Tecnologa Del Silicio

1) qumicas de la caracterstica a la base de sucedida del sistema "SiO₂ :

)       con el cido del idrofluorico el silicio se puede ser dixido disuelto del silicio e ir intacto

b)       el dixido del silicio se puede utilizar para blindar un cristal del silicio de los tomos bombardeados del ionizzanti

 

2) proceso a deslizarse abajo:

La produccin del circuito integrado sucede con los pasos siguientes:

)       a la creacin del polisilicio

El dixido del silicio y del carbn viene scaldati a 2000C en un horno, se obtiene del silicio puro hasta el 90%, l viene entonces convertido en el triclorosilano que entonces viene destilado obteniendo el silicio al de estado slido dicho del polisilicio en cunto constituy de cristales pequeos con la direccin del randomica.

b)       Produccin de un solo cristal que tiene dimetro de el aproximadamente 10cm

b1) Tcnico de Czochralski

El polisilicio viene llevado a una temperatura del correspondiente 1412C al punto de fusin del silicio, despus de lo cual una semilla del silicio con la direccin intencional viene ruotando del immesso en la fusin mientras que el crisol rueda adentro la direccin opuesta, el cristal viene poco al tiempo extrado de la fusin, y se refresca de crear un cilindro del semiconductor puro y se orienta correctamente.

b2) Tcnico de zonas del flotador

El cilindro del polisilicio viene hecho al ruotare y calentado con una fuente RF a la licencia del fondo donde hay la semilla en la orden entonces a ir para arriba hacia el colmo.

c)       Produccin de la oblea

Despus que se ha creado el solo cristal viene mannered por medio de crear del diamante de la oblea dicha de las rebanadas

d)       Oxidacin de la oblea

El silicio viene oxidado de la manera que puede ser laddove blindado no se desea es drogadicto, los mtodos para oxidarlo es siguiente:

) oxidacin termal d1

El lugar de la oblea en un tubo del cuarzo viene lugar ante el interior de un horno que produzca una temperatura abarcada entre 850C y 1000C, en el tubo viene oxgeno soplado

d2) Deposicin

Se tiene que oxgeno y silicio venir convogliati en la superficie de la oblea y reaccionarlos

para aumentar la velocidad de la oxidacin a la temperatura o a la presin puede ser aumentado

y)       Litografia

Despus que se ha oxidado la oblea es necesario quitar el xido de las regiones que deben ser drogadictos, a tal puntera que la oblea se cubre con un polmero llamado resiste y en ella una mscara alineada a travs del microscopio se pone, en el caso de un positivo del resistir, no el subiranno enmascarado las reas el ataque de las vigas del ultravioleta que interrumpen los lazos entre las molculas y por lo tanto se disuelven usando un disolvente. A este punto las regiones protegen contra el resistir no vienen disciolte en el HF del cido que el silicio en esas zonas elimina el xido que trae de nuevo a la luz en la cual debe aguantar el drogaggio.

f)        Drogaggio

Antes de que suceda el impiantazione los jnicos que consista en castigar de las reas descubiertas de la oblea con las jnicas acelere de un campo elctrico a usted abarcara entre el 25keV y 200keV los jnicos de tal manera penetran para 1mm en alterarse del silicio pesado la estructura regular de la misma que pero vienen restaurado por medio de una calefaccin a 1000C que concurre la extensin las jnicas.

g)       Cvd

El bosquejo de un procedimiento que concurra crear de las capas de silicio o el aislador encima a la oblea que viene lugar ante el interior de un horno calent a 1000C por medio del RF en el cual viene soplado un gas SiCL₄ que est descompuesto en la superficie de la oblea que crea la capa deseada, el proceso es epitassiale dicho y puede crear una capa con un drogaggio ms pequeo del abajo o para los usos particulares uno puede ser capa o polisilicio depositada del xido.

h)       Metalization

Es antes de que sea necesario quitar el xido del silicio de los puntos en los cuales el contacto metlico con el silicio se exige, despus de lo cual uno es vaporizzando de aluminio depositado de la capa una fuente slida por medio de Electro'n-Viga o de la farfulla. La capa de aluminio viene laddove por lo tanto eliminado no se exige por medio de photolitograph y finalmente el lugar de la oblea en un horno a 450C viene adonde sucede un buen contacto del ohmmico la fusin del aluminio en garantizar del silicio.

i)         Prueba e impacchettamento

Una prueba preliminar se realiza antes en la oblea despus de lo cual se subdivide en las virutas que trasero est fijado a la cubierta y vienen los contactos metalizan a usted conectan con usted con el piedini despus de lo cual la viruta que viene aislado con el plstico, el metal o la cermica.

 

3) Litografia con las partculas cargadas:

)       a electrnico

Se tiene una fuente del electrn que genera tener dimetro del paquete mucho pequeo, l va a registrar un electrnico resiste que los actos como de la mscara, no obstante en el resistir para va de la forma de la extensin tenga gusto de una pera que resulte ptimo en cunto no llega el metal que viene depositado posteriormente para entrar en contacto con con el resistir que cuando viene eliminado llevara de otra manera va tambin el metal para entrar en contacto con.

El procedimiento es el mucho lento en cunto computadora debe dirigir el paquete electrnico y elimina el punto del resistir para el punto, no obstante la precisin se obtiene que est elevando mucho y exactamente concurre realizar mscaras que entonces venido utilizado en el photolitograph.

b) inico

 

4) El Hacer un tnel De Litografia:

Es verdad venido por medio de uno dirigi de diapositivas del tungsteno que viene correo a una distancia de aproximadamente 10A del resistir, porque del efecto de Tunnell una corriente que registre el resistir. Es una tecnologa exacta mucho pero retarda uno.

 

5) realizacin de los contactos hmicos hacia el piedini externo:

)       a la soldadura termal

Un canaln se tiene en el cual el alambre envuelto en un carrete resbala, con un fiammella del oxgeno crea una pequea bola que entonces venga machacado en el dado llevado a la temperatura de 400C, el canaln se mueve en el piedino y realiza posteriormente la otra conexin.

b)       soldando con autgena a los ultrasonidos

El canaln con el hoyo se pone al contacto despus de lo cual comienzan los ultrasonidos (100kHz) que dejado fuera del aire del espacio abarcado entre dos los superficiales, l se vienen por lo tanto crear un contacto ptimo.