Transistoren bewirken auffangen

1) Vergleich zwischen FET und BJT:

Vorteile

)       Einkommensteifheit viele erhöht ( @ 10¹⁰ W)

B)       verringerte Maße

c)       Immunität zu den Geräuschen

d)       ist es zum unipolare

Nachteile

das Banda*Guadagno Produkt ist folglich in VHF ist preferibile ein BJT minderwertig.

 

2) Grundregel des Betriebes des FET:

Ein Stab des Droge beigemischten Halbleiters ist gehabtes n, wenn auf dem Gatter eine viel, die intensiv von einem Droge beigemischten Halbleiter p festgesetzt werden, anwendet eine negative Spannung, wird es gehabt, daß die Spleißstelle pn umgekehrt polarisiert wird und folglich eine leerende Region gehabt wird, die, die Führung seiend weniger Rauschgiftsüchtiger, meistens in ihr eine Behinderung feststellend auf den gegenwärtigen Fluß verlängert, wenn wir V _GSregeln und wir wenden eine Spannung V_{DS an, den} wir haben, daß sie linear vom Maximalwert schwankt, den sie auf der Quelle zum minimalen Wert hat, den sie auf dem Abfluß hat. In einem Punkt welches wir haben, daß die Spannung die Summe der zwei Spannungen ist, wenn ausfallendes dieses so ist, zum in der intensiven Weise der Spleißstelle pn umgekehrt zu polarisieren, hat das Erdrosseln und folglich Strom schiebt nicht einiges_{das D,} aber diese Überprüfung nie in wieviel, wenn_D = 0 dann nicht von gefallen ist, sie nicht zum Innere der Führung verbessert und folglich wir kann nicht das Erdrosseln sein oder, wenn_{das D}¹0 gehabt werden muß, das im Punkt, in dem die Führung die spezifische Stromdichte unterbrochen worden ist, es gehen muß endlos aber das ist nicht realistisch.

 

3) Eigenschaft des Entweichens für die Konfiguration zum Quellcommon:

_{Der GS} drückt _{das D} in Abhängigkeit vonV _{der DS aus, der} wie Parameter Vhat, unterscheidet die drei folgenden Regionen:

Ohmmica Region

Es ist die Zone für, welches V, das_{der DS} von V _{das P}, das theoretisch die Breite der Führung annulliert, dieses letzte man kleiner ist, zum konstanten Umfang 2b(V _GS)Angestelltenvon V folglich betrachtet werden kannder angewandte _GS, der FET sich benimmt folglich wie eine Leitfähigkeit, die von V _derGS des Wertes gesteuert wird.

Region des konstanten Stromes oder der Sättigungs

Wenn V_{der DS} sich oben V _Pverfängt , wird die Breite der Führung minim und des D Wertes nah an der Quelle, zum Wachsen von V_{der DS, den} ausdehnt der Umfang der Führung zu entlang dem gleichen wie auch der Strom konstant sein_{das D} , das in es schiebt, die Eigenschaft ist folglich horizontal und zum Wachsen umgekehrter Polarisation V_GS klemmenSie offenkundig bereits für Vminderwertiger _DS und folglich wird kleinerem einem _dasD gehabt . Der Ausdruck des Stromes in dieser Region ist , wo_{der DSS} der Wert des I _Dfür V _GS= 0 sind, von ihm, den, es beachtet werden kann daß das fet interdice, wenn _GS =V _P gesetztes Vist .

Region des Zusammenbruches

Zum Wachsen von Vhat _{der DS} über der Zone zum konstanten Strom, Überprüfung hinaus die Effektlawine und eine plötzliche Zunahme_{des D} zur fast konstanten Spannung, natürlich zum Wachsen umgekehrter Polarisation V_{GS, den} der Zusammenbruch sich oben für V minderwertiger_DS verfängt in, wieviel die zwei Ursachen addiert wird.

 

4) Polarisation des FET:

Fet, zum von von ânâ? zu lenken

Der Stromkreis für die automatische Polarisation wird von den Widerständen R _D( angeschlossen an V _DD)festgesetzt, R_S (angeschlossen an Masse) und R_G Post zwischen Gatter und Masse seit_{dem G} 0 "und_{dem S} stimmen mit_{dem D} hat V_GS = - I_DR_{S überein,} das ein gerades von Polarisation ist, die im Plan des transcaratteristica für den Ursprung überschreitet, gleichwohl wegen der erhöhten Zerstreuung der Parameter des FET häufig, das es kommt, ein transcaratteristica im Verhältnis zu der Spannung der Klemme weg von minimalem lieferte und ein relatives zur maximalen Spannung der Klemme weg und zu vom Ziel, welches die Veränderungen _desD verringert, kommt Platz ein Generator V_GG in den Reihen zum Widerstand R_G , gleichwohl das Verwenden eines resistivo partitore R₁ , R₂ gebildet werden kann kleiner als dieses zweite generatore.

Fet zur Bereicherung

In diesem Fall ist es notwendiges V, dasein positiver _GS folglich Teil ein R _Gzwischen Abfluß wird und Gatter, in, die _GS = V_DSjedoch umkleiden,wenn Betriebsbedingungnachfrage V _GS ¹V _DS zwischen angeschlossen werden kann einem Gatterwiderstand R₁ und Quelle, in beiden ist gehabtes V die Fälle der FET thermisch jedoch stabilisiert für Miller Effekt, senkt den Widerstand des Einkommens ausfällt.

5) Modell des FET für kleine Markierungen sie:

_{Das D} fällt aus, Funktion zu sein ist von V_{der GS,} den von V_{der DS} folglich, der eine Entwicklung in der Reihe des Schneiders betrachtet, zu 1° festhielt, das, der Auftrag hat von, welchem das Modell des FET für kleines gewonnen werden kann kennzeichnet sie in sehr niedrige Frequenz festsetzte von einer Widerstand r_d Post zwischen Abfluß und Quelle und in der Ähnlichkeit zu einem Generator des Stromes Wertes g_mV_GS. Das Modell in VHF wird vom vorhergehenden erhalten, das eine Fähigkeit zwischen jeder Klammer der Clips des FET hinzufügt, insbesondere C_gs und Csind _gd im Verhältnis zu den Spleißstellen und werden zwischen 1pF und 10pF enthalten, während C_gd die Fähigkeit zur Führung ist und zwischen 100nF und 1pF enthalten wird.

An die Versammlungen erinnernd, um von einem Generator des realen Stromes zu einem Generator der realen Spannung zu überschreiten, kann das Ersatzschaltbild erhaltene Reihe für kleine Markierungen sein sie, welches folglich es von einem Generator der Spannung festgesetzt wird, die kleiner in Richtung zum Abfluß hat und des Wert- Platzes in der Reihe zu einem Widerstand von Wert r_d .

 

6) Transconduttanza:

sein

esIST ungefähr 20mA für jedes Volt Veränderung von V_{der GS} wert.

 

7) Faktor von Verstärkung m :

es ist erreichtes einfach setzen

 

8) Verstärker zu generalisiertem FET:

Auf dem Gatter wird eine ein Generator V _i gehabt , an einen Widerstand R _dein Generator V _zuabläßt und kommt gefangennahmen das Entweichen V_o1 schließlich auf der Quelle hat einen Widerstand R_S ein Generator V_s und kommt gefangengenommenes _O2 des EntweichensV . Von diesem Konfiguration disattivando kennzeichnen die günstigen Generatoren, die günstigen Widerstände beseitigend und das Stromkreisäquivalent des FET für kleines ersetzend sie erhalten die Antworten für die möglichen Konfigurationen. Es wird beobachtet, daß, seiend zu uns zwischen Gatter und der Führung, eine Spleißstelle umgekehrt polarisiert im Fall des FET oder des Oxids im Fall vom MOSFET, ein Widerstand in jedem möglichem Fall viel stark einer gehabt wird und folglich es unbrauchbar ist, sie in Reihen einzusetzen der innere Widerstand von Generator V, der normalerweise viel Tiefland ist.

 

9) Konfiguration zum Quellcommon:

Die Quelle wird sich ansammeln gemußt und sie kennzeichnet sie des Einkommens auf dem Gatter eine, kennzeichnet sie des Entweichens kommt gefangengenommen auf dem Abfluß, die Verstärkung in der Spannung und die R_aus Reihen für kleines sind erreichtes Ersetzen zum FET, den das Ersatzschaltbild sie, haben e kennzeichnen .

 

10) Konfiguration, zum von von Common mit einem Gatter zu versehen:

Ein hat das Gatter eine, zum sich anzusammeln und es kennzeichnet sie des Einkommens, das auf der Quelle angewendet wird, während Entweichen V₀₁ gefangengenommen auf dem Abfluß kommt, denn die Berechnung von zu_v ist notwendig, um in der umreiß die Ersatzschaltbildreihe des FET zu ersetzen und die Relation, von der dem Multiplizieren für m folglich der Spannung Generator, kann erreicht wird von einem Generator der Spannung Wertes m V _smitin Reihe ersetzt werden zu verwenden ein Widerstand von Wert mR_s , das unificando Generatoren der Spannung und des Widerstandes erreicht , schließlich Dividende allen Bezeichnungen für den Wert des Widerstandes des Einkommens erhält . Es wird beobachtet, daß das Gatter eine nicht Strom aufsaugen und folglich der Strom des Einkommens auf der Quelle dem Entweichenstrom auf Abfluß qundi gleich ist, das wir den Gewinn nicht für Strom interessieren.

 

11) Konfiguration, zum von von Common abzulassen:

Der Abfluß wird anschloß direkt an das Einziehen ohne den Widerstand, kennzeichnet sie des Einkommens auf dem Gatter eine gehabt und er kennzeichnet sie gefangengenommenen EntweichensV ₀₂ auf der Quelle, den Stromkreis ersetzend, der für kleines kennzeichnet er gleichwertig ist, sie und folglich folgernd, damit die Konfiguration anbetrifft Common mit einem Gatter versieht und wird erreicht. Es wird beobachtet, daß ungültig sein der Einkommenstrom hat und .

 

12) spaltete geladenen Verstärker auf:

Es ist gehabte Markierungen sie des Einkommens auf dem Gatter eine und das Entweichen kommt genommen ist auf dem Abfluß, der auf der Quelle, wenn die zwei Widerstände Gleichgestelltes sind die zwei sie kennzeichnen, daß sie sind gleich im Modul gefangengenommen werden, aber in der Opposition der Phase, gleichwohl der Widerstand des Entweichens auf der Quelle niedrig sind, während der Widerstand des Entweichens auf dem Abfluß hohe folglich beide ist, die Entweichen Fortsetzungen von einer Kollektorschaltung sein müssen, daß sie als vom Puffer dient. Die Analyse ist durchgeführte Gewinnung zu_v und R_heraus ist im Fall, den das Entweichen auf dem Abfluß genommen wird, den im Fall es auf der Quelle genommen wird.

 

13) VVR:

Akronym Spannung des variablen Widerstandes, Entwurf eines FET in der linearen Region, von der der Widerstand verändert werden kann, die Spannung ändernd, die auf dem Gatter eine angewendet wird.

 

14) Stromkreis AGC:

Ein Transistor npn, das automatisch mittels R polarisiert wird, wird ₁und R ₂gehabt , wird das Einkommen auf der Unterseite durch einen Blockkondensator angewendet, während das Entweichen auf dem Kollektor, das bufferizzata gefangengenommen wird folglich, das damit korrigiert wird und gefiltert ist, um eine Spannung zu erreichen, daß, fungierend auf dem Gatter eine eines FET, die Leitfähigkeit einiges verändert .

Dem Daran erinnern, daß die Verstärkung der Spannung zu_V eines allgemeinen emettitore mit Widerstand auf dem emettitore ist, wird, die Funktion der Entweichenspannung und folglich ausfällt, eine Steuerung des Gewinnes wird gehabt gehabt, der auch verwendet zum Ziel des Habens eines Niveaus des konstanten Entweichens im Vorhandensein eines variablen Niveaus der Markierungen sie des Einkommens kommt.

Mosfet

15) Grundregel des Betriebes des MOSFET:

Die Typologie von MOSFET sind folgend:

Mosfet zur Bereicherung

Eine Art Substrat ist gehabtes n^- in welchen sie sind, ertrinkt Droge beigemischte Fallen zu Ihnen p, dasan die Clips des Abflusses und der Quelle, zwischen dem Clip des Gatters und dem Substrat angeschlossen wird, die, anwesend ist er eine Oxidschicht, die kurz gesagt eine Fähigkeit feststellt und wendet eine negative Spannung auf dem Gatter eine, es an, wird gehabt, daß auf der anderen Platte des Kondensatores, den einer, der mit dem Substrat übereinstimmt, Rückrufe Sie vom gleichen Substrat der positiven Träger Sie kommt, deren Zahl das Wachsen der negativen Spannung erhöht, die auf das Gatter eine zugetroffen wird, nachdem alle verursacht folglich lenken Sie, das den Abfluß kombiniert und die Quelle, in der die Stützen die Abstände sind, diese Führung benannte "Umlenkung Zone" kommt. Es wird daß gehabt, wenn in der ohmmica Zone ist, für die_{das D} es das Wachsen von V _derDS während erhöht, wenn die Führung Form und in der Vorrichtung nicht einen Strom schiebt . Der MOSFET zur Bereicherung zu Führung "p" ist langsamer und stellt einen grösseren Widerstand betreffend ist die Führung "n" in wieviel in der Oxidschicht Geschenk der ionischen positiven Möbel Sie ist, als in der Art vor, zum "von von n," zu lenken, das sie in Richtung zum Substrat zurückgewiesen werden, das einiges ändert, das Antwort allorchè das Gatter eine mit einer positiven Spannung polarisiert, um die Führung zu verursachen, während in der Art zu Führung "p", zwecks die Führung zu verursachen es auf Gatter eine negative Spannung verlangt wird, die ionische positive Möbel Sie zum Metall anzieht, in dem sie nicht gesundheitsschädliche Effekte vorstellen.

Mosfet zum Leeren

Ein Substrat der Art ist gehabtes p, in dem sie ertrinken Droge beigemischte Fallen zu Ihnen n sind, dasan die Clips des Abflusses und der Quelle angeschlossen wird, sind diese anschließen an Sie durch eine Art Führung n, zwischen dem Clip des Gatters und das Substrat ist eine Oxidschicht anwesend, die kurz gesagt eine Fähigkeit feststellt und wendet eine ungültige Spannung auf dem Gatter eine an, wird gehabt, die im Führung Strom in Abhängigkeit von V der angewandte _DS regelmäßigschieben kann und anstatt wendet auf Gatter eine negative Spannung an, wird gehabt, die auf der anderen Platte des Kondensatores, das ein daß mit der Führung, kommen Rückrufe Sie der positiven Träger Sie Minorität übereinstimmen, der sie die Leitfähigkeit der Führung verringern und natürlich auch wenden eine positive Spannung andere Elektronen in der Führung an, werden und folglich die MOSFET Arbeiten zur Bereicherung zurückgerufen.

Der Wert der Spannung V _T kann verringert werden, das folgende interfacciamento, die Ableitung, das Einziehen und die Geschwindigkeiten in den Weisen optimierend:

)       anstatt mit einem Kristall des Silikons mit Richtlinie < 100> das < 111 >

B)       SiO ₂von Sünde ₄hinzufügen damit, um die Dielektrizitätskonstante zu verdoppeln

c)       anstelle von der Elektrode des Gatters metallisch, zum des Droge beigemischten Silikons mit Bor zu benutzen.

 

16) Invester ein MOSFET:

In der einfacheren Version, die ein MOSFET gehabt wird, steuerte auf das Gatter eine durch einen Widerstand auf dem Abfluß und mit der Quelle zur Masse einzogen, in den Digitalschaltungen sie, aber der Widerstand muß er von einem MOSFET ersetzt werden, hat folgend die möglichen umreißen:

Invester zu MOSFET mit gesättigter Ladung

Cortocircuitando Gatter und Abfluß des FET der Ladungladung das sein gerade man ist die Parabel, die i Punkte V _GS= V _DS, wenn das ribaltiamo, das trasliamo und wir zurück auf die Eigenschaft des Entweichens des Piloten holen, es von ihr wird das gerade der Ladung, von dieser Darstellung Dose selbst wird extrahiert der Übergangseigenschaft verbindet, die sie beweist, da die Entweichenspannung betreffend die Spannung des Einziehens einer gleichen Menge zu V _{die SCHWELLE}von fet der Ladung minderwertig ist, außerdem, welches die Spannung des Entweichens ist nicht ungültig im Vorhandensein der maximalen Spannung des Einkommens aber sieIST V_AN, solche Spannung, die er wert, wird Dose selbst mit einem Ladungtransistor das viel kleinste betreffend ist den Piloten, in jedem möglichem Fall per² das Schwingen der Entweichenspannung betreffend das Schwingen der Einkommenspannung verringert wird, um den Problemgebrauch zu beheben das folgende Lösungen circuita sie verringert:

Invester zu MOSFET mit der Ladung nicht gesättigt

Durch eine Batterie wird der MOSFET der Ladung damit polarisiert, um sie in der ohmmica Region arbeiten zu lassen, soll das gerade der Ladung folglich abgrenzen und stimmt vom Haben für die Entweichenspannung eines Schwingenmaximums, der Defekt dieser Konfiguration soll eine zweite Batterie verlangen überein.

Invester MOSFET Verbesserung mit Ladung des Verarmungstyps

Das Verwenden, während geladen eine MOSFET Entleerung, kann vermieden ich sein verwenden sie von 2ª die Batterie in, wieviel die Führung gebildet wird und folglich Übertragung auch für V _GS=0 gehabt wird, wenn der Pilot von der Art Verbesserung ist und das viel größte des mosfet der Ladung erreicht ein Schwingenmaximum der Entweichenspannung ist. Der Defekt dieser Konfiguration ist, daß er erschwert wird, um nahe einer MOSFET Entleerung und einer Verbesserung sehr zu verwirklichen.