Spleißstelle Pn

1) mischte Analyse eines Halbleiters in der willkürlichen Weise Droge bei:

Das Vorhandensein einer Steigung der Konzentration von Stützen gibt zum Platz zu einem Strom Verbreitung von der Region zur grösseren Konzentration in Richtung zur Region zur kleineren Konzentration, die Träger, die per² Urlaub von den ionischen des gegenüberliegenden Zeichens sich verschieben, die Verteilung der Lasten, die er gibt zum Platz zu einem elektrischen auffängt erhalten wird, wem dem entfernteren Elektronfluß folglich zum Gleichgewicht entgegensetzt, das der Halbleiter von einer ruhigen variablen Konzentration der Stützen mit der Position gekennzeichnet und von ihm sie von Errichten-In verbessert wird. Das Vorhandensein von einem elektrischen fängt ableitet einfaches auf, das auf den Banddiagrammen beobachtend die Energie, die das Niveau des Unternehmens vom Leitungsband ist Energie verbessert sie trennt, während der Unterschied von Energie zwischen dem Band der Übertragung und von Energie des Elektrons kinetische Energie von diesem letzten ist, wie Aufsteigen sie folglich verbessert definieren und an die Relation zwischen ihr sich erinnern sie und fängt hat auf, in wieviel und_{in f} er in einem Halbleiter zum thermischen Gleichgewicht konstant ist und folglich seine Ableitung ungültig ist, während und es zur Mitte zwischen Wertigkeitband gefunden wird und Leitungsband und sich folglich verändert, wenn Halbleiter hat variables drogaggio.

Zum thermischen Gleichgewicht fand der Strom, der Dias im Halbleiter in der durchschnittlichen Null von der Gleichung von Antrieb u. Diffusion (Zerstäubung) ottiene des Restes, der selbst folglich sein müssen uguagliando die zwei ist, Ausdrücke, den zu erreichen, der zwischen zwei Punkten zur verschiedenen Konzentration integriert wurde, die es oder in der exponentialen Form liefert .

 

2) Gleichung von Poisson für einen Halbleiter mit einem generischen drogaggio und seiner Vereinfachung:

wo e ersetzt worden ist. Die Gleichung ist nicht im allgemeinen Fall folglich kommt häufig annahm zwei Vereinfachungen solvable:

_zu       ) Näherungswert von Fastneutralität, kurz gesagt nimmt sich sie, daß die Konzentration der Stützen ist das pressoche, das der Konzentration der Verunreinigungen gleich ist, ist nie an gültig, wieviel im Hauptteil dem folglich zu zweitem des drogaggio des Halbleiters ha n =N _d oppure p =N .

B)       Näherungswert der Entleerung, Vorbetrachtungen, daß die Konzentration der freien Stützen zur Konzentration der ionizzate Verunreinigungen viel minderwertig ist, im sostanza n < < N_d oppure p < < N_zu .

 

3) Spleißstelle PN zum thermischen Gleichgewicht:

Als a p_doped, wird zum Kontakt mit a n_doped hat eine plötzliche Veränderung des drogaggio in der Korrespondenz der Spleißstelle hat folglich einen Elektronfluß von der Region n zur Region p und einen Abstand Fluß im Entgegengesetzten zurück gesetzt, folglich in den Ursprung Regionen bleiben sie von den ionischen, die ein elektrisches auffangen erzeugen, wem der entfernteren Verbreitung der Lasten sich entgegensetzt. Um diese Situation zu analysieren ist der Näherungswert verwendete fast Neutralität im Hauptteil und der Näherungswert der Entleerung in der Region der Lasten sperrt sie Post zum ridosso der Spleißstelle, in ihm folglich, welches die Gleichung von Poisson auf verringert wird , des Gebrauches um es zu finden das elektrische aufzufangen. In n_doped das N= 0 es für 0 folglich integrierend < x < x_n, das in der Region der Lasten sperrt sie von n_doped hat ist , analog für p_doped Entdeckungen das ununterbrochene sein die folglich müssenden auffangen im Ursprung könnte nicht Aufsteigen anders zulassen sie, findet die Relation kurz gesagt, das Verlängerung, da der hauptsächlich Droge beigemischte Halbleiter eine kleinere Verlängerung der Region der Entleerung hat.

Die Integrierung auffangen ulteriorly, das es in erreicht wird, n_doped Aufsteigen sie, während innen p_doped, wo x_n und x_p i sind es sie zu den Enden der Region der Entleerung verbessert und ihr Unterschied Aufsteigen sie von Built_In entspricht .

 

4) verbessert es es von Errichten-In für einer Spleißstelle p n:

dieses, weil im Fall von einem Halbleiter viel Rauschgiftsüchtiger das Niveau des Unternehmens viel Nachbar bis eins der zwei Bänder ist.

 

5) polarisierte Spleißstellen PN umgekehrt:

Zutreffend auf eine umgekehrte Polarisation, die vom Generator auf der Region n ist, werden die Maße der Region der Entleerung erhöht, denn sie hat tatsächlich, während auch die elektrischen auffangen für, welches gehabt wird, während die Fähigkeit in vermindert wieviel die Rüstungen weggeht, hat, das die klassische Fähigkeit für kleine Markierungen sie ist.

Natürlich seit der Erhöhung des Polarisationgegenteils, erhöht sich sie auf das elektrische auffängt, muß irgendein Phänomen insbesondere geschehen oder durchbrechen, daß Sie den Betrieb begrenzen, bevor der Bruch der Vorrichtung die folgenden Effekte eingeführt werden kann:

Effekt Valanga, das die elektrischen angewandtes auffangen, beschleunigt eine freie Stütze, der es ein Atom und von freiem ein Wertigkeitelektron trifft. Zu Fortsetzung Zusammenstoßes 3 haben die Stützen selbst, zwei Elektronen und ein Abstand, die kommen, beschleunigt von auffangen, das eben Platz zu Ihnen zu anderen Erfolge gibt.

Effekt Zener , wenn der Halbleiter viel Rauschgiftsüchtigüberprüfung der Zener Effekt vor der Effekt Lawine ist, insbesondere wird, dem seiend die Region von ihr Räume sie viel klein lädt, das elektrische auffangen also werden erhöht, um von den covalenti Riegeln abzubrechen und vom Klammern Elektron-Abstand zu verursachen gehabt.