Transistor de las caractersticas

1) convencin sobre las corrientes:

Se consideran positivas si entran en el transistor.

 

2) transistor en la zona activa de la operacin:

Es verdad venido polarizando la base-emettitore del empalme directamente para reducir la barrera de ella las aumente, en un pnp est por lo tanto de los boquetes que difundirn en la base mientras que viene el nmero libre del electrn que difunden en el emettitore es mucho inferior en cunto tiene verdad venida una base narcotizada menos del emettitore, la corriente que las diapositivas en esta ltima son por lo tanto, por otra parte definido la representacin del emettitore . Anlogo viene defini la representacin de la base y la representacin del colector .

Siendo el colector-emettitore polarizado del empalme inverso, la barrera de mejoras se eleva les y se cruza en la reduccin, la corriente de la extensin en el emettitore ser mucho arriba una, tiene , la adicin de l_{al C0} debido a la polarizacin inversa tiene el quindi es igual al Relazioneship entre la variacin de la corriente del colector con respecto a la prohibicin y la variacin de la corriente del emettitore con respecto a la misma prohibicin, los valores tpicos es 0.90 < < 0.995.

La expresin anterior_{de la C} es vlida para la regin activa de la operacin del transistor, mientras que la expresin generalizada es sa, en cortocircuito expresa solamente el hecho que a la corriente en el empalme pn entre el colector y la base sume una fraccin de la corriente que circula en el emettitore.

 

3) tecnologas constructivas del transistor discreto:

a) Realizacin del transistor para el aumento:

Un solo cristal de una fusin del silicio se extrae de la cual venga cambi la concentracin del impurit durante la operacin del bosquejo.

b) Realizacin del transistor para la aleacin:

la bola de 2 littles del resto indio del trivalente en las dos caras de un semiconductor, levanta la temperatura hasta coger encima de la fusin del indio, dopodich en refrescarse l se cristaliza realizando dos regiones narcotizadas "p".

c) Realizacin del transistor para la extensin (deslizarse abajo):

Vienen utilizado de las mscaras y de las emisiones gaseosas del impurit que van a afectar el semiconductor.

 

4) Efecto Temprano:

Se crea la polarizacin inversode la regin de J _C una de vaciar que extienda sobre todo en la base narcotizada que es ste menos del colector, los efectos que alcanzan alguno son:

)       la probabilidad de la recombinacin en la base disminuye por lo tanto aumentos a

b)       la corriente de la extensin aumenta con el grado de la concentracin y puesto que se reduce la base, de tales aumentos del gradiente y con ella tambin_y

c)       para las polarizaciones inversas altas, la base puede pasar con trabajador elctrico de la falta de informacin de la amplitud "alcanzar-por".

 

5) conexin a la base comn:

La base a la masa por lo tanto en un pnp se tiene para tener J_y polariza a usted directamente debe hacer que Vun positivo _SEA mientras que para tener un Jpolarizado _C inverso debo tener Vun negativa _{de los CBES}. Dalla deduce eso en la caracterstica del escape, el escape es_{la C} mientras que _{los CBES}de V e I_y son los largenesses de la renta, se prefiere de los dos para tomar_y como parmetro en cuntose obtienen _{la C} @ _y y ellos de los horizontals rectos en la regin activa de la cual extiende en el cuadrante caracterizado_y> 0 y _{los CBES}de V0 < la regin de la saturacin en la cual los aumentos de la corriente con V son tenido bruschi_{los CBES} casi constantes se obtienen para_y> 0 _CBES de 0yde V > que sea directamenteJ polarizado _C mientras que la regin de la prohibicin se tiene para_y< 0 y los empalmes se obtiene que polarizan inverso ambos.

Hasta la caracterstica de renta, es la misma de la vlvula de diodo directamente polarizada a menos que al crecimiento de V_{los CBES} para el efecto temprano que aumenta_y y por lo tanto las curvas se consiguen ms gruesas.

 

6) ecuacin caracterstica de la conexin al emettitore comn:

se tiene, del resto por lo tanto se tiene substituir la paloma es la corriente de la saturacin inversa con la base abierta (…_B= 0) mientras que est el factor de la amplificacin en la corriente para las marcas grandes ellas de la conexin al emettitore comn (…observa que_CE0 =_{el CB0} donde CE = emisor comn y

Base de los CBES = Del Colector). Viene por otra parte defini el aumento de la corriente en continuo y el aumento en la corriente para las marcas pequeas ellas . Uno observa que las curvas que componen la caracterstica de escape con_{la C} a variar de V_{el CE} y el I_B pues el parmetro no es horizontal como uno se tiene en lugar de otro para la base comn en cunto variacin pequea determina una gran variacin de b .

 

7) zonas de la saturacin para el emettitore comn:

_{El CE} se obtiene que polariza ambos que los empalmes por lo tanto Vson directamente mucho pequeos y puesto que el emettitore es formarse, independientemente del valor_{del B} .

 

8) zona de la prohibicin para el emettitore comn:

Las condiciones de la prohibicin son las mismas de la base comn es decir, pero en este caso si la base abierta deja y por lo tanto_B = 0 no tiene la prohibicin en a cunto depende da y _{el C0} se puede llegar a tener 10_C=, el problema se resuelve que inserta un V_SEA @ -0.1V para el transistor a la GE y V_SEA @ 0V para el transistor a. Se observa que en condiciones de la prohibicin _{el CB0} enla diapositiva una del empalme del colector quin no coincide con_{el C0} para seguir las dos razones:

)       al crecimiento de V_{el CE} uno aumenta la dimensin de la capa y de la verificacin vaciadas la avalancha del efecto

b)       all es las corrientes que cruzan el empalme en la superficie del transistor y no en el cuerpo

por otra parte_{los CB0} son el mucho variable del transistor del transistor tambin del mismo modelo.

 

9) curva de la transferencia_C- V_EST para el emettitore comn:

Para V_EST ® - se tiene que_{la C}®_{el CB0} y el transistor sea interdetto, porque V_SEA = 0 tiene_C =_{el CES}, coge para arriba la tensin entonces de prepara V_g cuando_{la C} vale _{de la C sentada} y el pecado cuando la tensin de la saturacin V no se coge encima_{de s} el transistor est en la regin activa, para el silicio V _ses @ 0,8V tenido.

 

10) ecuaciones de Ebers-Moll y del modelo relativo:

La ecuacin general del transistor se puede escribir en la forma donde st de "N" para la manera

de la operacin normal, si nos imaginamos para intercambiar el papeles de los dos empalmes tiene tambin donde "" el st para la operacin invertida y el vige la relacin por otra parte V_C representa la tensin entre los finales ellos del colector y de un punto interno a la base, l se tiene que diferencia de V_{el CE} para la presencia de a del valor de aproximadamente 100W que extrnseco las dificultades que los portadores satisfacen para salir de finales de ellos de la base que es ancha y apretada le. Tal resistencia no aparece en el modelo de Ebers-Moll constituido a partir de dos vlvulas de diodo en contropunta cada uno con un generador de la corriente controlado en paralelo, son nulos escogen si a = a_N = 0 que sea si la anchura de la base es mayor de la longitud de la extensin y por lo tanto de todas las cargas que se recombinan en la base, sea ste la situacin que se tiene si dos vlvulas de diodo verdaderas en contropunta se ponen, en que el caso tiene verdad no venida seguro un transistor.

De las dos ecuaciones de Ebers-Moll pueden ser el estrinsecare V_y y V_C y por lo tanto y por lo tanto obtiene la expresin de la corriente del escape del transistor de el cual _{el CE} -® se miraeso V mientras que el Relazioneship es constante y vale b .

 

11) lmite de los valores para las tensiones de lo contrario:

Independientemente de las caractersticas de la disipacin del transistor, _{el CB} inverso mximo de la tensinV que se puede aplicar entre el colector y la base es limitado de los dos fenmenos de siguiente:

Multiplicacin headlong

El producto acelerado de las cargas para el nuevo aumento de los portadores de la colisin por lo tanto a, si la configuracin est a la base comn_C=a_y se tiene que la tensin para la cual_{la C}® es mucho arriba una, necesidad en lugar de otro en hecho sea a®tenida , en el emettitore comn que es bastante que ®un 1 para hacer para divergir_{la C} por lo tanto para una tensin inferior, una caracterstica a la resistencia negativa en cunto para pequeo se tiene pero_{La C} la corriente que resbala en la base es pequea por lo tanto el circuito es como una base comn, al crecimiento_{de la C} aumenta solamente la disipacin de la resistencia de la base y del circuito que vuelve para comportarse como un emettitore comn.

Alcanzar-Por

Al crecimiento de la tensin inversa que la dimensin de la base se reduce por lo tanto aumenta el gradiente de la concentracin de los portadores de la minora y por lo tanto de la corriente hasta que tambin exceder los lmites mximos admitidos del dispositivo crece.

La tensin a la cual la verificacin del fenmeno se depende no solamente de la configuracin pero de la fsica del dispositivo.

 

12) Fototransistore:

Resultar la corriente es una evolucin del fotodiodo en cunto concurre de tener uno mayor, ellos puede realizar con un transistor en el cual se descubra el empalme del colector, y dejar la base abierta, o puede ser sended una corriente en la base y la posesin por lo tanto un control doble, en tal caso tiene en hecho .