Empalme Pn
1) el anlisis de un semiconductor narcotiz de manera arbitraria:
La presencia de un gradiente de la concentracin de
portadores da al lugar a una corriente de extensin de la regin a
la mayor concentracin hacia la regin a una concentracin ms
pequea, los portadores que se mueven por la licencia las jnicas de
la muestra opuesta, la distribucin de las cargas que se obtiene da
al lugar a un campo elctrico que oponga al flujo ms ulterior del
electrn por lo tanto al equilibrio que el semiconductor se
caracteriza de una concentracin variable inmvil de portadores con
la posicin y de l que los aumenta de Construir-En. La
presencia de un campo elctrico deduce fcil observando eso en las
cartas de venda la energa que separa el nivel de la firma de la
venda de conduccin es energa las aumenta mientras que la
diferencia de la energa entre la venda de la conduccin y de la
energa del electrn es energa cintica de esta ltima, por lo
tanto definirlas como mejoras 
y recordar la relacin
entre ella las aumenta y el campo tiene 
en cunto yf l es constante en un
semiconductor al equilibrio termal y por lo tanto su derivado es nulo
mientras que y se encuentra al centro entre la venda
de la valencia y venda de conduccin y por lo tanto vara si
el semiconductor tiene drogaggio variable.
Al equilibrio termal la corriente que las diapositivas en
el semiconductor deben ser en la falta de informacin media por lo
tanto de la ecuacin del ottiene 
del resto 
que es s mismo de la deriva y de la difusin 
uguagliando los dos encontr expresiones para obtener 
eso integrada entre dos puntos a la varia
concentracin que provee 
o en forma
exponencial 
.
2) ecuacin de Poisson para un semiconductor con un drogaggio genrico y su simplificacin:
donde 
se ha substituido
e. La ecuacin no es soluble en el caso general por
lo tanto viene a menudo adopt dos simplificaciones:
) aproximacin de la casi-neutralidad, en cortocircuito se asume que la concentracin de portadores es pressoche igual a la concentracin de las impurezas, nunca es vlida cunto en el bulto a donde por lo tanto al segundo del drogaggio del semiconductor ha n = oppurede N d p = N .
b) Aproximacin del agotamiento, inspecciones previoes que la concentracin de portadores libres es mucho inferior a la concentracin de las impurezas del ionizzate, en sostanza n < < oppurede N d p < < Na .
3) empalme PN al equilibrio termal:
Cuando a p_doped se pone al contacto con a n_doped tiene
una variacin precipitada del drogaggio en la correspondencia del
empalme por lo tanto tiene un flujo del electrn de la regin n a la
regin p y un flujo del boquete en contrario detrs, por lo tanto en
las regiones del origen sigue habiendo las jnicas que generan un
campo elctrico que se oponga a la extensin ms ulterior de
cargas. Para analizar esta situacin la aproximacin es casi
usada neutralidad en el bulto y la aproximacin del agotamiento en la
regin de cargas las espacia correo al ridosso del empalme, en ella
por lo tanto que la ecuacin de Poisson se reduce a 
, de aplicaciones para encontrarlo el campo elctrico.
En n_doped la N= 0 por lo tanto 
que la integraba para 0 < x < xn que est en la regin de cargas las espacia de
n_doped tiene 
, anlogo para p_doped los hallazgos 
por lo tanto que tienen que ser el campo continuo en
el origen no podra admitir de otra manera mejoras ellas, encuentra 
la relacin en el cortocircuito que extensin pues
el semiconductor narcotizado principalmente tiene una extensin ms
pequea de la regin del agotamiento.
Integrar el campo ulteriorly que se obtiene en n_doped
mejoras ellas 
mientras que adentro p_doped 
donde estni x
ny x p lo
aumenta a los finales de la regin del agotamiento y su diferencia
corresponde a las mejoras ellas de Built_In 
.
4) las aumenta Construir-En para de un empalme p n:
esto porque en el caso de un semiconductor mucho drogadicto el nivel de la firma es mucho vecino a una de las dos vendas.
5) empalmes polarizados PN inverso:
Aplicndose a una polarizacin inversa que est del
generador en la regin n las dimensiones de la regin del
agotamiento se aumentan, porque en hecho tiene 
como
tambin el campo elctrico para el cual 
se tiene
mientras que la capacidad disminuye en cunto sale las armaduras,
tiene 
que es la capacidad clsica para las marcas
pequeas ellas.
Naturalmente desde el aumento de lo contrario de la polarizacin aumenta al campo elctrico, un cierto fenmeno debe suceder o practicar una abertura que usted limita la operacin, en detalle antes de que la abertura del dispositivo los efectos siguientes pueda ser introducida:
El efecto Valanga el campo elctrico aplicado acelera un portador libre que resuelva con un tomo y de libre un electrn de la valencia. A la continuacin de la colisin 3 los portadores tienen ellos mismos, dos electrones y un boquete que vienen acelera del campo nuevamente que da a lugar usted a otros golpes.
El efecto Zener si el semiconductor es mucha verificacin del drogadicto el efecto de Zener antes de la avalancha del efecto, en el detalle se tiene que que es la regin de ella carga espacios ellos mucho pequeos, el campo elctrico as que se eleva para interrumpir de los lazos del covalenti y para crear del electro'n-boquete de los apoyos.
