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Zweipoliger Transistor 1) Dichte gegenwärtigen J Elektronsn, die es in ein npn schiebt: In einem BJT npn gibt es einen unwesentlichen Abstand Fluß in die Unterseite und folglich von der Gleichung des Durchganges die langen elektrischen auffangen, abgeleitet werden kann der Mittellinie, x , die in der Gleichung des Durchganges für Abstände ersetzte und das Werden einfacher nach Ansicht dem Mitglied das Verlassen gibt, nur, welches die Ableitung unterscheidet sie erreicht wird, vollkommenes entlang der niedrigen Region folglich integrieren hat und die Werte ersetzen, wird erreicht, wo , fast konstantesD n annehmend in der Unterseite und folglich haben wir sie mit seinem mittleren Wert während ersetzt
2) BJT Prototyp: Entwurf des Transistors mehr nah an der Formulierung von Schottky, in ihm tatsächlich die Konzentration des Droge Beimischens Droge Beimischens ist in den verschiedenen E Regionen dort sind plötzliche Veränderungen von drogaggio zu den Spleißstellen konstant.
3) aktive Polarisation eines BJT: Spleißstelle IST wird polarisiert direkt, verringert die die Sperre des Aufsteigens sie und folglich kommen die Elektronen inettati in der Unterseite, während Spleißstelle BC polarisierte umgekehrt folglich Elektronen kommt hinausgeschoben in Richtung zum Kollektor, die Unterseite sind außerdem viel Griff kann folglich verwendet werden der Theorie des Diode Ventils zur kurzen Unterseite, zwecks zu sagen, daß die Verteilung der Minoritätstützen, die übermäßig sind, nicht exponential ist, aber abzugrenzen ist. Sein VNegativ IST,IST das verbundene exponentiale zu ihm den 1 folglich Strom wert, der Dias im BJT abhängt folglich in der exponentialen Weise von der angewandten Spannung ist, erreicht graficando diese Relation auf einem semilogaritmica Papier ein gerades dessen Steigung folglich umgekehrt proporziona sie zur Temperatur ist, daß sie übereinstimmt, Sensoren des dieses Umfangs zu verwirklichen, außerdem IST Durchschnitt mit MittellinieV = 0 gibt uns von J S denWert und von diesem kann der Wert uns der Lasten mit anwesendem Built_In in der Unterseite , dividendola gewinnen für Lasten q ist erhaltene dopanti Atom-Zahlgeschenke in der Unterseite, alias Zahl von Gummel, das es wichtig ist, weil viel mehr das viel größte man ist der Strom klein ist, der vom BJT transportiert wird.
4) Gewinn des Stromes in einem BJT: Der Strom, der zwischen emettitore und nach Unterseite schiebt, liegt an den drei Beiträgen im wesentlichen: ) Rekombination von Elektronen iniettati vom emettitore mit anwesenden Abständen in der Unterseitedas Rb B) Rekombination der Elektronen, die iniettati vom emettitore in der Region der Lasten sperrt, enthielt sie zwischen emettitore und Unterseite c) Abstand Fluß von der Unterseite zum emettitoredas PET Seiend vom Strom, der iniettata vom emettitore kommt und den es selbst in den vorher angezeigten Mitgliedern und im Mitglied zerlegt, das der Kollektor sich oben verfängt, kommen Sie definiert die folgenden Koeffizienten: ist der Faktor der Rekombination in der Unterseite ist die emettitore Leistungsfähigkeit in arbeiten ihnen definieren den Parameter zuF, dem relazionadas C zuund das cioè C = -zu F undzum Betrüger zuwird F =ga T, ersetzend in der Gleichung der Ströme im BJT C= b F, dasB erreicht, wo bF Gewinn des Stromes in ununterbrochenem ist.
5) Modell von Ebers-Moll: Dieses Modell hält im wesentlichen Konto des StromesSEIN, das vorher in der Spleißstelle unterschlägt sie zum anwesenden Strom J ndaß es geht vom emettitore zum Kollektor wiederverbunden wird, insbesondere hat das Ersetzen des gefundenen Ausdruckes fürJ n und in der analogen Weise kann ausgedrückt werden, denn zerlegendes 1ª der Quadrant und Addieren und Unterschlagendes S wird es erreicht und auch . In diesen largenesses gibt es 4 inkognito jedoch nur 3 sind unabhängig in, wieviel zwischen sie vige die Reziprozitätrelation , der entsprechende Stromkreis sehen, daß zwei abgeschaffene Diode Ventile wie innen ein npn von den Diode Ventilen, jeder von ihnen hat dann in der Ähnlichkeit einen gegenwärtigen Generator festsetzten.
6) Früher Effekt: Für ein BJT, das in der aktiven Regionspleißstelle BC polarisiert wird, wird umgekehrt polarisiert, folgt sie, daß einige, daß der entsprechende Umfang der Region der Lasten sie ist Funktion der angewandten umgekehrten Spannung sperrt und die eine Veränderung des Stromes hat tatsächlich Taube ist die Spannung von Hearly, können insbesondere beobachtet werden andeutet, das, wenn VCOLUMBIUM sich erhöht, sich auchdas C erhöht. Von einem graphischen Gesichtspunkt sindV zu der Durchschnittpunkt auf der Mittellinie der abscissas der Tangenten zu den parametrischen Kurven vonC entsprechend VCER (… und folglich auch des VCOLUMBIUMS, da im aktiven Region CER =im V COLUMBIUM gehabtes V 0,7V ist), das solche Tangenten genommen im verlassenden Punkt von der Sättigung geht und anstatt betrachten die Tangenten zu den geraden der aktiven Region, erhält einen Wert V' mehr Profit für die Planung in wieviel relatives zu den Regionbetrieb Werten.
7) Kirk Effekt: Wir sind in Zuständen der High_Level Einspritzung, wenn die Bevölkerung der Majorität Stützen zum Gleichgewicht schweres geändert von der Polarisation kommt, wenn dieser Zustand zum Kollektor anwesend ist, hat den Umfang der Region der Lasten, die Räume sie ausdehnt, um zu vermindern, und entsprechen die Fastnullregion der Unterseite wird erweitert, von ihm fällt es aus, daß es den Gewinn im Strom des BJT vermindert und schlechter die Antwort in der Frequenz von der gleichen erhält.
8) Zeit der Durchfahrt in der Unterseite:
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