Los fenmenos transportan en los semiconductores
1) caracterizacin de los dispositivos analgicos usted:
) creacin de modelos matemticos a nosotros o al circuita ellos que derivan de la descripcin matemtica de los procesos de la comprobacin que regulan la operacin del dispositivo
b) creacin del circuita de los modelos ellos que derivan de las caractersticas a los clips expresados en forma grfica.
2) Dispositivo "Bulto":
Es un dispositivo electrnico que se aprovecha directamente de una cierta caracterstica del semiconductor y no de la caracterstica de los empalmes.
3) semiconductor intrnseco:
El bosquejo de un material que retculo se constituya de los tomos unidos del tetravalenti en medio ellos de covalenti ata, se tiene que al crecimiento de la temperatura algunos de los lazos se interrumpen que generan electrones libres para moverse en el retculo y un nmero igual del boquete.
4) semiconductor extrnseco del tipo n:
Insertando el pentavalenti del impurit (…fsforo P4, como el arsnico, antimonio del sb) en el retculo del silicio del tetravalente, ciascuna de ellos substituirn a un tomo del silicio que crea 4 lazos del covalenti con los primeros vecinos mientras que provee una energa pequea (…0,1eV para la GE y el 0,05eV para) 5 el electrn de la valencia del donante se puede quitar el mismo. En el Rappresentation a las vendas que corresponde para crear un nivel de la energa (…nivel dispensador de aceite) al ridosso inmediatamente de la venda de conduccin, es popolato a partir de los quinto electrones provistos de los donantes que sin embargo ya al paso ambiente de la temperatura en venda de conduccin.
5) semiconductor extrnseco del tipo p:
Insertando el trivalenti del impurit (…boro de B, galio de Ga, indios adentro) en el retculo del silicio del tetravalente, ciascuna de ellos substituirn a un tomo del silicio que crea 3 lazos del covalenti con los primeros vecinos siguen siendo por lo tanto incompleta un enlace covalente que atraiga cerca de los electrones de la valencia que los fuerzan interrumpir su enlace covalente.
En el Rappresentation al ci de las vendas corresponde para crear un nivel de la energa (…nivel de aceptador) al ridosso inmediatamente de la venda de la valencia, que a la temperatura ambiente viene ya totalmente a ser ocupado de los electrones de la valencia que por lo tanto licencia de los boquetes libres a conducir en la venda de la valencia.
6) ley de la accin de la masa:
Se observa que si el aumento la concentracin de
portadores del tipo "n" (…que narcotiza con tetravalenti
del impurit) reduce el nmero de los portadores "p" en se recombina
cunto y viceversa, est tenido por lo tanto eso a uno dado a la
temperatura el producto del nmero de portadores del tipo "p" para el
nmero del tipo portadores "n" que l es constante y vale 
dondea 0 est una
constante independiente de la temperatura y y0 es el boquete de energa para el cual a 0K vale
0,785eV para la GE y 1,21eV.
7) densidad de cargas en un semiconductor:
Se obtiene de la ley de la accin de la masa 
y de la relacin 
de la neutralidad:
) en un tipo semiconductor n los electrones prevalecen y su concentracin es igual a la concentracin de los donantes que es n = Nd mientras que es la concentracin de boquetes p = n2/Nd .
b) en un tipo semiconductor p los boquetes prevalece y su concentracin es igual a la concentracin de los accepters que es p = N mientras que la concentracin de electrones est n = nlos 2/Na .
8) movilidad:
Es la constante de la proporcionalidad entre el campo
aplicado y la velocidad media asumida de los portadores, para los
boquetes ha 
mientras que para los electrones 
por lo tanto los dos tipos de portadores vienen movimiento
a usted del campo en partes posterioras opuestas.
9) conductividad:
quindi 
10) Efecto De Pasillo:
Uno tiene un semiconductor a la seccin rectangular con
la base W y la altura d, y resbala en trasversa de la direccin una
corriente en la parte posteriora de x las crescent, tiene por otra
parte un campo de B en el sentido del z que aumenta, los portadores en
el movimiento estn conforme a la fuerza de Lorentz que 
se las empuja independientemente hacia el fondo de su
naturaleza, tiene ellos mismos por lo tanto eso en el caso de un tipo
semiconductor "n" los portadores son los electrones libres y por lo
tanto son cargas bajas tenidas negativas y positivo ascendente de las
cargas mientras que en el caso de un tipo semiconductor "p" los
portadores son los boquetes para los cuales l tiene punto bajo
las cargas positivas y ascendentes l carga la negativa.
En ambos los casos a la capa doble se crea de cargas y por lo
tanto un campo elctrico que se opone a la fuerza de Lorentz, su
valor al equilibrio se obtiene del presupuesto de las fuerzas 
de las cuales siendo 
ha 
y quindi 
.
En detalle la constante de Pasillo se define 
que concurra ganar movilidad en caso de que sea famosa la
conductividad s tenga en hecho 
y el deseo llevar a cabo la cuenta del hecho de que
todas las cargas no se mueven con la misma velocidad que tiene 
.
11) describe la extensin:
_ la imagen del s al sezionare ideal un semiconductor de
modo que la concentracin del portador que tiene que sx ser vario
aqul que tiene que dx, puesto que cada portador para el efecto del
movimiento de la temperatura en randomica de la direccin, tiene que
el nmero del portador que cruza la seccin del sx al dx sea mayor
de la n de aqulla que cruz del dx al sx, crea que es una densidad de
la corriente de la extensin en la direccin opuesta al gradiente de
la concentracin, en el caso del boquete tiene 
mientras que en el caso del electrn libre tenga 
donde Dp y Dn son las constantes de la extensin.
12) relacin de Einstein:
Pone en la relacin la constante de la extensin con
movilidad respectiva en cunto encuentran ambos conforme a
estadstica de las consideraciones, el equivalente en la tensin 
de la temperatura.