Corrientes en el empalme PN
1) ecuacin de la continuidad:
El bosquejo de una ecuacin que lleve a cabo la cuenta de la deuda actual est a los portadores de la mayora a los cuales a los portadores de la minora, para caracterizarla considera tener la regin amplia del dx del semiconductor y rea, se tiene:
Substituyo el desarrollo de Taylor di Jn(dx de x) y ottengo 
, el substituir
en essa 
obtiene 
donde est ambo
E(x) y el n(x) funcin de x por lo tanto exige el clculo del
derivado de la funcin compuesta, una relacin anloga se tiene
tambin para los boquetes.
2) la captura y la emisin de la parte de estados localizan a usted:
El mecanismo ms simple que la generacin ve la emisin de antemano de un electrn que dan los pasos de la venda de la valencia en la venda de conduccin, l pero es bastante improbable en los semiconductores que como el germanio y el silicio poseen un boquete indirecto, exige en hecho una colisin a tres partculas, un electrn, un fotn y un fonone, que sucede se en lugar de otro es que vienen se aprovecha de usted de los estados actuales ante el interior del boquete que tienen tuvieron que las impurezas o a las imperfecciones del retculo, ellos es muchos vecinos firmes al nivel de lo intrnseco y tiene energa yt y densidad de Nt , suponemos por otra parte que estn de los accepters de los estados que sea neutral cuando es vaco y negado a usted cuando est ocupado.
Los 4 procesos posibles se pueden tener despus de:
La capturade R 1
de un bosquejo del electrn del paso de
un electrn de la venda de la conduccin a una sea vaca, es el
ritmo a el cual eso que sucede 
es se es
proporziona l a la concentracin del electrn en la venda de
conduccin n, a la densidad de estados vacos localiza 
a usted y al producto del th termal de la
velocidadv para el trasversa
s n de la seccinde
la captura que la medida de la eficacia del estado
en la captura del electrn es uno.
R2 de la emisin del
elettrone un bosquejo del paso de un electrn del
estado localizado a la venda de conduccin, el ritmo a qu ci sucede
es 
que es es proporziona que l la densidad de
estados localiza a usted por completo para la probabilidad de la
emisin yla n .
La capturade R 3
de la laguna que un bosquejo del paso de un
boquete de la venda de la valencia a una se localice ocup de un
electrn, es el ritmo a el cual eso sucede 
es se
es proporziona l a la concentracin del boquete en la venda p de la
valencia, a la densidad de estados localiza a usted ocup 
de electrones y al producto del th termal de la
velocidadv para el trasversa de
la seccin de la captura de los boquetes sp .
R4 de la emisin de
la laguna un bosquejo del paso de un boquete del
estado localizado a la venda de la valencia o del equivalente el paso
de un electrn de la venda de la valencia al estado localizado,
sucede el ritmo a el cual eso l es 
se es es
proporziona que l la densidad de estados localiza vaco para la
probabilidad de la emisin de un boquete a usted ya p .
3) la distincin entre los estados le localiza del tipo trampa y del tipo centro de la recombinacin:
La distincin sucede para la manera del fenomenologica que es supone que hay un aumento de R3 por lo tanto tiene un aumento de la n de boquetes, se puede volver a la condicin del equilibrio termal es a travs de Rel 1 (…en que encajonen el estado localizado est un centro de la recombinacin) eso a travs de R4 (…en que encajonen el estado localizado est una trampa).
4) recombinacin claramente U de la tarifa:
donde se ha asumido que las secciones de la captura son
iguales y que 
, resulta ser mximo para los estados
localiza a usted se sita a usted en la correspondencia firme del
nivel de lo intrnseco.
5) poca de la vida de los portadores en exceso:
El bosquejo del tiempo que transcurre antes que vienen los
portadores en exceso que han sido inettati ellos riassorbi, porque su
determinacin utiliza la funcin de U aplicada exactamente a los
portadores en el exceso n ' en el caso de la inyeccin de Low_Level
que est en el caso en el cual la densidad de los portadores ellos
mucho no se altera del disturbio con respecto a su valor al
equilibrio, se tiene que es el poi n de p 0 de "n0 e p ' = p" de n'
= n naturalmente ' = p '. La tarifa de
recombinacin 
est substituyendo los datos
anteriores y la resolucin de la ecuacin que los distingue obtiene 
el @t 0de
la paloma tn y por lo tanto 
.
Se observa que la poca de la vida de los portadores en el exceso tn no depende de la concentracin de los portadores de la mayora.
6) Estndar De la Recombinacin:
Es un proceso a dos cuerpos, un electrn y un boquete aniquila mutuo.
7) Recombinacin Del Taladro:
Es un proceso a 3 cuerpos, un electrn y un boquete aniquilan y un tercer electrn o boquete adquiere el momento y la energa de los portadores que golpean.
8) densidad de los portadores de la minora al borde de la regin que vacia:
Deseamos determinar la densidad de los portadores de la minora en exceso a las extremidades de la regin que vacia por lo tanto que estamos interesados a la concentracin del electrn en el exceso adentro - xp que es n 'p(- xp) y a la concentracin del boquete en exceso en xn que sea p 'n(xn), expresan como diferencia entre el valor excitado y el valor al equilibrio, y pueden ser obtenidos fcilmente en cunto es famoso la concentracin al otro final de empalme (…igual a la concentracin de las impurezas en el vrt de la aproximacin de la neutralidad casi) y la diferencia potencial ellas iguales a las mejoras ellas de Construir-En.
, el anlogo obtiene para p 'n(- xn), la
demostracin de dos Relaziones pues las concentraciones de los
portadores de la minora estn conforme a la polarizacin mientras
que las concentraciones de los portadores de la mayora son
svincolate algunos.
9) anlisis de la vlvula de diodo ideal:
El curso de boquetes en exceso ante el interior del bulto
de n_doped se puede s mismo ganar por medio de la ecuacin 
de la continuidad donde para semplicit del anlisis se
considera el estado inmvil, la concentracin del donori es
constante y el campo elctrico es nulo, por otra parte la funcin de
U se reduce para las hiptesis anteriores 
a la
cantidad, la ecuacin se reduce 
a ese tiene la
solucin 
a donde y B ellos se obtiene de las
condiciones al contorno mientras que 
.
10) vlvula de diodo a desear base:
El bosquejo de una vlvula de diodo para la cual la
longitud de L extensinp es
pequea con respecto a la longitud WB del n_doped de se sigue que todo se recombina antes de
alcanzar en WB y por lo tanto
el coeficiente de B del miembro reflejado es falta de informacin por
lo tanto que el curso de boquetes en exceso ante el interior del bulto
est 
por otra parte puesto que el campo elctrico
en el bulto es nulo, la corriente sigue siendo debido exclusivamente a
la extensin 
, bosquejo de un exponencial que
evidencie como cerca de la regin del agotamiento la corriente es
todo debido a los boquetes mientras que el salir hacia el
contacto metlico se tiene que la corriente del boquete disminuye y
aumenta en lugar de otro la corriente de electrones. De manera
anloga 
es encontrado y se tiene la adicin de
ella 
.
11) vlvula de diodo a la base corta:
El bosquejo de una vlvula de diodo en la cual la
longitud de L extensinp es la
mucho mayor de la amplitud WB de n_doped, por lo tanto en 
el primer
uso exponencial 1 de las marcas, resolviendo encuentra 
que el descrescita de la extensin una del tipo linear de
la densidad del boquete en exceso en n_doped que corresponde derivar
la corriente constante del boquete una que no exija por lo tanto uno
en toda la corriente del electrn de la mayora.
12) las corrientes en la regin de la carga las espacian:
En la regin de ella carga espacios que son actuales
centros de ricombinazione/generazione, por lo tanto es necesario
estimar las corrientes ellos debidos, por medio del funzione
El diretta ha U>0
de la polarizacin por lo tanto limpia la recombinacin,
el total actual de la recombinacin rde J obtiene integrar a lo largo de la regin de cargas
las espacia 
, bosquejo de un integral que se
resuelva para la manera numrica o para semplicit el mximo de U se
considera y el integral en infinitesimal de la regin de es espacios
cargados l, obtiene 
que rapportata al J actual
ttotal que provee 
que extensin mientras que Jr llega a ser insignificante al crecimiento de la
polarizacin directa aplicada.
El inversa ha U<0 de la
polarizacin por lo tanto limpia la generacin, el total
actual de la generacin de Jg est de la manera aproximada 
que el
rapportata a las fuentes totales actualesde J t 
que la extensin como en las
vlvulas de diodo l polariza a usted inverso la generacin que la
corriente es debida sobre todo a la regin de cargas las espacia.
13) corrientes en la vlvula de diodo verdadera:
En las vlvulas de diodo verdaderas ms all a la corriente vio de antemano en la caja de vlvula de diodo ideal que las corrientes se tienen tambin que derivan de la generacin y la recombinacin en la regin de cargas las espacia, ellas resultan sobre todo ser importantes en el caso de la polarizacin inversa o de la polarizacin activa pero tienen a la persona dbil, en la proximidad del empalme:
) portadores de la minora del iniettati que difunden hacia el contacto del ohmmico
b) portadores de la mayora que driftano hacia el empalme para ser entonces difuso en la regin donde estn minora
c) portadores de la mayora que driftano hacia el empalme para recombinarse con los portadores de la minora del iniettati
d) los portadores de la mayora a que el driftano hacia la regin del l carga los espacian para recombinarse con venir de los portadores de la regin con drogaggio opuesto.
En cualquier caso en la proximidad de los contactos del ohmmici la corriente es debida exclusivamente a los portadores de la mayora que driftano.
14) Carica almacenado de una vlvula de diodo:
Carga almacenado en la regin casi-neutral se obtiene que
integra en tal regin la distribucin de la minora de las cargas
en exceso, en el caso de una vlvula de diodo para desear base que
tal distribucin es que las fuentes integradas 
que est mucho cargan simplemente iniettata son
iguales al producto de la corriente del boquete por la poca de la
vida las mismas.
En el caso de una vlvula de diodo a la base corta en
lugar de otro la distribucin de los portadores en exceso es 
por lo tanto 
se obtiene 
de cul donde segn boquete del miembro en el tipo
regin est la poca del trnsito medio de una n.
15) transitorio de la vlvula de diodo:
Aplicndose a una polarizacin dirigida a una vlvula de diodo al drenaje largo de la base inicialmente, se tiene que carga es limitado de la corriente y por lo tanto es necesario una poca P antes que tuvieron que los cargos de la vlvula de diodo y sean i sus cabezas VD .
Aplicando a la hora una polarizacin inversa que debemos tener que la vlvula de diodo no conduce si no una corriente pequea de los portadores de la minora, pero sa no sucede inmediatamente en cunto es necesario un P del tiempo antes que venga las cargas del riassorbita en la regin casi neutral, porque el velocizzare este vez puede o ser reducido la corriente directa o reducir la poca de la vida de la insercin de los portadores de la minora de los centros de la recombinacin en oro.
16) las capacidades se asociaron a una vlvula de diodo:
Una capacidad C es jtenido inherente a las cargas almacenadas en la regin del agotamiento y una capacidad relativaC d a las cargas almacenadas en la regin casi-neutral, esta ltima crece el esponenzialmente con la tensin directa aplicada mientras que Cj asume valor predominante en el caso de la polarizacin inversa.
