Logische Türen

Ttl

1) beschreiben Stromkreis TTL:

Ein Transistor von Einkommen T ₁ der Art zum multiemettitore wird, auf dem n emettitori ist anwendet Sie kennzeichnet sie des Einkommens, während auf der Unterseite das Einziehen durch den R Widerstand angewendetes _b1 ist, der Kollektor wird angeschlossen an die Unterseite des Transistors T ₄gehabt, der dient, als vom sfasatore folglich auf seinem emettitore einen Widerstand R _E4in Richtung zur Masse hat, während auf dem Kollektor man gehabter Widerstand R _C4in Richtung zum Einziehen ist. Die zwei kennzeichnen sie in der Phase Opposition gehen zum Einziehen des BJT von pull-down ₃T und der Block von ziehen-oben festgesetzt von T₂ (…eingezogen durch den Widerstand R_C2 ) und vom D Diode Ventil.

Die Tür in der Ausgabe führt die NAND Funktion in durch, wieviel, wenn alle Einkommen zur hohen T ₁ Arbeitdes Zustandes in der umgekehrten aktiven Region sind und folglich es in Sättigung ist T ₄sendet, das ₃T und folglich das Entweichen zum niedrigen Zustand ist, während, wenn auch eins nur der Einkommen zum niedrigen Zustand ist, es hat, daß interdiceT ₃ und T₂ in der aktiven Region ist und folglich das Entweichen hoch ist.

 

2) Verhalten der Tür TTL im Fall vom Einkommen zum niedrigen Zustand:

J_BE1 ist polarisiertes folglich T ₁kann direkt gefunden werden, oder in der aktiven Region oder in der Sättigung, zwecks seinen Zustand zu überprüfen wird es angenommen, daß es in der aktiven _{in der} Region und Währung folglich_C1 = b _dasB1 ist , findet, daß Strom des Auftrages ein von ist, aber, daß es es haben würde, von der Unterseite von T ₄ ableiteteiniges geliefert werden, das _{das 4}T interdice und folglich0 _C1 @ folglich T₁ ist in der Sättigung, in solcher interdice Weise ₄T und infolgedessen T_3, während es T ₂ist, daß das D Diode Ventil ist, in der aktiven Zone und dieses Ineinandergreifen folglich in analysieren, das sie erreicht, daß die Entweichenspannung 3,6V wertIST.

 

3) Verhalten der Tür TTL im Fall vom Einkommen zum hohen Zustand:

J_BE1 wird umgekehrt polarisiert, während J_BC polarisiertes folglich T ₁ findetdirekt in der umgekehrten aktiven Region ist, während ₃T und T₄ in der aktiven Zone oder in der Sättigung sein können, daß sie die auf der Unterseite von T ₄wir es miteinbezieht, sein kann eine Spannung, die zwischen 1,4V enthalten wird und 1,6V _die Dose _B1 ist folglich geschätzt und multiplizierend sie für b @ die 0.02, um zu erreichen, daß der niedrige Strom geht, fast zu beenden vollständig im Kollektor von T₁ . Wir nehmen an, daß es T ₄ist, daß T₃ in der Sättigung ist, der es andeutet, um V _einCE4 @ 0,2V und V zu haben_{ein BE3} @ 0,8V mit diesen Werten, die, wir _dasC4 errechnen und bereits berühmtes b seiend_{das D} und_{die B4} ich s errechnen kann und zu überprüfen, daß effektiv T₄ in der Sättigung ist und offenbar auch T ₃ in der Sättigung ist gehabt wird, die spannen V_aus = V_CE3 = 0,2V.

 

4) Verhalten der Tür TTL im Durchgang vom niedrigen Niveau im Einkommen zum hohen Niveau:

Wenn V_innen zum niedrigen Zustand sind, den es hat, daß T₁ in Sättigung folglich V _CE1@0,1Vist, vom Rest hat V_B4 = V_in V_CE1 folglich zum Wachsen von Vwächst _innen auch V_B4 und wenn dieser aufholt, werden der Wert 0,65V…(dem V=0,55V entsprechen), gehabt, das T ₄, anfängt _in zu führen, aber für über den Fall auf J_BE4 wird es gehabt, daß T₃ interdetto Sünde wenn V _in=1,35V bleibt, über dem hinaus die Entweichenspannung sehr fastly bis das Verfangen herauf den Wert von 0,2V vermindert.

 

5) Seitenränder der Geräusche der Tür TTL:

tatsächlich über 0,55V im Einkommen hinaus ist das Entweichen gehabte stufenweise Durchläufe vom hohen Zustand zum niedrigen Zustand, während für Spannungen des grösseren Entweichens von 0,2V T₃ es nicht mehr in der Sättigung ist.

Außerdem wird gehabt.

 

6) lockern aus Tür TTL für hohes Niveau im Entweichen heraus auf:

_ wenn d Entweichen sein zu Höhe d logisch Niveau d t₁ von d n anschließen Tür sie arbeiten in umgekehrt aktiv Region, und folglich ihr Ladung Transistor t₃ und t₄ sein in Sättigung das es mit.einbeziehen ein Spannung V_B4= 0,75V 0,75V=1,5V außerdem sein direktpolarisieren J _BC1 werden sein haben das d Spannung V_B1= 0,7V 1,5V=2,2V, können folglich sein errechnen_{d B1} und multiplizieren es für b erreichen d Strom aufsaugen von jed Tür das ist in der Tat bedeutungslos, dem ungefähr 14 mundmultipliziert es für die Zahl den Türen, die dem Strom _{das E2,} das gewonnenwird in das emettitore des Türtreibers und in dividendola ist zu, schieben Sie für (1 bD) erhält den Wert_{des B2} , wird das Analysieren des Entweichenineinandergreifens gehabt, das, wenn_{das B2} sich erhöht die Spannung V_aus ihm folglich vermindert, wenn wir uns reparieren möchten müssen den minimalen Wert feststellen, der V_aus anzunehmen dem pu² und folglich dem maximalen Wert_{des B2} und folglich erhalten wir die Höchstzahl der Türen, die angeschlossen werden können, kommen 2550, aber in der Art empfiehlt der Erbauer ein Maximum von 10 Türen.

 

7) lockern aus Tür TTL für niedriges Niveau im Entweichen heraus auf:

Wenn das Entweichen zum logischen waagerecht ausgerichteten niedrigen T ₁ der N verbundenen Türen ist, arbeiten sie in der Sättigung, und folglich sind ihre Ladung transistoren₃ T undT ₄ interdetti, während T₂ in der aktiven Region gefunden wird. Zwecks den Strom zu errechnen verteilte sich von der ciascuna Ladetür, welche die Spannung V _B1 geschätzt wird die die Summe von 0,2V mußte V _CE3 des Türtreibers mit T ₃ in der Sättigung ist und 0,8V V _BE1 der Ladetür mit T ₁es in der Sättigung, pu² folglich mußte das auch geschätzt werden_{das B1} das T ₄interdetto sein es mit _demE1 übereinstimmt das mit dem Strom ist, der von der ciascuna Ladetür verteilt wird und multipliziert es für Zahl der Ladetüren _{das E3} erreicht das gegenwärtige @ _{das C3,} das in T ₃ des Türtreibers schiebt. Zum Wachsen des aufgesogenen gegenwärtigen T₃ beendet sie, um von der Sättigung herauszunehmen, daß sie geschieht, wenn s > 0.85 diesen Wert ein Fan-out auferlegend erreichtes Maximum von 100 Türen ist, aber der Erbauer sich empfiehlt, einiges in der Dringlichkeit bis bis 10 anzuschließen.

 

8) Schätzung der Zeit des Aufstiegs für eine Tür TTL:

LžH , wenn das Entweichen zum hohen Zustand überschreitet, hat, daß der Ladungkondensator geladen werden muß, das, das _{der C2} mit einem Strom geschieht, der für b den Strom multiplizierend _{das B2}erreicht wird, das Sein T₄ interdetto (…und folglich saugt nicht Strom) auf einfach geschätzt werden kann. Das Ersetzen einer Gleichung wird unterscheidet sie erreicht von, welchen zeigen, daß es ihn ist natürlich exponential mit Zeitkonstante lädt .

HžL wird gehabt, das T₃ im Region attiva bearbeiten muß, folglich, welches_{das C3} konstant und 113mA gleich ist, wenn von ihm daß die Fähigkeit Entladung mit einer konstanten gegenwärtigen Sünde ableitet, wenn sie nicht 0,2V erreicht.

Ausführungssteuersprache

9) beschreiben Tür Ausführungssteuersprache:

Es wird von einem Verstärker unterscheidet sie festgesetzt in, welchem auf der Unterseite von npn ein T₂ eine negative Spannung von Hinweis V _R wird angewendet = -1.175V, während auf der Unterseite des anderen npn T₁ die Einkommenspannung hat, hat ein herausgenommenes V_ODER auf dem Kollektor verbundenenT ₁ zur Masse durch R_C1 und ein herausgenommenes V_NOCH auf dem Kollektor verbundenenT ₂ zur Masse durch R_C2 , werden beide die Entweichen dann vom diesem Transistor Taten wie vom Puffer ausgerüstet. Der große Vorteil, der vom Stromkreis angeboten wird, ist, daß T₁ und T₂ nie im Verbot oder in der aktiven Region aber in der Sättigung gefunden werden können, und kommt folglich das Zeit notwendige riassorbire die Aufladungen von der Unterseite gespeichert, wenn er von der Sättigung wird herausgenommen werden gewünscht.

Kurz gesagt wird der Stromkreis wie ein gegenwärtiger Shunter benommen, der alle in einem npn oder alle in anderen oder Zwischenweisen im Auftrag schieben kann dann, sich im R wieder zusammenzubringen_und . Es wird beobachtet, daß der Stromkreis FBI-Agent zwischen eine negative Spannung und Masse, zwecks übereinzustimmen das schermaggio und die gedeckten Geräusche auf den Entweichenspannungen folglich zu verringern kommt.

 

10) beschreiben Entweichen ODER von Tür Ausführungssteuersprache:

Wir nehmen, daß V_innen zum hohen Zustand sind und ungefähr 0V sind, werden gehabt an, die T₁ in der aktiven Region ist, während T₂ interdetto ist, folglich, das der Strom der Unterseite des Separators T₄ dem Strom einfach gleich ist, der das R _C2kreuzt , wenn für semplicità wir es betrachten, wird Null gehabt, daß V0_B4 = folglich die Spannung im Entweichen dem ddp den Köpfen von J _BE4 gleichist, die seiend T₄ in der aktiven Region ist 0,75V, im Wahrheit Holdingkonto des Falles auf das Rwird _C2 gehabt, der für hohes Einkommen V_ODER= - 0,76V.

Wenn V_innen bis das Bilden vermindern, zum von von T ₂ in der Übertragung und von von T ₁ im Verbot zu führen, das es hat, daß die Entweichenspannung der Summe von V _{das B4}und von V _BE4= 0,75V gleich ist in, wieviel T₄ es in der aktiven Region ist, vom Rest V_B4 wird _{der C2} das gegenwärtige multiplizierend =_dasE2 für den Widerstand R _C2geschätzt in, wieviel ist unwesentlich und mit gegenüberliegendem Zeichen die niedrigen Ströme von T₄ und von T₂ . Außerdem_{und E2} errechnet werden seiend kann berühmtesV , da T₂ in der aktiver Region und folglich in J _BE2= 0,75V ist, findet V_ODER = -1,54V.

 

 

11) beschreiben Entweichen NOCH von Tür Ausführungssteuersprache:

Ein V_in vielem interdice Tiefland T₁ und folglich in ihm schieben nicht Strom folglich werden gehabt, den V_NOCH die Summe von V_BE3 =0,75V ist in, wieviel T₃ in der aktiven Region und vom Fall der Spannung auf dem Widerstand R _C1ist , _NOCH wird V= -0,76V erreicht, das die gleiche Spannung ist, die auf Entweichen V gehabt wird,_ODER wenn das Einkommen zum hohen Zustand ist.

Zum Wachsen von V_in ihm wird gehabt, daß T₁ in aktive Region überschreitet und folglich der Fall seine Dose ungefähr 0,3V der Köpfe die Spannung des Entweichens wie Summe V folglich errechnet werdenmuß _{das BE3} mehr auf dem Widerstand R_C1, der, insofern als für einen Transistor in der aktiven Region der Kollektorstrom dem emettitore Strom ungefähr gleich ist, wird erreicht erreichtes einfaches ist

V_NOCH = -1,72V, daß V _in = für ein-0,47V erhalten werden.

Das V ulteriorly _inihm zu erhöhen ist gehabtes, daß T₁ in die Sättigung und folglich in V hereinkommt, die_{sind NOCH} sie bis das Verfangen herauf den Wert von V _NOCH=kennt - 1,45V für V_in= 0V.

 

12) Ermittlung des Umfanges der Übergang Region:

Beides npn in der aktiven Region werden betrachtet, haben die emettitore Ströme Ausdruck und das Ersetzen_und =_{E1 das} zu gewinnen pu² _E2,, das gerade so daß ist, wenn V_in= V_rif gehabt werden, das_E1=_{das E2} . Auferlegen, daß das Verhältnis zwischen den Strömen 0.05 und 0.95 auch wertIST, erhalten sie zwei Werte von DV, die sie anzeigen, da die Übergang Region betreffend die Spannung - V _Rif symmetrischist und 150mV ist.

 

13) Prozeß der Umwandlung in einer Tür Ausführungssteuersprache:

Wir betrachten dieses Entweichen, ODER einer Tür Ausführungssteuersprache Schleuse auf einem Kondensator Cüberschreitet _L vom hohen Zustand zum Zustandtief, das eine Spannung im Entweichen von -1,54V wird gehabt entspricht, das der Kondensator das geladene esponenzialmente ist, das dann zu â?"5,2V aber zur Konstante des erreichten Remains â?"1,54V ausdehnt.

 

14) Ableitung der Energie in einer Tür Ausführungssteuersprache:

Wir betrachten Entweichen, ODER der Tür ist eine Ausführungssteuersprache, wenn das Einkommen niedrig ist, daß, wenn hoch ist, die Energie, die vom Generator verteilt wird, wie Produkt der Spannung zu den Köpfen des Generators für die Summe des Stromes geschätzt wird, der in den Widerstand von emettitore und des Stromes schiebt, der in das emettitore von T ₄schiebt .

 

15) lockern aus Tür Ausführungssteuersprache heraus auf:

Der Ventilator heraus auf Niveau 0 kommt nicht errechnet in, wieviel ein Niveau 0 im Entweichen feststellt, daß der Transistor T₁ der Ladetüren interdetto ist und folglich er Strom, während bis zu dem Ventilator heraus auf Niveau 1 das minimale Niveau für den Störung Seitenrand auf Niveau 1 vorgeherscht wird, nicht als Beispiel D 1= 0,2V aufsaugt und die minimale Spannung im Entweichen abgeleiteter Korrespondent zum hohen Zustand ist, durch sie und wissend, daß T₁ der Ladetüren in der aktiven Zone ist, die es den Strom errechnet, der vom ciascuna von ihnen aufgesogen wird. Für das gleiche Vist _{das OH-} der Strom, der von der Tür verteilt wird, geschätzter Treiber und folglich kann es errechnet werden der Höchstzahl der Türen, die an Tür Ausführungssteuersprache angeschlossen werden können, solche Zahl ist ungefähr 500, jedoch, das der Erbauer in Dringlichkeit die Höchstzahl von 20 Türen empfiehlt.

MOS

16) Ausdrücke der Ströme in einem NMOS und in einem PMOS:

Region von triodo wenn dann ha

Region von saturazione wenn dann ha

Wo, seiend t die Stärke des Oxids unter dem Gatter eine, W die Breite der Führung und L seine Länge.

Es wird beobachtet, daß für einen PMOS die Gleichungen die gleichen zum Pakt sind, zum des pedici umzukehren.

 

17) Effekt der Temperatur auf dem Mosfet:

Zum Wachsen der Temperatur werden die zwei Effekte nach stattgefunden:

)       V_{das T, das} es vom °C 2,5mV/ vermindert

B)       vermindert Mobilität in, wieviel der Netzmagen abhängig von grösseren Erschütterungen ist und folglich es viele Erfolge der Stützen gibt

jedoch herrscht eine Zunahme der Temperatur entsprechend Effekt produziert folglich eine Verminderung des Stromes vor.

 

18) Invester zu MOS:

Er kennzeichnet sie des Einkommens wird zugetroffen auf Gatter eines MOS der Art an der Bereicherung, die wie Ladung einen Widerstand oder in den integrierten Schaltungen ein ein anderer MOS hat, der gesättigt werden kann, oder auch der Art zum Leeren, damit die Führung bereits in Ermangelung der Spannung auf dem Gatter eine gebildet wird. Wenn V_in < V_T gehabt, das die Führung nicht von der Seite der Quelle und folglich zum grösseren Grund gebildet wird, sie geben nicht die Seite des Abflusses sind und folglich der MOS interdetto ist, wenn V_in > V_T gehabt werden, das V_DS > V_GS â?"V_T @ der 0 folglich NMOS in Sättigung einträgt, der Strom, der Dias in ihr ist, die muß im Erreichen der Spannung des Entweichens von ersetzt werden das invester, wenn es in der Region der Sättigungs sich findet, von der es herausnimmt für , den Wert von V _ausvorher errechnet ersetzend ihm wird gehabt, daß dieses für V _in= 3,4V geschieht. In der Sättigung Region ist der Ausdruck_{des DS} und ersetzt sie in den Gewinnen die Spannung des Entweichens vom invester, wenn der NMOS in der Region von triodo gefunden wird. Ein wichtiger Parameter viel ist innen bis zu dem Wachsen von L_{R, das} der Übergang des Entweichens zwischen den NiveauHöhen und Tiefen und folglich schneller steiler wird.

 

19) Realisierung von Türen MOS:

UND erreicht das Legen in Kaskade zwei NMOS, während die Ladung, die von einem Haben von von MOS das Gatter eine cortocircuitato mit dem Abfluß festgesetzt wird, wird gehabt, dem eine Spannung von Einkommen V _in <V _T wie0 ein logisches betrachtet und nicht die Führung verursacht wird, erzielt einiges gesättigt wird, das das pu², zum des Stromes nicht zu schieben und folglich die Entweichenspannung immer ist, 1 zu ebnen, wann bis eine des MOS zwei des Einkommens es ein 0 angewendet wird.

NOCH haben Sie MOS zwei in der Ähnlichkeit, die mit der Quelle und dem Abfluß im Common ist, auf diesem letzten, das der MOS der Ladung der gesättigten Art gehabt wird und kommt gefangennahm die Entweichenspannung, die zum hohen Zustand ist nur wann zu beiden der MOS des Einkommens angewandtes 0 kommen und folglich interdetti ist und das Entweichen zum hohen Zustand ist.

20) Zeit des Aufstiegs und Zeit der Verkleinerung von einem Tür MOS:

Die Zeit des Aufstiegs ist, während die Zeit der Verkleinerung ist

es wird beobachtet, daß die Zeit des Aufstiegs der Zeit der Verringerung das viel grössere ist, wieviel Führung des Ladungtransistors entlang sein muß und festgezogen zum Ziel des Habens eines schnellen Überganges zwischen die zwei logischen Niveaus, aber in solch einem Weise kleinem Strom in ihn nur ein schieben kann, das die Fähigkeit mit den aufeinanderfolgenden Türen laden muß. Die Entladung des Kondensatores geschieht, überschreiten von der Region des Verbots der Sättigung Region und folglich zur Region von triodo, im Letzten werden die zwei Regionen die Zeiten der Entladung anders als verschieden seiend _derDS dieses Dia im MOS geschätzt.

Cmos

21) Tür Cmos:

Er kennzeichnet sie des Einkommens wird zugetroffen ist auf Gatter von angeschlossen, PMOS habend die Quelle an V_SS, das auf Gatter von angeschlossen, NMOS habend, die Quelle, um sich anzusammeln, das Entweichen anstatt auf dem Abfluß von beiden genommen wird. Kurz gesagt in solch einer Weise bestehen die Zeiten der Umwandlung betreffend ist Tür MOS in wieviel verringert werden, immer ein Abstand zum niedrigen Widerstand für Last und die Entladung mit der anwesenden capacitivo Ladung zum Entweichen der Tür. Um die Symmetrie zu verwirklichen ist es notwendig daß das k des PMOS es dem k des PMOS aber Mobilität der Elektronen sein ungefähr die doppelte Quantität von diesem von Abständen ungefähr gleich ist, ist notwendig daß das L des PMOS es die doppelte Quantität des L des NMOS ist.

 

22) Invester Cmos:

Für V_in < V_TN hat er selbst, daß T₁ interdetto ist, während T₂ in der aktiven Region ist und folglich das Entweichen zum hohen Niveau ist und V wertIST_{SS, das} für V _in> V _SSanalog ist, â?"V, das_TP gehabt wird, den T₂ interdetto ist, während T₁ in der aktiven Region folglich V­ _aus= 0V ist.

In den Zwischensituationen hat er selbst, der oder beide der MOS in der Sättigung gleich sind oder in der aktiven Region aber_demDS, uguagliando ihre Ausdrücke im NMOS und dem PMOS in Abhängigkeit von der Betrieb Region sein müssen, erhält den Wert des V_heraus für, welche Spannung des Einkommens. Von einer Studie des Ausdruckes vom gegenwärtigen findet, daß es fast ausschließlich zerstreut während der Umwandlung kommt, die folglich übertragenes steiles möglichstes sein muß.

 

23) Tür-NAND Cmos:

Zerteilen Sie von einem invester CMOS, zu dem es angewandtes der zwei kennzeichnet sie des Einkommens, zwischen dem NMOS kommt und der Masse den NMOS von entsprechend invester CMOS setzt, auf dessen Gatter das Einkommen angewendetes 2° ist, dem er auch den PMOS erreicht, der in der Ähnlichkeit zum PMOS von 1° der CMOS gefunden wird.

 

24) Tür Noch Cmos:

Zerteilen Sie von einem invester CMOS, zu dem es angewandtes der zwei kennzeichnet sie des Einkommens, zwischen dem PMOS kommt und V_SS den PMOS von entsprechend invester CMOS setzt, auf dessen Gatter das Einkommen angewendetes 2° ist, dem er auch den NMOS erreicht, der in der Ähnlichkeit zum NMOS von 1° der CMOS gefunden wird.

 

25) Ableitung der Tür CMOS:

Die ausschweifende Energie ist die Summe von drei Beiträgen, eine statische Energie wegen der Tatsache, die in der integrierten Realisierung verschiedene unerwünschte Diode Ventile, ein Energie Kurzschluß ist, der dieser ist, der gehabt wird, wenn es der PMOS ist, daß der NMOS in der Sättigung ist und eine Dynamik antreibt, das die dominierende Bezeichnung sind und verringert werden können, die Fähigkeit oder die Spannung des Einziehens vermindernd bildend, aber Aufmerksamkeit, weil die letzte Bestimmung feststellt eine Zunahme von von der Tür verzögert.

 

26) Verriegelung - Oben:

In der integrierten Realisierung von Tür CMOS sind verschiedene unerwünschte Diode Ventile anwesend, beschädigen sie Platz zu einem npn und zu einem pnp, sind Transistor diese zwei zwischen verbunden sie, zum eines Stromkreises mit mit den Widerständen des Substrates von Art n zu bilden und von von p zu schreiben. Es wird daß gehabt, wenn eine Störung oder eine photonic Bestrahlung den Strom auf dem emettitore des npn es ingenders eine positive Reaktion erhöht, die für eine kleine angewandte Spannung Platz zu einem erhöhten diesem Strom rechte ys der CMOS gibt. Insbesondere wird die Kurve, die die Sperrung beschreibt, von einem Triggerpunkt und von einer Spannung des Einflußes gekennzeichnet.

Zwecks verringern zu stören kann sie oder verringert werden den Widerständen des Substrates oder dem Gewinn des BJT.