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Zweipoliger Transistor 1) Dichte gegenwärtigen J Elektronsn, die es in ein npn schiebt: In einem BJT npn gibt es einen unwesentlichen Abstand
Fluß in die Unterseite und folglich von der Gleichung des Durchganges
2) BJT Prototyp: Entwurf des Transistors mehr nah an der Formulierung von Schottky, in ihm tatsächlich die Konzentration des Droge Beimischens Droge Beimischens ist in den verschiedenen E Regionen dort sind plötzliche Veränderungen von drogaggio zu den Spleißstellen konstant.
3) aktive Polarisation eines BJT: Spleißstelle IST wird polarisiert direkt, verringert die
die Sperre des Aufsteigens sie und folglich kommen die Elektronen
inettati in der Unterseite, während Spleißstelle BC polarisierte
umgekehrt folglich Elektronen kommt hinausgeschoben in Richtung zum
Kollektor, die Unterseite sind außerdem viel Griff kann folglich
verwendet werden der Theorie des Diode Ventils zur kurzen Unterseite,
zwecks zu sagen, daß die Verteilung der Minoritätstützen, die
übermäßig sind, nicht exponential ist, aber abzugrenzen ist.
Sein VNegativ IST,IST das verbundene exponentiale zu ihm den 1 folglich
Strom wert, der Dias im BJT abhängt
4) Gewinn des Stromes in einem BJT: Der Strom, der zwischen emettitore und nach Unterseite schiebt, liegt an den drei Beiträgen im wesentlichen: ) Rekombination von Elektronen iniettati vom emettitore mit anwesenden Abständen in der Unterseitedas Rb B) Rekombination der Elektronen, die iniettati vom emettitore in der Region der Lasten sperrt, enthielt sie zwischen emettitore und Unterseite c) Abstand Fluß von der Unterseite zum emettitoredas PET Seiend vom Strom, der iniettata vom emettitore kommt und den es selbst in den vorher angezeigten Mitgliedern und im Mitglied zerlegt, das der Kollektor sich oben verfängt, kommen Sie definiert die folgenden Koeffizienten:
in arbeiten ihnen definieren den Parameter zuF, dem relazionadas C zuund das cioè C = -zu F undzum Betrüger zuwird F =ga T,
5) Modell von Ebers-Moll: Dieses Modell hält im wesentlichen Konto des StromesSEIN, das vorher in der
Spleißstelle unterschlägt sie zum anwesenden Strom J ndaß es geht vom
emettitore zum Kollektor wiederverbunden wird, insbesondere hat das
Ersetzen des gefundenen Ausdruckes fürJ n und auch In diesen largenesses gibt es 4 inkognito jedoch nur 3
sind unabhängig in, wieviel zwischen sie vige die
Reziprozitätrelation
6) Früher Effekt: Für ein BJT, das in der aktiven Regionspleißstelle BC
polarisiert wird, wird umgekehrt polarisiert, folgt sie, daß einige,
daß der entsprechende Umfang der Region der Lasten sie ist Funktion
der angewandten umgekehrten Spannung sperrt und die eine Veränderung
des Stromes hat Von einem graphischen Gesichtspunkt sindV zu der Durchschnittpunkt auf der Mittellinie der abscissas der Tangenten zu den parametrischen Kurven vonC entsprechend VCER (… und folglich auch des VCOLUMBIUMS, da im aktiven Region CER =im V COLUMBIUM gehabtes V 0,7V ist), das solche Tangenten genommen im verlassenden Punkt von der Sättigung geht und anstatt betrachten die Tangenten zu den geraden der aktiven Region, erhält einen Wert V' mehr Profit für die Planung in wieviel relatives zu den Regionbetrieb Werten.
7) Kirk Effekt: Wir sind in Zuständen der High_Level Einspritzung, wenn die Bevölkerung der Majorität Stützen zum Gleichgewicht schweres geändert von der Polarisation kommt, wenn dieser Zustand zum Kollektor anwesend ist, hat den Umfang der Region der Lasten, die Räume sie ausdehnt, um zu vermindern, und entsprechen die Fastnullregion der Unterseite wird erweitert, von ihm fällt es aus, daß es den Gewinn im Strom des BJT vermindert und schlechter die Antwort in der Frequenz von der gleichen erhält.
8) Zeit der Durchfahrt in der Unterseite: |