Vlvulas de diodo especiales
1) vlvula de diodo de Gunn:
El alto es una vlvula de diodo usada para crear impulsos a la frecuencia se constituye mucho de un semiconductor del tipo GaAs con observado n con el ctodo para formarse y el nodo alimentado por medio de una resistencia variable, por medio de capturas de un condensador los impulsos del escape aqu. El GaAs es un semiconductor con un boquete directo y un boquete indirecto del segundo valor elevado por lo tanto del campo elctrico que aplicamos tenemos dos varios mobilities por lo tanto dos varias conductividades en detalle al crecimiento del campo y disminuimos la conductividad en cunto aumenta la masa eficaz.
Suponemos que estn venidas para crear dos distribuciones de los paralelos positivos de las cargas, ellas daamos el lugar a 2 campos elctricos locales de los cuales una suma al campo externo que est al lado del campo crtico y se desfalca el otro se tiene por lo tanto como ejemplo que los electrones son ms discos de una vlvula que sos detrs, cree un tapn que d el lugar a un impulso.
2) regazos:
El bosquejo de un MOS del condensador en el cual viene cre la regin que vaciaba, el fotn que los expedientes en ella dan al lugar a un electro'n-boquete del apoyo que venga aguantado separado del campo que da el lugar a un impulso actual que venga capturado del lado del metal por medio de un condensador.
3) Fotodiodo:
El bosquejo de un empalme polarizado PN inverso, la
ecuacin est 
en ausencia del fotn tiene la
corriente del buio que es negativa, si en lugar de otro registran de
fotones, debe ser agregada una corrienteel S a la corriente del buio en detalle que la intensidad de
esta corriente es mxima si el fotn golpea apenas en la
correspondencia del empalme y disminuye salir de esto porque aumenta
la probabilidad que el portador creado recombina s mismo de la
minora antes de coger encima del empalme.
El empalme PN se observa con una regin p enrarece mucho
uno, la corrienteel S se obtiene
que es 
4) tnel de la vlvula de diodo:
El bosquejo de un empalme PN en el cual ambas las regiones sean muchos drogadictos, de tal manera que la regin de cargas las espacia es infinitesimal, un cierto nm, y por lo tanto usted l puede ser paso del electrn para que el sbisogna del tnel del efecto sin embargo lleve a cabo cuenta que los electrones a los cuales se permite eso l son sos abarcados entre el nivel de la firma y la venda de la valencia del n_doped y puede hacer solamente un salto a la energa constante hacia los boquetes abarcados entre la venda de la valencia y el nivel de la firma del p_doped. Se tiene que polarizando inverso las dos vendas no estn traslapadas mientras que la polarizacin directamente se puede llegar a tener el mximo de la superposicin.
La caracterstica del diodo introduce una caracterstica a la cuesta negativa por lo tanto a la resistencia las distingue la negativa que viene utilizado para realizar el tipologie 3 del oscilador:
a) monostabile el recto de cargo interseca la caracterstica en una caracterstica a la cuesta positiva
b) bistabile el recto de cargo interseca la caracterstica en 3 puntos de los cuales solamente sos en las caractersticas de la caracterstica a la cuesta positiva correspondan al equilibrio estable.
c) astabile el recto de cargo resuelve la caracterstica en la caracterstica a la cuesta negativa.
5) tnel del risonante de la vlvula de diodo:
Se constituye del GaAs alternado a AlGaAs debe ser hecho de modo que haya un nico estado disponible y se sea el actuar obtenido en la distancia.
6) vlvula de diodo conducida:
El bosquejo de un empalme PN observado con un semiconductor al boquete dirigido como el GaAs, polarizando directamente tiene un paso del electrn de la venda de la conduccin a la venda de la valencia con consiguiente teniendo emisin del fotn que la fase accidental por lo tanto obtiene una fuente de la luz incoherente.