Cartas de venda

1) estructura del silicio y del diamante:

En la cscara interna del diamante hay 2 electrones en el nivel de la energa 1s, mientras que segn cscara se constituye a partir de dos electrones en el nivel de la energa 2s y otros 6 en el nivel de la energa 2p. El silicio entonces tiene una tercera cscara constituida a partir de 2 electrones en el estado 3s y de 2 electrones en el estado 3p.

 

2) niveles enrgios del diamante a disminuir del parmetro reticular:

Uno se tiene encima de se los niveles 2s y la reunin 2p bajo que crea una venda de valencia constituida de 4N sea, la venda de la conduccin tambin que constituy de 4N est y en medios una venda prohibida. notarla que tambin degenera el nivel 1s dando a lugar de las vendas prohibidas por otra parte al 0K la venda de conduccin es vaca mientras que la venda de la valencia es llena.

El valor del boquete es funcin del tipo de drogaggio del semiconductor.

 

3) factor de Boltzman:

 

4) Funcin De Fermi-Dirac-Dirac:

 

5) densidad de estados:

 

6) concentracin intrnseca de electrones y de boquetes:

a la temperatura ambiente (300K) vale 2.5*10¹⁹ .

 

7) nivel de la firma:

es interesante notar que el nivel de la firma est encontrado exactamente a la mitad del boquete de energa en el caso que la masa del boquete es igual a la masa del electrn.

 

8) energa de la firma en el caso de un semiconductor narcotizado:

se observa por lo tanto eso en el caso del drogaggio del tipo p que el nivel de la firma se mueve hacia la venda de la valencia mientras que en el caso del drogaggio del tipo n el nivel de la firma se mueve hacia la venda de conduccin.

 

9) deriva separado y de las ecuaciones:

 

10) relacin de Einstein:

 

11) efecto de la interseccin entre el nivel firme de la firma y el nivel de lo intrnseco :

Se tiene que la regin en la cual el nivel de lo intrnseco firme que encuentra al disotto del nivel de la firma viene zona llamada de la revocacin en como cunto es si ms l no fueron narcotizadas que p pero del tipo n.

 

12) efecto de la interseccin entre el nivel de la firma y la venda de la conduccin :

En la regin en la cual el nivel de la firma se encuentra sobre la venda de conduccin que crea el un gas supuesto del elettroni que rinde el semiconductor de todo el similar a un metal.

 

13) realizacin de una carta de venda:

)       disearla coloca de lado a lado el relati enrgio de los niveles a usted a los varios materiales y caracterizar las distancias que deben permanecer sin cambiar en detalle en el semiconductor del metal del contacto debe seguir siendo boquete de energa sin cambios del semiconductor y de la distancia del nivel de la firma del metal con respecto a la venda de la conduccin y a la venda de la valencia del semiconductor mientras que en el contacto entre dos semiconductores los valores de la energa dos deben seguir siendo boquete sin cambios, la distancia entre las dos vendas de la conduccin y la distancia entre las dos vendas de la valencia.

b)       Para disear la parte posteriora en la cual los electrones que es del material con la energa elevada de la firma hacia aqulla con energa de la diapositiva firme ms ms tierra baja.

c)       De acuerdo con la parte posteriora en la cual los electrones resbalan para determinarse si las vendas en la determinacin material se levantan o se bajan, en el detalle si los electrones van lejos de un tipo semiconductor n se tienen que en la correspondencia del empalme l si de l el impoverisce y por lo tanto el nivel de la firma baja que es los acercamientos s mismo que uno de un semiconductor intrnseco, teniendo pero l para seguir siendo firme tiene s mismo que la venda de conduccin debe ir lejos de ella que deba para levantarse. Anlogo si los electrones fluyen en el tipo semiconductor p, si enriquece alguno y por lo tanto se tiene que el nivel de la firma acerca aqul de un semiconductor intrnseco que sea la venda de conduccin vaya lejos del nivel de la firma y del tenerlo a seguir siendo firme, la venda de conduccin se baja.

d)       Para disear el nivel de lo intrnseco firme abarcado siempre entre la venda de la valencia y la venda de la conduccin

y)       caracterizar la regin de la transicin donde las vendas comienzan a doblarse, eventual ante su interior la regin de la revocacin firme se tiene que cuando el nivel de lo intrnseco interseca el nivel de la firma, eventual ante su interior la regin de la degeneracin en de la cual la venda de la conduccin firme cruza un nivel (…gas del electrn) o la venda de la valencia firme cruza el nivel de (…gas del boquete).

f)        Disear el diagrama de la densidad de l carga traer detrs las zonas identificadas al punto y) y caracterizando la regin de la transicin con ella las cargas fijaron el positivo en el caso de un tipo semiconductor n y la negativa en el caso de un tipo semiconductor p, mientras que las regiones de la revocacin se caracterizan de los muebles cargados al curso exponencial finalmente la regin de la degeneracin es mucho pequea y caracterizada de ella carga fijo. El metal entonces se tiene que para el repulsione introduce cargas dispuso todo uno en la tal superficie de faying y hacer el material totalmente neutral.

g)       Para disear a diagrama de elctrico campo trayendo detrs zona indicado a punto y) y recordando que el campo elctrico es el integral de la carga para el cual en la regin de la transicin donde se tiene carga fijo tiene recto, en la regin de la revocacin donde est pedazo tenido de las cargas de muebles al curso exponencial, el campo elctrico lo tiene tambin curso exponencial y en la regin del contacto entre dos varios semiconductores que tienen que ser respetados la conservacin del movimiento del portador D, una discontinuidad del campo elctrico debe ser tenido.

h)       Disear el diagrama de l aumenta traerles detrs las zonas indicadas al punto y) y recordar que ella las aumenta se obtiene que integra el campo elctrico y el cambiandogli de la muestra por lo tanto en la regin de la transicin donde est el campo elctrico recto, ella los aumenta es una parbola mientras que en la regin de la revocacin donde est un exponencial el campo elctrico, los aumenta es tambin exponencial l pero con la muestra opuesta finalmente en la regin una de la transicin est la parbola tenida. Se observa que en la regin adonde los dos semiconductores vienen entrar en contacto con y por lo tanto tiene una discontinuidad del campo elctrico, se deben tener tambin una discontinuidad de mejoras.

 

14) Calcolo del trabajo de la funcin de un material:

La medida del trabajo qf de la funcin la distancia en eV entre el nivel de y _{el 0}vaco y el nivel de la firma de un material, depende de las caractersticas fsicas del material, para medirlo pone el material en una placa de un condensador en el cual venga la distancia entre las armaduras l venga hecho para variar la ley en segundo lugar, sobre la otra armadura el lugar que como ejemplo tener trabajo famoso de la funcin del material el oro. El condensador viene excitado con un flujo de la serie continua mientras que si de hace variar la distancia entre las armaduras la corriente que obtiene est sended a la negativa del clip de operacional que tiene el otro extremo a formarse, una tensin se obtiene que es proporziona ellas a la diferencia del trabajo de las funciones y puede ser calculado por medio de un detector del valor eficaz.