Die Simulation der elektronischen Stromkreise

1) Betrachtungen für eine gute circuita Simulation sie:

)       bewerkstelligt das analysierte Verhalten, das sie nur seine Funktionalität verhältnismäßig darstellt, sie Anregungen im Einkommen

B)       Jedes Modell hat nur eine Gültigkeit der Beschäftigung zum Innere der sicheren Begrenzungen auf Maße, Temperatur, Strom, Spannung

c)       Häufig sind die Plandaten entstehen von den Verfahren di.le, die zu Ihnen nicht die Gültigkeit kennen

d)       sind alle auflösenden Algorithmen nicht gleichmäßig leistungsfähig und präzisieren, in einigen Fällen sie können nicht zusammenlaufen

 

2) Kriterien für die Wahl des Modells:

Ein Modell arbeitte viel in der Art vom Ort zu den komplizierten Gleichungen, die zu einem exakten Resultat aber in einer langen Zeit betreffend ist diesen Angestellten für die Implementierung eines einfacheren Modells tragen, ist wichtiger folglich Kompromiß zwischen Präzision und einer Geschwindigkeit der Ausarbeitung aus. In der Art dann einer gleichen Vorrichtung wird ein verschiedenes Modell zu zweitem benutzt, das in einem analogic Stromkreis oder in einem digita verwendet werden müssen sie.

 

3) vorbildlicher stufenweiser Führung Näherungswert für den MOS:

Wir betrachten einen MOS zur N Führung, es haben Droge beigemischt schwach eines P Substrates, in dem Rauschgiftsüchtigen zwei N Verbreitungen stark verwirklicht werden, über dem Raum, den sie ist das Oxid des Gatters viel bis, ungefähr 1000A°, außen zu den Verbreitungen, die wir anstatt Oxid von viel häufig auffangen lassen, ungefähr 5000A° trennt. Überoxid des Gatters kommt es das niedergelegte Aluminium, zum der Elektrode des Gatters zu bilden.

 

4) traf Verteilung der Lasten im Substrat in Abhängigkeit von der Spannung auf das Gatter eine im Fall von V_DS = 0 zu:

)       sammele ich, werde gehabt an, als die Spannung an den Gatterrückrufen vom Substrat die Majorität Stützen anwendete

B)       Das Leeren, wird gehabt, als die Spannung an den Gatterrückrufen vom Substrat eine kleine Anzahl von den Minoritätstützen anwendete, die nur genügend sind, die Majorität Stützen auszugleichen

c)       Umlenkung, wird gehabt, als die Spannung an den Gatterrückrufen vom Substrat viele Minoritätträger, die folglich eine Führung zwischen den zwei Verbreitungen bilden anwendete,

5) Effekt von V_{das DS} ¹ 0:

Zum Wachsen von V_DS Vvermindert _GD =V _GSâ?"V _DS bis zu Sein kleiner von V_T zu diesem Punkt von der Seite des Abflusses nicht ist mehr die Umlenkung der Führung, die folglich versperrt wird, bevor das Erdrosseln der Führung stufenweise zum Wachsen von V _DS geschrumpftwird und das I_D mehr und mehr sich langsam, erhöht wenn die Führung erdrosselte Durchläufe einer _dasD der unabhängigen Sättigungs von V _derDS ist , Dose seien eine Zunahme des Stromes der Sättigungs nur mit einer Zunahme von V _derGS gehabt Sie .

 

6) ideale allgemeine Gleichung, die das Verhalten des MOSFET beschreibt:

_{Der DS} ist banally, wo der Widerstand eines Führung Eigenschaft dx ist und die Lasten für einheitlichen Bereich ist und dritter in zweitem ersetzt und zweite innen, bevor es gehabt wird , integrierend gehabt wird, von dem .

Diese Gleichung beweist drei Zonen des Betriebes:

Interdizione wird für V _GS<V _Tgehabt , wird die Führung nicht von der Seite der Quelle gebildet und folglich kann Strom nicht schieben

Ohmica wird für V _DS< gehabt (Vleitet _GS â "V T), von ihm den im Gleichung pu² ab, um V _DS²zu vernachlässigen .

Saturazione wird für V _DS> gehabt (Vwird _GS â "V T) tatsächlich gehabt, das_{der DS} von V _{der DS} fastunabhängig ist .

 

7) Modulation der Führung im MOSFET:

Zum Wachsen von V_{der DS, den} dieses, den die Führung erdrosselt wird und für V erhöhten_DS noch mehr kürzer wird, übersetzen in einer Zunahme _{des DS}folglich der Sättigungs der MOSFET nicht genau wie einen gegenwärtigen Generator benommen wird, um das Phänomen zu beschreiben gehabt wird er verwendete den Koeffizienten der Modulation der Länge von der Führung L kommt und die Gleichung des MOSFET wird .

 

 

8) Effekt der Polarisation des Substrates im MOSFET:

Die Spannung von Schwelle V_T ist Funktion der Polarisation des Substrates, wird gehabt tatsächlich .