Elemente von Physik der Halbleiter
1) Netzmagen von Bravais:
Die Kristalle sind kennzeichnen zu Ihnen von einer Gleichmässigkeit sperren sie sind folglich möglich, um zu zu beschreiben, welchem Atom zu betreffen es mittels der R Fördermaschine =1 aber2 Na3 , mit den R Fördermaschinen den Netzmagen von Bravais festsetzen.
2) Theorem des Blockes:
Im festen Fall von kristallenem ist ein hamiltoniana, das
es 
, wo U(r) Aufsteigen sie periodisch ist, das
autostato man ist, 
das das Produkt einer flachen
Welle für ein Haben von von Bezeichnung die gleiche Gleichmässigkeit
des Netzmagens ist.
3) Zone von Brillouin:
Vom Theorem des Blockes zeigen Sie das im Fall von einem Netzmagen, den er genügend zu wissen ist, daß das autofunction auf einer festgestellten Zone der besagten Zone 1ª des Raumes k von Brillouin in, wieviel wir nur zu ihm einmachen, immer durch eine Übersetzung auf einer Fördermaschine des gegenseitigen Netzmagens verringert wird.
4) Eigenschaften des Elektrons des Blockes:
Die Gruppe Geschwindigkeit eines Elektrons im Band n mit
Welle Fördermaschine, die k, 
im Vorhandensein der
externen Kräfte ist, die Fördermaschine der mannigfaltigen Welle an
zweiter Stelle 
, die 
Menge, ist das
Äquivalent des Momentums p zum Pakt, zum so zu halten für das
wirkungsvolle Masse M che 
.
5) Eigenschaften des GaAs und von:
Kristall
Der GaAs kristallisiert in der Struktur des zincoblenda, das vom zwei Netzmägen FCC traslati entlang Richtung [ 111 ] festgesetzt wird von einem gleichen Abstand zur Länge des Riegels. Auch er wird in der Struktur des zincoblenda kristallisiert, daß er mit diesem des Diamanten übereinstimmt in, wieviel alle Atome gleich sind.
Bänder
Die Bänder des GaAs beweisen einen direkten Abstand, außerdem zum Innere der Zone von Brillouin sind Geschenk andere zwei Minimum, eins zu 0,3eV von vorhergehendem und das andere zu 0,48eV. Eins soll anstatt indirektes spalten.
Wirkungsvolle Masse
Die wirkungsvolle Masse des GaAs ist m*= 0.067m0 und ist isotropa, während dieses von anisotrop ist,
insbesondere die Längsmasse wertIST, 
während die
Querschnittsmasse wertIST 
Band der Wertigkeit
Das Wertigkeitband ist im Ursprung, hat
tatsächlich 3 Bänder degeneriert, die vom unterschiedlichen
parabolicità gekennzeichnet werden, eins des schweren Abstandes (HH)
wirkungsvolle Masse, 
eine habend des hellen
Abstandes (LH) mit wirkungsvoller Masse 
und eine des
Abstandes spaltete-weg auf sich (WEISS).
6) Eigenschaften der dreifachen Mittel:
Entwurf von bestanden, daß sie die kristallene Struktur der binären Mittel konservieren, von denen sie einiges aber ableiten, den Wert manchmal und die Natur des Abstandes ändern.
7) Dichte der Stützen in der Degeneration des Näherungswertfalles nicht:
Die Elektrondichte im Leitungsband ist, 
wo für die Funktion der Verteilung des Unternehmens den
Näherungswert als Degeneration gilt, die, daß dem Niveau des
Unternehmens genug weit weg vom Leitungsband gehabt wird, in solch
einer Weise, die ist solche Verteilung nicht bis diese von
Maxwell-Boltzmann verringert wird und 
gehabt wird,
wo 
die wirkungsvolle Dichte der Zustände im
Leitungsband ist, das für M C füri multipliziert werden muß, das gleichwertigeres
Minimum der Halbleiter im Leitungsband hat.
In der analogen Weise wird sie im Band des
Wertigkeit 
betrügers erreicht 
.
8) Niveau des festen Intrinsic:
9) ionizzati Atom Dichte:
Sein undD das Spenderniveau und und zum Akzeptorniveau, insbesondere der Kurs der Dichte, die im Band der Übertragung eines Halbleiters Droge beigemischt wird zum Schwanken der Temperatur beweist elektronisch ist linear, einen zunehmenden Kurs für niedrige Temperaturen, wenn das ganzes donori ionizzati anfangen die Sättigung Zone gewesen sind, in der die Konzentration, die er konstantes dopodichè für folgende Temperaturen zum 500K ist, gehabt wird, das die Elektronen vom Band der Wertigkeit zum Leitungsband führen, das Platz zu einer plötzlichen Veränderung der Konzentration in diesem Band gibt.
10) Gesetz von Matthiessen:
Mobilität ist die Konstante von Proportionatität
zwischen auffangen, das angewendet wird und die Geschwindigkeit,
die von den Stützen angenommen wird,IST sie 
wert,
im Fall, der auf der Stütze mehr Einheiten fungieren, als, Mobilität
Gesamtmenge zerstreuend, die sie ist 
11) Näherungswerte verwendet in der Studie der Effekte verursacht von der thermischen Bewegung:
Die Atome des Netzmagens sind abhängig von thermischer Bewegung, zwecks zu erleichtern der Studie bilden die folgenden Näherungswerte:
) wird es angenommen, daß die mittlere Position der Atome mit dem kristallenen Netzmagen übereinstimmt
B) wird es angenommen, daß die Bewegung betreffend ist die Gleichgewichtposition betreffend den Abstand zwischen Atomen viel klein ist.
12) Zerstreuung des fononi:
Es wird, daß zu jedem Atom des Kristalles ein harmonischer Oszillator verbunden ist, das vom Platz zu den akustischen Zerstreuungen kennzeichnete den linearen Kurs angenommen, der innen vom Ursprung und von den optischen Zerstreuungen gekennzeichnet werden vom fast konstanten Kurs, um zu beachten betätigt wird, daß das fononi sie Bosoni sind und folglich, die von den Statistiken von Bose-Einstein beschrieben sind.
13) Typologie der Interaktion Prozesse:
) Interaktion mit Defekten die Auseinanderbrechen oder Verunreinigungen
B) Interaktionen mit fononi sind für Deformation, die elektrostatisch
c) Interaktion zwischen Stützen
14) Gleichung von Boltzmann:
wodas k es besagtes Funktionieren des Zusammenstoßes ist und es beschreibt zur zeitlichen Veränderung der Verteilungsfunktion wegen der Zusammenstoßphänomene.
15) Methode der Momente:
Sie kommt verwendete das Theorem, entsprechend dem die
Bekanntschaft der infinites Momente M der Funktion 
der Verteilung mit der Bekanntschaft des
Verteilungsfunktion f(r, k, t) gleichwertig ist.
16) Gleichungen Hydrodynamik:
wo u es die durchschnittliche Geschwindigkeit der Stützen und des W ist, ist es die mittlere kinetische Energie des Partikels.
16) Vorbildlicher Antrieb U. Diffusion (Zerstäubung):
Der eingeführte Näherungswert soll Bedingungen fast im
staticità immer bleiben, das vom Haben ist 
, wird
gehabt:
17) Kurve Geschwindigkeit - Fangen Sie auf:
Für Untergebenes fängt bis 1kV/cm alle
Halbleiter, die sie einen linearen Kurs der Geschwindigkeit der
Stützen mit auffangen haben, die Proportionatitätkonstante ist
Mobilität auf, die zu den niedrigen Temperaturen vom Zerstreuen vom
fononi festgestellt wird, das akustisch ist, während zu den hohen
Temperaturen es vom Zerstreuen vom optischen fononi festgestellt wird.
Für fängt es erhöht zu Ihnen, die covalenti
Materialien auf, denen GE und sie die Sättigung wegen der Heizung der
Stützen vom Teil vom elektrischen auffangen, die Sättigung
Geschwindigkeit sind, 
polare Materialien vorstellen,
wie der GaAs anstatt eine Zone zum Widerstand unterscheidet sie das
Negativ wegen des Zerstreuen intervalle vorstellen.
