de otro que la vlvula de diodo se polariza inverso, l se cubre solamente a partir de un lo contrario que funcionaba a persona dbil_{el S} dirigi del ctodo al nodo.

 

2) los modelos le utilizan para representar la vlvula de diodo:

)       a la vlvula de diodo ideal  

Se tiene que para las tensiones de la negativa la corriente que resbala en la vlvula de diodo es 0 (…circuito abierto) mientras que si en la vlvula de diodo cualesquiera diapositivas una corriente positiva entonces la tensin a sus cabezas es 0 que es en este caso l se introduce como un cortocircuito.

b)       vlvula de diodo ideal con el generador

Para las tensiones inferiores a la tensin del umbral V_g @ 0,7V la corriente que resbala en la vlvula de diodo vale 0 mientras que si en la vlvula de diodo cualesquiera diapositivas una corriente positiva entonces la tensin a sus cabezas es V_g .

c)       Vlvula de diodo con resistencias y el generador

Para una tensin de la renta inferior a V_g la vlvula de diodo es equivalente a una resistencia del valor R mucho elevado mientras que para una tensin de la renta avanzada a V_g la vlvula de diodo es equivalente a una resistencia del valor R mucho bajo_en tener en serie un generador de la tensin del impressa igual del largeness a V_g , del generador est apagada hacia el nodo.

BJT

3) ecuaciones de Ebers "Moll y modelo relativo  :

Para escribirlo a las ecuaciones antes de que convoque para disear el circuito de Ebers Moll, en referencia particular a un BJT del tipo se hace npn, y el nodo en campo comn se disea como la serie de dos que tienen vlvulas de diodo, cada una de ellas se cruzan a partir de una corriente que las diapositivas del nodo al ctodo y tengan en paralelo un generador de la corriente con respecto de la parte posteriora del contrario_{a la D} y a indicar cunto de la corriente que cruza la otra vlvula de diodo, coge para arriba el clip opuesto. Escribirla a la ecuacin de las corrientes est al clip del colector que al clip del emettitore, obtiene s mismo:

Se observa que en la realizacin prctica a < < _{a N} en cunto se contiene la regin del emettitore l ante el interior de la regin baja y esto se contiene ante el interior de la regin de colector por lo tanto que el transistor es asimtrico.

 

4) teorema de la reciprocidad :

 

5) relaciones entre las polarizaciones de los empalmes y la modalidad de la operacin del transistor:

JSEA	JA.C.	Modalidad
Dirigido	Inverso	Activos directos
Inverso	Dirigido	Activos inversos
Dirigido	Dirigido	Saturacin
Inverso	Inverso	Prohibicin

 

6) manera de la operacin activa dirigida :

Las ecuaciones de Ebers se pueden llegar a ser ms simples - Moll en cmo mucho para el empalme del emettitore polarizado directamente dentro de parntesis sigue siendo el solo trmino del esponenziale mientras que por el empalme del colector polarizado el esponenziale dentro de parntesis es inverso respecto insignificante a 1, substituyendo la ecuacin en las corrientes_y =_{C el B} obtiene donde est el aumento esttico de la corriente del BJT.

Para esta modalidad de la operacin un modelo linear puede tambin ser definido que considera que un generador de la tensin del valor V_SER= el lugar 0.7V entre el emettitore y la base y un generador de la corriente del valor b_{D queel B} se situ entre el colector y la base.

 

7) manera de la operacin activa inversa :

Las ecuaciones de Ebers se pueden llegar a ser ms simples - Moll en cunto para el empalme del colector polarizado directamente dentro de parntesis sigue habiendo el solo trmino del esponenziale mientras que por el empalme polarizado del emettitore el esponenziale dentro de parntesis es inverso respecto insignificante a 1. Se tiene que solamente una porcin pequea del iniettata actual del bajo coge para arriba el emettitore por lo tanto est tuvo que < < 1 y tambin de ella deriva que toda la corriente que alcanza el colector viene de la base.

 

8) manera de la operacin de la prohibicin :

Se tiene que ambos los empalmes estn polarizados inverso, en las ecuaciones de Ebers "Moll puede ser esponenziali descuidado que _SEA el respecto a 1 en el parentesi se tiene por lo tanto que las corrientes que se cruzan los empalmes son infinitesimales y por lo tanto el transistor se puede asimilar a un interruptor abierto, est en la prohibicin paraV < 0,65V.

 

9) manera de la operacin de la saturacin y del modelo simplificado relativo:

En las ecuaciones Ebers de activo "Moll el esponenziali dentro de parntesis que prevalecen es respecto a 1, elaborando ellos obtiene que por lo tanto la corriente que resbala en el colector en el rgimen de la saturacin es inferior a sa que resbala hacia usted cuando se polariza en la regin, en detalle tiene por lo tanto viene utiliz el parmetro que indica el nivel de la saturacin, en el detalle para s < 0.8 est en la saturacin y _{el CE}< 0,2V de V mientras que para s> 0.85 est en la regin activa y por lo tanto V_{el CE} va resuelto del circuito. En el modelo simplificado uno tiene un generador de la tensin del lugar 0,8V entre el emettitore y la base y un generador de la tensin del valor 0,2V entre el colector y el emettitore.

MOS

10) el efecto de uno aplic la tensin de aumento en la puerta unas de un NMOS :

En un NMOS dos se tienen las trampas narcotizadas n y por lo tanto el substrato es p narcotizado, una tensin positiva quita inicialmente los boquetes que son los portadores de la mayora inmediatamente abajo de la capa al xido que crea una regin que vacia, y adentro segn tiempo recuerda a pequea minora que los portadores (…electrones libres) presentan que por lo tanto venido crear una capa llamada del canal de la revocacin, cargas en presente es donde est la capacidad a la unidad de la superficie del MOS del condensador.

 

11) efecto de una tensin positivaV _DS en el transistor NMOS :

A condicin de que se forma el canal que es que _{el GS} >V _T est tenidocorriente de V tendr en l resbalar de una_{el DS} que provoque uno cado de la tensin en el canal y por lo tanto la tensin a lo largo del canal es funcin pura del coordenada como es el valor de cargas con la revocacin a la unidad de la superficie que se multiplica para el rea de W de una seccin del canal y para la movilidad m una expresin para la corriente se obtiene que la cruza que concurra definir la resistencia las distingue del canal para la una seccin genrica en una distancia x de la fuente y para un dx de la longitud de el cual se obtenga integrar la relacin que expresa la corriente que resbala entre el dren y la fuente en la funcin de las tensiones aplicadas adonde . La relacin es vlida para un NMOS que no est en la saturacin que est para cul tiene y , cuando en lugar de otro el canal est al lmite entre la revocacin y el vaciar mientras que para el canal se estrangula al ridosso del dren la situacin se obtiene que es equivalente a tener un MOS al lmite entre vaciar y la revocacin pero con una longitud del canal inferior, la tensin aplicada a los jefes del canal a la alta resistencia es mucho arriba uno y que determina el paso de una corriente constante, est en la regin de la saturacin en cuntoes independiente _{el DS} da V_{el DS} pero depende a solas de V_{el GS} .

 

12) efecto de la temperatura en_{el DS} :

Se tiene que V_T disminuye de 2,5mV/C al crecimiento de la temperatura mientras que el efecto de k _i disminuye en cunto disminuye la movilidad de los portadoresm de i este ltimo que es predominante.

 

Familias lgicas

13) significado de smbolos de i V_OL , V_OH , V , V_IH y condiciones de funcionamiento relativas relativas a los mrgenes del ruido:

V_OL indica la tensin mxima del correspondiente del escape al nivel bajo

V_{el OH} indica la tensin mnima del correspondiente del escape al alto nivel

V indica la tensin mxima de la renta que viene asociado al nivel bajo

V_IH indica la tensin mnima de la renta que viene asociado al alto nivel

para la operacin corregida varias de puertas conectadas la totalidad debe ser V tenido_OL < V y tambin V_OH > V_IH .

De acuerdo con las condiciones anteriores los mrgenes del ruido e se definen que caracteriza la cantidad del ruido que se puede agregar a la tensin de la renta fuera para provocar un error.

 

14) poca de la conmutacin:

Es el tiempo necesario para pasar a partir de la 10% del valor al rgimen hasta el 90% de el mismo en el caso est considerando una transicin del nivel baja al alto nivel mientras que si una transicin del alto nivel al nivel bajo se est considerando la poca de la conmutacin es el tiempo necesario para pasar a partir la 90% a el 10% del valor los comienza. Mucho importante es una poca que sino l no lleva a cabo la cuenta del tiempo empleado de la puerta para exceder el transitorio y coger para arriba el 10%.

 

15) retrasa de la conmutacin:

Es el tiempo que transcurre entre el momento en el cual la renta l asume el 50% de sus dinmicas y el momento en los cuales la misma variacin l aparece en dinmica del escape.

 

16) disipacin de la energa en un circuito digital ellos:

donde est la frecuencia f _c del trabajo del circuito mientras que esp _c la probabilidad que es una conmutacin mientras que se inserta el trmino porque la conmutacin de H®L que descarga el condensador del cargo no exige energa de la alimentacin.