Spleißstellen zwischen materiellen Halbleitern
1) Relation von Einstein:
2) Gleichung von Poisson:
3) verbessert es sie von Errichten-In:
Das Setzen, um mit a in Verbindung zu treten p_doped mit a
n_doped ein travaso wird gehabt von den Lasten für Verbreitung,
solcher Prozeß kommt gestopptes Auflehnen des Aufsteigens sie von
Errichten-In, 
wo nn0 es die Elektronkonzentration in der Region n zum
Gleichgewicht ist, während pp0 die Abstand Konzentration in der Region p zum Gleichgewicht
ist.
4) Umfang der geleerten Regionen:
Das Bilden des Näherungswerts des kompletten Leerens und
des Anwendens der Gleichung von Poisson 
und im
fattispecie ha 
e wird erreicht 
5) Stift Diode Ventil:
Zwischen der Region p und der Region n, das sie kommt, setzte eine Schicht schwach Droge beigemischten I-Halbleiter oder den für ein, welches Polarisation anwendete es vollständig ausfällt geleert zu werden.
6) Typologie der Ausrichtungen für eterostrutture:
Ausrichtung 1° der Art hat ein festgezogenes Material, zum dieser Form zu spalten eine Bohrung des Aufsteigens sie Platz, um mit einem Material in Verbindung zu treten, um sich weit zu spalten, daß Formen die Sperren für das Leitungsband ist, das für das Wertigkeitband.
Ausrichtung 2° der Art mit einem günstigen, das von den seemiconduttori Materialien eins von können ihnen gewählt wird, als von der Bohrung des Aufsteigens sie für Elektronen und von der Sperre für Abstände dienen.
7) Modell von Anderson und von Frensley-Kroemer:
In einem eterostruttura kommen sie gesetzt, um mit
Halbleitern mit dem verschiedenen Abstand, dem Modell der Anderson
Vorbetrachtungen in Verbindung zu treten, denen diese Veränderung des
Abstandes eine Veränderung der Energie des Bandes der gleichen
Übertragung zum Unterschied der elektronischen Affinitäten
feststellt 
. Entwurf eines Modells, das Konto
der Dipolanwesenheit nicht hält, die wegen der Schnittstelle gebildet
wird, der anstatt wird sie im Modell von Frensley-Kroemer vorher
gesehen, für das die Unstimmigkeit des Wertigkeitbandes von gegeben 
wird.
8) realizzative Epitaxie und Techniken:
Die Epitaxie besteht, wenn sie eine dünne kristallene Schicht des materiellen Halbleiters verwirklicht dessen Eigenschaft vom unten Substrat festgestellt werden. Die möglichen Techniken sind folgend:
LEC ähnlich der Czochralsky Methode
LPE, welches die kristallene Schicht eine flüssige Lösung wächst, die von anfängt, sättigt verdünnt auf einem kristallenen Substrat
VPE der Zunahmeprozeß wird von einem Dampf eingezogen und folglich verlangt es hohe Temperaturen
Mocvd basiert auf der Pyrolyse der metallorganici Elemente im Vorhandensein von idruri
MBE von Marken wir molekular kommt Ablagerungen zu Ihnen auf einem geheizten kristallenen Substrat
9) fast Niveaus des Unternehmens:
In den Bedingungen hat Gleichgewicht nicht ein einziges
Niveau festen bensi 2, das kommen übereinzustimmen, wenn das
Gleichgewicht oben verfangen wird, haben cioè 
e
10) Dichte des Stromes im Schockley Diode Ventil:
wodas s1 es der Sättigung Strom ist, der die Spleißstelle im Fall umgekehrter Polarisation kreuzt.
11) Leistungsfähigkeit der Einspritzung elektronisch:
