Banddiagramme

1) Struktur des Silikons und des Diamanten:

Im Innengehäuse des Diamanten gibt es 2 Elektronen auf dem Niveau von Energie 1s, während entsprechend Oberteil es von zwei Elektronen auf dem Niveau von Energie 2s und andere 6 auf dem Niveau von Energie 2p festgesetzt wird. Das Silikon hat dann ein drittes Oberteil, das von 2 Elektronen auf dem Zustand 3s und von 2 Elektronen auf dem Zustand 3p festgesetzt wird.

 

2) energische Niveaus des Diamanten zum Vermindern des retikulären Parameters:

Ein wird gehabt herauf das die Niveaus 2s und das Treffen 2p, das niedrig ein Band Wertigkeit von 4N verursacht, ist festgesetzt, ist Band der Übertragung auch, das es von 4N festsetzte und in den Mitteln ein verbotenes Band? daß auch das Niveau 1s Ort degeneriert zu den verbotenen Bändern zum 0K das Leitungsband außerdem gebend es zu beachten ist leer während das Wertigkeitband voll ist.

Der Wert des Abstandes ist Funktion der Art von drogaggio des Halbleiters.

 

3) Faktor von Boltzman:

 

4) Fermi-Dirac-Dirac Funktion:

 

5) Dichte der Zustände:

 

6) tatsächliche Konzentration der Elektronen und der Abstände:

zur umgebenden Temperatur (300K)IST sie 2.5*10¹⁹ wert.

 

7) Niveau des Unternehmens:

es ist interessant, zu beachten, daß das Niveau des Unternehmens genau zur Hälfte des Energieabstands im Fall gefunden wird, daß die Masse des Abstandes der Masse des Elektrons gleich ist.

 

8) Energie des Unternehmens im Fall von einem Droge beigemischten Halbleiter:

es wird folglich dem im Fall vom drogaggio von Art p beobachtet, welches das Niveau des Unternehmens in Richtung zum Wertigkeitband verschoben wird, während im Fall vom drogaggio von Art n das Niveau des Unternehmens in Richtung zum Leitungsband verschoben wird.

 

9) verbrittener und Gleichungen Antrieb:

 

10) Relation von Einstein:

 

11) Effekt des Durchschnitts zwischen dem festen Niveau des Unternehmens und dem Niveau von Intrinsic :

Es wird daß die Region gehabt, wie in der das Niveau des festen Intrinsic, den es zum disotto des Niveaus findet des Unternehmens, benannte Umlenkung Zone kommt in, wieviel, wenn Droge mehr es nicht als beigemischt wurden, schreiben p aber von Art n ist.

 

12) Effekt des Durchschnitts zwischen dem Niveau des Unternehmens und dem Band der Übertragung :

In der in der Region das Niveau des Unternehmens wird es über dem Leitungsband gefunden, das es die sogenannten âgas von elettroniâ? verursacht, denen es den Halbleiter vom ganzem ähnlichen zu einem Metall macht.

 

13) Realisierung eines Banddiagramms:

)       setzt das Entwerfen es nebeneinander das energische Niveaus relati zu Ihnen zu den verschiedenen Materialien und die Abstände zu kennzeichnen, die im Kontaktmetallhalbleiter unverändert insbesondere bleiben müssen, muß unveränderter Energieabstand des Halbleiters und des Abstandes des Niveaus von Unternehmen des Metalls betreffend ist das Band der Übertragung und zum Band der Wertigkeit des Halbleiters bleiben, während im Kontakt zwischen zwei Halbleitern die Werte der Energie zwei unveränderter Abstand, der Abstand zwischen den zwei Bändern der Übertragung und der Abstand zwischen den zwei Bändern der Wertigkeit bleiben müssen.

B)       Entwerfen in der die Rückseite die Elektronen, das vom Material mit erhöhter Energie des Unternehmens in Richtung zu diesem mit Energie des festen Dias mehr mehr Tiefland ist.

c)       Gegründet auf der Rückseite, in der die Elektronen schieben, um festzustellen, wenn die Bänder in der materiellen Bestimmung angehoben werden, oder sie gesenkt werden, insbesondere, wenn Elektronen weg von einer Art Halbleiter n gehen, werden das in der Korrespondenz der Spleißstelle es, wenn von ihm impoverisce und folglich das Niveau des Unternehmens senkt, das Annäherungen selbst ist, die eine eines I-Halbleiters, habend, aber es, um fest zu bleiben hat selbst gehabt, daß das Leitungsband weg von ihm gehen muß, das sich anheben soll. Analog, wenn die Elektronen in die Art Halbleiter p fließen, wird es, wenn es einiges anreichert und folglich es gehabt wird, daß das Niveau des Unternehmens dieses eines I-Halbleiters sich nähert, der das Leitungsband geht weg vom Niveau des Unternehmens und des Habens es, fest zu bleiben ist, das Leitungsband gesenkt.

d)       Das Niveau des festen Intrinsic entwerfen immer enthalten zwischen dem Band der Wertigkeit und dem Band der Übertragung

und)       die Übergang Region, in der die Bänder, sich anfangen zu falten, schließlich zu seinem Innere zu kennzeichnen kreuzt die Region der festen Umlenkung, die gehabt werden, wenn das Niveau von Intrinsic das Niveau des Unternehmens schneidet, schließlich zu seinem Innere die Region von Degeneration, in der das Band der festen Übertragung das Niveau kreuzt von…(Elektrongas) oder das Band der festen Wertigkeit das Niveau von (…Abstand Gas).

f)        Das Diagramm der Dichte von ihm zu entwerfen lädt die Zonen zurück holen, die zum Punkt gekennzeichnet werden und) und die Region des Überganges mit ihr kennzeichnend reparierten Lasten Positiv im Fall von einer Art Halbleiter n und Negativ im Fall von einer Art Halbleiter p, während die Umlenkung Regionen von geladenen Möbeln zum exponentialen Kurs schließlich die Degenerationregion gekennzeichnet werden sind von ihm lädt örtlich festgelegtes viel klein und gekennzeichnet. Das Metall wird dann gehabt, das für Abstossung Lasten abschuf ganz ein auf der solchen Auflagefläche und das Material total Null zu machen vorstellt.

g)       Zu zu entwerfen Diagramm von elektrisch auffangen holend zurück Zonen angezeigt Punkt und) und erinnernd, daß die elektrischen auffangen, ist Integral von Last, für die in der Übergang Region, in der sie lädt örtlich festgelegtes hat ein gerades, in der Umlenkung Region, in der es gehabtes Lasten Möbelstück zum exponentialen Kurs ist, das elektrische auffängt hat auch es exponentialer Kurs gehabt wird und in der Region des Kontaktes zwischen zwei verschiedenen Halbleitern respektiert werden müssend der Erhaltung der Bewegung der Fördermaschine D, eine Unstimmigkeit vom elektrischen auffangen muß gehabt werden.

h)       Das Diagramm von ihm zu entwerfen verbessert ihnen die Zonen zurück holen, die dem Punkt angezeigt werden und) und das Daran erinnern daß sie sie verbessert wird das elektrische integrierend auffangen erreicht und cambiandogli des Zeichens folglich in der Übergang Region in der die elektrischen ist ein gerades, sie verbessert sie ist eine Parabel auffangen während in der Umlenkung Region in der die elektrischen auffangen ein exponentiales ist, verbessert sie ist auch exponential es aber mit dem gegenüberliegenden Zeichen schließlich in der Übergang Region man ist gehabte Parabel. Es wird beobachtet, daß in der Region, wohin die zwei Halbleiter kommen in Verbindung zu treten und folglich es eine Unstimmigkeit vom elektrischen auffangen läßt, eine Unstimmigkeit des Aufsteigens auch gehabt werden müssen sie.

 

14) Calcolo des Funktion Jobs eines Materials:

Das Maß des Funktion Jobsq f der Abstand im eV zwischen dem leeren Niveau von und_{das 0} und das Niveau des Unternehmens eines Materials, hängt es von den körperlichen Eigenschaften des Materials ab, um es zu messen setzt das Material auf eine Platte eines Kondensatores, in dem der Abstand zwischen den Rüstungen es gebildet, um das Gesetz, auf der anderen Rüstung an zweiter Stelle zu verändern kommt Platz kommt, der als Beispiel ein Haben des berühmten Jobs Funktion des Materials das Gold. Der Kondensator kommt aufgeregt mit einem Kontinuumfluß, während, wenn von vor, den Abstand zwischen die Rüstungen zu verändern der Strom ist, der erreicht, zum Clipnegativ von einem funktionsfähigen, das das andere Ende hat zum sich anzusammeln, eine Spannung wird erreicht sended, die es proporziona sie zum Unterschied des Funktionen Jobs ist und mittels eines Detektors des wirkungsvollen Wertes errechnet werden kann.