Phänomene transportieren in die Halbleiter
1) Kennzeichnung der Vorrichtungen analogic Sie:
) Kreation der mathematischen Modelle zu uns oder zum circuita sie ableitend von der mathematischen Beschreibung der Systemtestprozesse, die den Betrieb der Vorrichtung regulieren
B) Kreation von Modelle circuita sie ableitend von den Eigenschaften zu den Clips ausgedrückt in der graphischen Form.
2) Vorrichtung "Hauptteil":
Es ist eine elektronische Vorrichtung, die direkt Nutzen aus irgendeiner Eigenschaft des Halbleiters und nicht der Eigenschaft der Spleißstellen zieht.
3) I-Halbleiter:
Entwurf eines Materials dessen Netzmagen von verbindenden tetravalenti Atomen zwischen sie vom covalenti festgesetzt wird, bindet, wird gehabt, das zum Wachsen der Temperatur einige der Riegel freie Elektronen erzeugend, um in den Netzmagen und in eine gleiche Abstand Zahl zu bewegen abgebrochen werden.
4) äußerer Halbleiter der Art ânâ?:
Impurità pentavalenti (Phosphor…P4, als Arsen, Sb-Antimon) im Netzmagen des tetravalente Silikons einsetzend, ciascuna von, ersetzen ihnen zu einem Atom des Silikons 4 covalenti Riegel mit den ersten Nachbarn, beim Liefern von von einer kleinen Energie (0,1eV…für das GE und das 0,05eV für) 5° herstellend das Elektron der Wertigkeit des Spenders von dem gleichen entfernt werden kann. In der Darstellung zu den Bändern, die entspricht, um ein Niveau von Energie (Spender…niveau) zum ridosso sofort des Leitungsbandes zu verursachen, ist es popolato von den fünften Elektronen, die von den Spendern geliefert werden, die jedoch bereits zum umgebenden Temperaturdurchlauf im Leitungsband.
5) äußerer Halbleiter der Art âpâ?:
Impurità trivalenti (das B…Bor, Ga Gallium, indisch innen) im Netzmagen des tetravalente Silikons einsetzend, ciascuna von, ersetzen ihnen zu einem Atom des Silikons 3 covalenti Riegel mit den ersten Nachbarn herstellend bleiben folglich unvollständig eine kovalente Bindung, die es nahe den Elektronen der Wertigkeit sie zwingend, ihre kovalente Bindung abzubrechen anzieht.
In der Darstellung zum Bänder ci² entspricht es, um ein Niveau von Energie (…Akzeptorniveau) zum ridosso sofort des Wertigkeitbandes zu verursachen, das bereits zur umgebenden Temperatur es zu vollständig besetzt werden von den Wertigkeitelektronen kommt, die folglich Urlaub der freien Abstände, zum im Wertigkeitband zu führen.
6) Gesetz der Tätigkeit der Masse:
Es wird beobachtet, daß, wenn Zunahme die Konzentration
der Stützen von Art "n" (…Droge beimischendes mit
impurità tetravalenti) die Zahl Stützen "p" verringert in, wieviel
und viceversa wiederverbunden wird, folglich dem bis eins gehabt wird,
welches zur Temperatur das Produkt der Zahl Stützen von Art "p" für
die Zahl der Art Stützen "n gegeben wird,", das er konstant ist und
sie ist, 
wo bis0 eine Konstante ist, die von der Temperatur unabhängig ist
und und0 der Energieabstand sind,
den zu 0K es 0,785eV für GE und 1,21eV für ist.
7) Dichte der Lasten in einem Halbleiter:
Er wird vom Gesetz der Tätigkeit der Masse und 
von der Relation von Neutralität 
erreicht:
) in einer Art Halbleiter ânâ? herschen die Elektronen vor und ihre Konzentration ist der Konzentration der Spender gleich, die n = N dist, während die Konzentration von Abständen p = n 2/Ndist .
B) in einer Art Halbleiter âpâ? die Abstände herschen vor und ihre Konzentration ist der Konzentration der accepters gleich, die p = Nist, während die Konzentration der Elektronen n = n die2 /Nzuist .
8) Mobilität:
Es ist die Konstante von Proportionatität zwischen
angewendeten auffangen und der angenommenen durchschnittlichen
Geschwindigkeit von den Stützen, für die Abstände ha, 
während für die Elektronen 
folglich die
zwei Arten der Stützen Bewegung zu Ihnen von auffangen in den
gegenüberliegenden Rückseiten kommen.
9) Leitfähigkeit:
quindi 
10) Halleffekt:
Ein hat einen Halbleiter zum rechteckigen Abschnitt mit
Unterseite W und Höhe d und schiebt in Richtung trasversa einen Strom
in der Rückseite von x die Halbmonde, läßt außerdem ein B
auffangen in der Richtung des erhöhenden z, sind die
Stützen in der Bewegung abhängig von der Kraft von Lorentz, das 
das sie unabhängig in Richtung zur Unterseite von
ihrer Natur, haben selbst folglich das im Fall von einer Art
Halbleiter "n drückt," die Stützen die freien Elektronen sind und
folglich die gehabten niedrigen negativen Lasten und hohes Lasten
Positiv sind, während im Fall von einer Art Halbleiter "p" die
Stützen die Abstände sind, für die er hat Tief die positiven
und hohen Lasten lädt er Negativ. In beiden Fällen ein
doppelte Schicht wird von den Lasten verursacht und folglich
fangen ein elektrisches wem der Kraft von Lorentz sich
entgegensetzt, sein Wert zum Gleichgewicht wird erreicht vom Etat der
Kräfte auf, 
von denen seiend 
ha 
und quindi 
.
Insbesondere wird die Konstante von Hall definiert, 
der übereinstimmt, Mobilität zu gewinnen, falls die
Leitfähigkeit s hat tatsächlich und wünschend 
Konto der Tatsache halten
berühmt ist, daß alle Aufladungen nicht mit der gleichen
Geschwindigkeit bewegen, die sie hat 
.
11) beschreiben die Verbreitung:
_ ist Bild s zum sezionare, das ein Halbleiter ideal ist,
damit die Konzentration der Stütze, das sx von diesem verschieden
sein müssen, das dx müssen, da jede Stütze für Effekt der
Temperaturbewegung im Richtung randomica, haben, daß die Zahl der
Stütze, das den Abschnitt von sx zu dx kreuzen, vom n° von diesem,
das es Kreuz von dx zu sx, verursacht, das eine Dichte des Stromes der
Verbreitung in der Richtung gegenüber der Steigung der Konzentration
ist, im Fall vom Abstand haben grösser, 
während im
Fall vom freien Elektron haben Sie, 
wo Dp und Dn sind sie die Verbreitung Konstanten.
12) Relation von Einstein:
Es setzt in Relation die Konstante der Verbreitung mit
jeweiliger Mobilität in ein, wieviel beide abhängig von
Betrachtungen Statistiken, das Äquivalent in der Spannung der
Temperatur 
findet.