Spezielle Diode Ventile

1) Gunn Diode Ventil:

Hohes man ist ein benutztes Diode Ventil, zwecks Antriebe zur Frequenz zu verursachen viel wird festgesetzt von einem Halbleiter der Art n verwirklichter betrügerischer GaAs mit der Kathode, um sich anzusammeln und der Anode, die hier mittels eines variablen Widerstandes, mittels der Sicherungen eines Kondensatores die Entweichenantriebe eingezogen wird. Der GaAs ist ein Halbleiter mit einem Abstand, der direkt ist und ein Abstand, der vom zweiten folglich erhöhten Wert zum elektrischen indirekt ist, fangen auf, daß wir uns haben zwei verschiedene mobilities folglich zwei verschiedene Leitfähigkeiten insbesondere zum Wachsen auffangen und vermindern die Leitfähigkeit anwenden in, wieviel die wirkungsvolle Masse erhöht.

Wir nehmen, daß sie gekommen werden, um zwei Verteilungen Lasten der positiven Ähnlichkeiten zu verursachen, sie beschädigen Platz zu 2 lokalen elektrischen auffangen von an, welchem eine Summe zum externen auffangen, das nahe bei dem kritischen auffangen ist und das andere wird gehabt folglich als Beispiel, daß die Elektronen mehr Scheiben eines Ventils als die nach sind, herstellt einen Stopper unterschlagen wird, der Platz zu einem Antrieb gibt.

 

2) Schöße:

Entwurf eines Kondensator MOS, in dem er kommt, verursachte die leerende Region, das Photon, das Aufzeichnungen auf ihr zum Platz zu einem Klammer Elektron-Abstand gibt, der ausgehalten getrennt von auffangen kommt, das Platz zu einem gegenwärtigen Antrieb gibt, der gefangengenommen von der Seite des Metalls mittels eines Kondensatores kommt.

 

3) Fotodiodo:

Entwurf einer polarisierten Spleißstelle PN umgekehrt, die Gleichung ist in der Photonabwesenheit hat den Strom von buio, der sie, wenn anstatt sie von den Photonen notieren, muß einen Strom _{das S}dem Strom von buio hinzugefügt werden negativ ist, insbesondere, welches die Intensität dieses Stromes maximal ist, wenn das Photon gerade in der Korrespondenz der Spleißstelle schlägt und von diesem weggehen vermindert, weil es die Wahrscheinlichkeit erhöht, die die hergestellte Minoritätträger selbst wiederverbindet, bevor er herauf die Spleißstelle sich verfängt.

Spleißstelle PN wird mit einer Region p verdünnen viel ein, den Strom _dasS verwirklicht, das ist erhalten wird

 

4) Diode Ventil Tunnel:

Entwurf einer Spleißstelle PN, in der beide Regionen viele Rauschgiftsüchtige sind, in solch einer Weise, welche die Region der Lasten sie sperrt, ist, etwas nm Infinitesimal, und folglich können Sie es Elektrondurchgang, jedoch sein damit Effekt Tunnel sbisogna Konto hält, daß die Elektronen, zu denen das es erlaubt wird, sind die, die zwischen dem Niveau des Unternehmens enthalten werden und das Band der Wertigkeit von n_doped und können einen Sprung zur konstanten Energie in Richtung zu den Abständen nur bilden, die zwischen dem Band der Wertigkeit enthalten werden und das Niveau des Unternehmens von p_doped. Es wird gehabt, daß, die zwei Bänder umgekehrt polarisierend, mit sie nicht gedeckt werden, während direkt polarisieren zum Haben des Maximums der Aufeinanderschichtung angekommen werden kann.

Die Eigenschaft des diodo stellt eine Eigenschaft zur negativen Steigung folglich zum Widerstand unterscheidet sie Negativ vor, das verwendet, um die Typologie 3 des Oszillators zu verwirklichen kommt:

) monostabile schneidet das gerade der Ladung die Eigenschaft in einer Eigenschaft zur positiven Steigung

B) bistabile das gerade der Ladung schneidet die Eigenschaft in 3 Punkten, von denen nur die auf den Eigenschaften der Eigenschaft zur positiven Steigung dem beständigen Gleichgewicht entspricht.

c) astabile das gerade der Ladung trifft die Eigenschaft auf der Eigenschaft zur negativen Steigung.

 

5) Diode Ventil Resonanztunnel:

Er wird von gewechseltem GaAs zu AlGaAs muß gebildet werden festgesetzt, damit es einen einzigen vorhandenen Zustand gibt und das erreichtes Fungieren auf dem Abstand ist.

 

6) führendes Diode Ventil:

Entwurf einer Spleißstelle PN, die mit einem Halbleiter zum Abstand verwiesen wird wie der GaAs, direkt polarisierend verwirklicht wird, hat einen Elektrondurchgang vom Band der Übertragung zum Band der Wertigkeit mit konsequentem, Photonemission habend, die versehentliche Phase folglich eine Quelle des zusammenhanglosen Lichtes erhält.