Electrnica del semiconductor

1) efecto del acercamiento de dos tomos:

Cada tomo posee de los electrones que pueden poseer solamente determinan niveles a usted de la energa, cuando se acercan dos tomos tienen que cada nivel de la energa viene splittato en dos varios niveles uno a un nivel que dice ms bajo de la energa que valencia y uno a un nivel que dice ms alto de la energa que la conduccin. Si tenemos tomos de N, se vienen para constituir el ciascuna de dos vendas constituido de los niveles de N en los cuales puede alojar los electrones 2N en cunto para el principio de la exclusin de Pauli, en a el mismo nivel de la energa usted puede ser 2 electrones que el purch tiene vuelta enfrente de.

Si bosquejo de un metal que tenemos ourselves que solamente la mitad de la nica venda est llenada encima de mientras que en el caso de un semiconductor la venda de la valencia es llena mientras que la venda de conduccin es vaca.

 

2) boquete:

El boquete es una comodidad en la orden para describir la corriente en la venda de la valencia ambiente en hecho a la temperatura tiene que algunos electrones pasan de la venda de la valencia a la venda de conduccin, el irse de los lugares libres en venda de la valencia y un movimiento a la cadena de electrones est tenido en la orden para llenarlos para arriba, deseando describir la corriente tendra describir el movimiento de una n lo ms arriba posible de electrones en lugar de otro si consideramos boquetes, tendr describir el movimiento de n la mucho ms pequea que los portadores.

 

3) semiconductor intrnseco:

Es un semiconductor para el cual la n de electrones en venda de conduccin l es igual al nmero del boquete en venda de la valencia, los largenesses divulgados a l tiene del pedice acostumbrado i.

 

4) N-Dopado:

Es un semiconductor narcotizado con el pentavalenti del impurit (…como el fsforo) que se va para substituir en el retculo a los tomos del silicio, por lo tanto l formar ciascuna 4 lazos del covalenti y por lo tanto habr un electrn a el cual bastante una energa pequea de aplicacin para el sottrarlo al donore que por lo tanto se convierte en un positivo del ione. En la carta de venda por lo tanto tendremos un Donante-Nivel situado a 0,05eV de la venda de conduccin y a la temperatura ambiente todos los electrones provistos del donori sern encontrados ya en venda de conduccin. Para este tipo de semiconductor los portadores de la mayora son los electrones.

 

5) P-Dopado:

Es un semiconductor narcotizado con el trivalenti del impurit (…como el boro) que se va para substituir en el retculo a los tomos del silicio, por lo tanto l formar ciascuna 3 lazos del covalenti y por lo tanto habr un lazo incompleto que recordar electrones de los tomos cercanos que obtienen por lo tanto una negativa del ione. En la carta de venda tendremos un Aceptador-Nivel situado a 0,05eV sobre la venda de la valencia y a la temperatura ambiente este nivel ser llenado ya para arriba de venir de electrones de la venda de la valencia en la cual por lo tanto habr de los boquetes que concurren el flujo de una corriente, por lo tanto son los portadores de la mayora.

 

6) equilibrio termal:

Es una situacin en la cual cada proceso que es equilibrado su inverso, de que est es un equilibrio dinmico

 

7) ley de la accin de la masa:

np = n^{los 2}

donde est la concentracin n l del electrn en venda de conduccin, p es la concentracin del boquete en venda de la valencia y n es la concentracin del electrn en la venda de la valencia para un semiconductor intrnseco, es constante y variado solamente con la temperatura.

 

8) funcin de la distribucin firme de Dirac:

Es una funcin de distribucin que llevando a cabo la cuenta del principio de la exclusin de Pauli provee la probabilidad que un electrn a uno dado temperatura posee una energa y, l es: , en detalle vale para la energa de la firma. Se observa que para T=0K los estados con una energa ms pequea de y_f son toda cargas completas mientras que los estados con mayor energa de y_f son toda los vacos.

 

9) densidad de estados al borde de la venda de la conduccin y de la venda de la valencia:

La distribucin de Fermi-Dirac-Dirac de para si no dice mucho, debe ser asociada a una distribucin que describa la densidad de estados est en la venda de la valencia que en venda de conduccin, en verdad nosotros bastantes para considerar el borde ambas las vendas en cunto como un ejemplo para la venda de conduccin l ser popolata de pequeos electrones en cunto est sobre el nivel de la firma, las dos densidades es el pertanto e , diferencian solamente para la masa y por lo tanto la N eficaces_c @ N_v .

 

10) concentracin del electrn en venda de conduccin:

Siendo mucho poco los electrones en venda de conduccin, pensamos todos a ellas los concentrados a usted en el borde donde est N la densidad de estados_c , y la funcin de Fermi-Dirac-Dirac se reduce a un exponencial, por lo tanto .

 

11) concentracin del boquete en venda de la valencia:

Siendo mucho poco los boquetes en venda de la valencia, pensamos que todos a ellos se concentraron en el borde donde est N la densidad de estados_v , y la funcin de Fermi-Dirac-Dirac se reduce a un exponencial, por lo tanto .

 

12) semiconductor degenerado:

El bosquejo de un semiconductor narcotizado mucho pesado, porque un p-tipo sern tenidos que el nivel de la firma y_{de f} es ante el interior de la venda de la valencia mientras que para el n-tipo un nivel de la firma est ante el interior de la venda de conduccin, habla sobre el semiconductor degener en como cunto se concurren los estados son muchos vecinos al nivel de la firma suceden para los metales.

 

13) Casi-niveles de la firma:

El nivel de la firma se define solamente en el caso del equilibrio termal, si en lugar de otro el semiconductor es subordinado como un ejemplo al incidente de la cancelacin est en un equilibrio de la condicin no y dos niveles de firma se tienen, una para los electrones y uno para el lacune por otra parte la ley de la accin de la masa no se verifica ms pero resulta ser funcin ms all de el de la temperatura tambin de la diferencia de la energa entre los dos niveles de la firma

 

14) Fotogenerazione:

Se tiene que si un fotn con por lo menos energa igual al valor de los expedientes del energi'a-boquete en un semiconductor, l rinde energa a un electrn que por lo tanto se mueva desde la venda de la valencia a la venda de conduccin, genera naturalmente en la venda de la valencia ugual un nmero del boquete.

 

15) efectos del pesado-doping:

Uno es reduccin tenida del energi'a-boquete entre la venda de la valencia y la venda de la conduccin.

 

16) velocidad de la deriva:

Los electrones en un cristal estn conforme a una velocidad termal que tiene direccin del randomica, est elevando mucho y muy al sispetto del superire a la velocidad de la deriva que es aqul en la direccin de un campo elctrico y de un vendedor menor.

 

17) movilidad:

Es la constante de la proporcionalidad entre la velocidad de la deriva de los portadores y el campo elctrico y se lo determina, su valor que es donde est la poca _{el cn} de t l de dispersar medio y que es independiente del campo aplicado.

La dependencia de la movilidad de la temperatura es

Las razones de esta dependencia son de buscarse en la dispersin en hecho se tienen:

)       hay una transferencia de la energa que usted da a las vibraciones debidas del alle del retculo del al de los portadores que realiza para causar a temperatura del della, estas vibraciones puede ser entendimiento como golpes con fononi de las llamadas de las partculas del delle, se tiene que el al para crecer temperatura del della ellas aumenta las vibraciones por lo tanto la aumenta golpea y disminuye movilidad a l tiene gusto de T^{- n} con n que asuma los valores abarcados entre 1.66 y 3, de 2.5 generalmente.

b)       Dispersando con el ionizzate del impurit, que efecto sobre movilidad se convierte al crecimiento de la temperatura en cunto siguen siendo los movimientos menos importantes de los portadores ma's fastly y por lo tanto ellos poco en tiempo de la orden en presionados del impurit.

c)       Dispersin de colisiones indeseadas con el impurit o los defectos del cristal.

Cada uno de estos procesos se caracteriza a partir de una constante del tiempo t_i , la movilidad resulta ser dominada del proceso que tiene la constante ms pequea del tiempo, pozo que se tiene que a las bajas temperaturas la movilidad aumenta al crecimiento de la temperatura en cunto predomina el efecto a) mientras que a las altas temperaturas predomina el efecto b) y por lo tanto la movilidad disminuye al crecimiento de la temperatura.

 

18) limitacin de velocidad:

Al crecimiento del campo elctrico aplicado, uno tiene un aumento de la velocidad de los portadores, pero ste hasta coger encima de la velocidad limitadora ms all de la cual comienza el efecto de un nuevo mecanismo de la dispersin.

 

19) corriente de la extensin:

En los semiconductores que tienen la conductividad no ms alta, encuentra importancia tambin la corriente de la extensin, que es laddove establecido existe una diferencia de la concentracin de portadores entre dos zonas del semiconductor, se observa que en los metales donde est la ms alta la conductividad, esta corriente no viene considerado.