MOS Del Transistor
1) describe la estructura de un NMOS al enriquecimiento:
Se tiene Un MOS del condensador constituy de un metal, un xido y una a p_doped, xido del della de las cabezas del ai tenemos dos clips conectados n narcotizados del ai de las regiones del dren y de la fuente, se tiene la aplicacin de una puerta positiva del al de la tensin que en una primera vez abajo la regin se vacie de boquetes despus de lo cual el al a crecer de VG se llega a tener un canal de los portadores de la minora que concurra el dren del al de la fuente del dal del flujo del electrn.
2) anlisis aproximadodel DS con el control de cargas:
La corrientela D que
resbala en el canal se da simplemente del Relazioneship entre las
cargas Qn y el tiempo trde T que emplea para cruzar el
canal, en detalle tiene 
mientras que 
substituye la ha 
3) anlisis completodel DS con el control de cargas:
En este caso la cada no se descuida de mejoras ellas que
est tenida a lo largo del canal, no obstante para simplificar el
trattazione utiliza la aproximacin del gradual-canal en segundo
lugar que los campos en la direccin y (…del dren a la
fuente) son infinitesimales con respecto a se ellos se tienen en la
direccin x (…de la puerta unas al bulto) por otra parte
se asume que la longitud del L canal es mayor de la longitud de la
regin de vaciar al dren. La cada de mejoras ante el interior
de una caracterstica del tener resistencia del canal R son 
donde 
el substituir se obtiene 
, integrando para la separacin las variables y substituir
el valor de mn 
es bosquejo obtenido de las parbolas que expresanla D a variar de VG sin embargo que tienen solamente
valor para VDS < VG "VT ms all en hecho implican una conductancia improbable
lo distinguen negativa y carga no negativo en el canal. Sin
embargo para Vse tiene el DS
>V G "V T que el canal se interrumpa
cerca del dren y por lo tanto una fortaleza es el campo elctrico
creado que hace sa la velocidad de los portadores es mxima y la
constante por lo tantoel DS es constante e insensible a Vel DS su valor en esta regin de la operacin est en
hecho 
.
4) determinacin de VT :
El NMOS en la saturacin es cortocircuitando puesto la
puerta con el dren, por lo tanto del bosquejo de
recto puede 
ser diseado a la caracterstica de variar de V D que interseque la abscisa en VT y que cuesta se pueda utilizar para determinar movilidad.
5) Efecto Del Cuerpo:
En cuanto a la determinacin de VT tambin en este caso el NMOS en la saturacin es
cortocircuitando colocado que la puerta con el dren por otra parte
aplica una tensin VB al bulto,
a su se tiene crecer que el recto a el cual representa a variar del traslade V D en paralelo si iguales y por lo tanto al
crecimiento de VB l aumente
tambin VT .
5) Transconduttanza:
Puede ser calculado derivando el ID con respecto a VG obtiene 
por VD < VS sentado .
6) poca del trnsito:
La poca del trnsito en el canal de un MOS en tener
saturacin se obtiene la fuente a formarse se estima con 
el integral 
donde yla
PU de V C a ser resolucin ganada para
la separacin de la variable la ecuacin los distingue 
, que la substituy e integr provee 
.
7) CMOS:
Es un circuito constituido de un PMOS y tener NMOS el dren en campo comn mientras que la fuente del PMOS est a VSS mientras que la fuente del NMOS es formarse, la puerta en lugar de otro es cortocircuita a usted y l vienen las marcas aplicadas l de la renta mientras que el escape se toma en el dren. La caracterstica principal de esta configuracin es que una del MOS dos absorbe solamente la corriente durante las conmutaciones en cunto es alternativomente interdetto y el otro est en la regin activa.
