Transistor MOS
1) beschreiben die Struktur eines NMOS zur Bereicherung:
Ein Kondensator MOS wird festsetzte von einem Metall gehabt, p_doped ein Oxid und ein a, KI Köpfe della Oxid haben wir zwei Droge beigemischte verbundene KI Clips der Regionen n des Abflusses und der Quelle, wird das Anwenden eines positiven Spannung Algatters gehabt, das in einem ersten Mal die unten Region von den Abständen geleert wird, nachdem das Al, zum von V Gzu wachsen zum Haben einer Führung der Minoritätstützen angekommen wird, die der Elektronflußdal Quellal Abfluß übereinstimmt.
2) ungefähre Analysedes DS mit der Steuerung der Lasten:
Der Stromdas D , das
in die Führung schiebt, wird einfach vom Verhältnis zwischen Lasten
Q nund der T Zeit
tr, der es beschäftigt, um
die Führung zu kreuzen, hat insbesondere beim 
Ersetzen 
von von ha gegeben 
3) komplette Analysedes DS mit der Steuerung der Lasten:
In diesem Fall wird der Fall nicht vom Aufsteigen sie
vernachlässigt, daß er entlang der Führung gehabt wird, gleichwohl,
zwecks das trattazione zu vereinfachen den Näherungswert der
Stufenweisführung an zweiter Stelle verwendet, den in der Richtung y
auffängt (…vom Abfluß zur Quelle) seien Sie
betreffend das Infinitesimal, das sie in Richtung x (vom…Gatter eine zum Hauptteil) außerdem werden angenommen
gehabt werden, die die Länge des L Führung von der Länge der Region
des Leerens zum Abfluß grösser ist. Der Fall des Aufsteigens
sind sie zum Innere einer Eigenschaft des Habens Führung R des
Widerstandes 
, wo 
das Ersetzen
erreicht wird 
und integrieren für Trennung von den
variablen und den Wert von m nzu ersetzen 
ist erreichter Entwurf der
Parabeln, die dasD zum
Schwanken von V Gausdrücken, jedoch, das sie nur Wert für V DS< V Gâ "V Tjenseits andeuten tatsächlich eine unwahrscheinliche
Leitfähigkeit unterscheiden sie Negativ haben und es lädt nicht
negatives in der Führung. Jedoch für Vwird DS >V G â "V T gehabt, das die Führung nah an dem
Abfluß unterbrochen wird und folglich ein Fort auffangen
verursachtes elektrisches ist, wem vor dem die Geschwindigkeit der
Stützen maximal ist und Konstante folglichder DS konstant sind und unempfindlich zu Vder DS sein Wert in dieser Region des
Betriebes tatsächlich ist 
.
4) Ermittlung von VT :
Der NMOS in der Sättigung ist gesetztes cortocircuitando
das Gatter mit dem Abfluß, folglich vom Entwurf von
einem geraden kann 
zur Eigenschaft zu des Schwankens von V D entworfen werden, das die Abszisse in V Tschneidet und dessen Steigung benutzt
werden kann, um Mobilität festzustellen.
5) Körper-Effekt:
Was die Ermittlung anbetrifft von VT auch in diesem Fall ist der NMOS in der Sättigung
gesetztes cortocircuitando, welches das Gatter mit dem Abfluß
außerdem eine Spannung V B am
Hauptteil anwendet, zu seinem wird zu wachsen gehabt, dem das gerade,
dem zum Schwanken von V Dtrasla parallel zu wenn selben darstellt
und folglich zum Wachsen von VB es auch V Terhöht .
5) Transconduttanza:
Es kann errechnet werden, das I Dbetreffend ist V Gableitend, erreicht 
pro
VD < gesessenesV S .
6) Zeit der Durchfahrt:
Die Zeit der Durchfahrt in der Führung eines MOS, wenn
man die Sättigung hat, die Quelle zum sich anzusammeln wird
geschätzt mit dem Integral 
, in dem 
und VC das pu², zum
gewonnenes Beheben für Trennung der Variable zu sein die Gleichung
sie unterscheiden 
, 
wird erreicht,
das sie liefert ersetzte und integrierte 
.
7) CMOS:
Es ist ein Stromkreis, der von einem PMOS festgesetzt wird und ein Haben von von NMOS der Abfluß im Common, während die Quelle des PMOS zu V SSist, während die Quelle des NMOS sich ansammeln soll, das Gatter ist anstatt cortocircuita zu Ihnen und kommen sie es angewandte Markierungen sie des Einkommens, während das Entweichen auf dem Abfluß genommen wird. Die Haupteigenschaft dieser Konfiguration ist, daß eine des MOS zwei nur Strom während der Umwandlungen aufsaugt in, wieviel wechselweise interdetto ist und das andere in der aktiven Region ist.
