Eigenschaften Transistor

1) Versammlung über die Ströme:

Sie gelten als positiv beim Hereinkommen in den Transistor.

 

2) Transistor in der aktiven Zone des Betriebes:

Es ist gekommenes zutreffendes, die Spleißstelle Unterseite-emettitore direkt polarisierend, damit, die Sperre von ihm zu verringern sie verbessert, in einem pnp folglich von den Abständen seien Sie, die sie in die Unterseite zerstreuen, während die freie Elektronzahl, die sie in das emettitore zerstreuen, in wieviel gekommenes zutreffendes eine Droge beigemischte Unterseite weniger des emettitore hat, der Strom viel minderwertig ist, der Dias in diesem letzten folglich ist , kommt außerdem definiert die emettitore Übertragung . Analog kommt es definierte die Übertragung der Unterseite und die Übertragung des Kollektors .

Seiend der polarisierte Spleißstelle Kollektor-emettitore umgekehrt, wird der Sperre des Aufsteigens sie erhöht und gekreuzt in der Verkleinerung, ist der Strom der Verbreitung im emettitore viel stark einer, hat , hat das Hinzufügen er_{dem C0} wegen der umgekehrten Polarisation das quindi ist gleich dem Verhältnis zwischen der Veränderung des Stromes des Kollektors betreffend ist das Verbot und die Veränderung des Stromes des emettitore betreffend ist das gleiche Verbot, typische Werte sind 0.90 < < 0.995.

Der vorhergehende Ausdruck_{des C} ist für die aktive Region des Betriebes des Transistors, während der generalisierte Ausdruck der ist , kurz gesagt ausdrückt nur die Tatsache gültig, der zum Strom in der Spleißstelle pn zwischen Kollektor und Unterseite einen Bruch zum Strom summieren Sie, der im emettitore verteilt.

 

3) konstruktive Technologien des diskreten Transistors:

) Realisierung des Transistors für Zunahme:

Ein einzelner Kristall von einem Silikonschmelzverfahren wird extrahiert, von dem er änderte die Konzentration des impurità während des Entwurfbetriebes kommt.

B) Realisierung des Transistors für Legierung:

die 2 littles Kugel trivalente des indischen Restes auf den zwei Gesichtern eines Halbleiters, werfen die Temperatur auf, bis das Verfangen herauf das Schmelzverfahren des Inders, dopodichè, beim Abkühlen es kristallisieren, zwei Droge beigemischte Regionen "p" verwirklichend.

c) Realisierung des Transistors für Verbreitung (unten gleiten):

Sie kommen verwendet von den Schablonen und von den gasförmigen Emissionen von impurità, die gehen, den Halbleiter zu beeinflussen.

 

4) Früher Effekt:

J _C einsRegion des Leerens umgekehrt polarisieren wird, das meistens in der Droge beigemischten Unterseite verlängert, die dieses kleiner des Kollektors ist, die Effekte verursacht, die einiges sind erzielen:

)       vermindert die Wahrscheinlichkeit der Rekombination in der Unterseite folglich Zunahmen zu

B)       erhöht sich der Verbreitung Strom mit dem Grad der Konzentration und da die Unterseite verringert wird, solcher Steigungzunahmen und mit ihm auch_und

c)       für die umgekehrten hohen Polarisationen, die Unterseite kann aus elektrischem Arbeiter der Umfang Null "erreichen-durch" werden.

 

5) LOGON zur Basisschaltung:

Die Unterseite zur Masse folglich in einem pnp wird für Haben von von J gehabt_und polarisiert zu Ihnen muß V ein positives_SEIN direkt lassen, während für Haben von von einem polarisiertenJ _C umgekehrt ich V haben muß_{ein COLUMBIUM} negativa. Dalla leitet das in der Entweicheneigenschaft ab, ist das Entweichen_{das C,} während V_COLUMBIUM und I_und die Einkommen largenesses sind, wird es von den zwei bevorzugt, um zu nehmen_und wie Parameter in, wieviel_{das C} @ _und und sie von den geraden horizontals in der aktiven Region, der im Quadranten verlängert, der _und > 0 undV0 _COLUMBIUM < dieRegion der Sättigungs gekennzeichnet wird von, erreicht werden, in der Zunahmen des Stromes mit V sind gehabtes bruschidas fast konstante _COLUMBIUM wird für _und>0 0 und V_COLUMBIUM> erhalten, das direkt polarisiertesJ _C ist, während die Verbotregion für gehabt wird_und< 0 und die Spleißstellen beide umgekehrt polarisierend erhalten werden.

Bis zu den Einkommenscharakteristiken ist sie die gleiche des direkt polarisierten Diode Ventils, es sei denn zum Wachsen von V_{das COLUMBIUM} für frühen Effekt, den er sich erhöht_und und folglich die Kurven stärker erhalten werden.

 

6) charakteristische Gleichung des LOGON zum allgemeinen emettitore:

wird gehabt, vom Rest Taube folglich wird ersetzen ist der Strom der umgekehrten Sättigungs mit geöffneter Unterseite gehabt (…_B= 0) während der Faktor der Verstärkung im Strom für große Markierungen sie des LOGON zum allgemeinen emettitore ist (…beobachtet daß_CE0 =_{das CB0} wo CER = allgemeiner Emitter und

COLUMBIUM = Kollektor-Unterseite). Sie kommt definierte außerdem den Gewinn des Stromes in ununterbrochenem und den Gewinn im Strom für kleine Markierungen sie . Ein beobachtet daß die Kurven, die die Eigenschaft aus Entweichen mit_{dem C} zum Schwanken von V_{das CER} und das Ibestehen _B, da Parameter nicht ist horizontal, wie man anstatt für die Basisschaltung gehabt wird in, wieviel kleiner Veränderung eine große Veränderung von b feststellt .

 

7) Sättigungszonen für das allgemeine emettitore:

_{Das CER} wird beide polarisierend erhalten, direkt, welches die Spleißstellen folglichV und da das emettitore sich ansammeln soll, unabhängig vom Wert _{des B} vielklein ist .

 

8) Zone des Verbots für das allgemeine emettitore:

Abhängt zu, die Verbotzustände sind die gleichen der Basisschaltung das heißt, aber in diesem Fall, wenn die geöffnete Unterseite läßtund folglich _B = 0 nicht das Verbot hat in, wieviel gibt und _{das C0} zum Haben10 angekommen werden kann_C=, wird das Problem ein V einsetzend _IST@ -0.1V für Transistor zu GE behoben und V_IST @ 0V für Transistor zu. Es wird beobachtet, daß in Verbotzuständen _{das CB0} im Kollektor- Spleißstelledia eins, wer nicht mit _demC0 für das Folgen der zwei Gründe übereinstimmt:

)       auf das Wachsen von Verhöht _{das CER} man das Maß der geleerten Schicht und der Überprüfung die Effektlawine

B)       dort sind Ströme, die die Spleißstelle auf der Oberfläche des Transistors und nicht im Körper kreuzen

außerdemsind _{die CB0} viel variables vom Transistortransistor auch des gleichen Modells.

 

9) Kurve von Übertragung_C- V_IST für das allgemeine emettitore:

Für V_{SEIEN Sie} ® -¥ wird gehabt, das_{das C}®_{das CB0} und der Transistor interdetto ist, denn V_IST = 0 hat_C =_{das CES}, sich verfängt oben die Spannung dann von vorbereitet V_g, wenn_{das C vomgesessenen C} ist und Sünde, wenn die Spannung von Sättigung V nicht herauf _s verfangenwird, der Transistor ist in der aktiven Region, für das Silikon V _sist gehabtes @ 0,8V.

 

10) Gleichungen von Ebers-Moll und von relativem Modell:

Die allgemeine Gleichung des Transistors in die Form in der "N" stà für Weise geschrieben werden kann

vom Normalbetrieb wenn wir uns vorstellen, um die Rollen der zwei Spleißstellen auszutauschen, hat auch , wo "das" stà für den umgewandelten Betrieb und vige die Relation außerdem V_C die Spannung zwischen Enden sie des Kollektors und des inneren Punktes zur Unterseite darstellt, es wird gehabt, daß es von V _dasCER für das Vorhandensein von a des Wertes von ungefähr 100 Wsich unterscheidet, die äußere die Schwierigkeiten, denen die Stützen treffen, um von den Enden sie der Unterseite herauszunehmen, die breit und ihm festgezogen ist. Solcher Widerstand erscheint nicht im Modell von Ebers-Moll festgesetzt von zwei Diode Ventilen im contropunta jeder mit einem Generator des Stromes gesteuert in der Ähnlichkeit, sind sie single wenn zu = zu _N= 0 ungültig, das, wenn die Breite der Unterseite von der Länge der Verbreitung und folglich aller Aufladungen grösser ist, die sie in der Unterseite wiederverbunden werden, ist dieses die Situation ist, die, wenn zwei reale Diode Ventile im contropunta gesetzt werden, in gehabt wird, dem Fall sicheres nicht gekommenes zutreffendes ein Transistor hat.

Von den zwei Gleichungen von Ebers-Moll können sie estrinsecare V sein_und und V_C und folglich und erhält folglich den Ausdruck des Stromes des Entweichens vom Transistor, von dem _CER -¥® wird dasV betrachtet, während das Verhältnis konstant ist und b ist .

 

11) Wertbegrenzung für die Gegenteilspannungen:

Unabhängig von den Eigenschaften der Ableitung des Transistors, ist maximales umgekehrtes SpannungV _COLUMBIUM, das zwischen Kollektor und Unterseite aufgetragen werden kann, von den zwei folgenden Phänomenen begrenzt:

Vermehrung headlong

Dem beschleunigten Aufladungen Erzeugnis für neue Stützefolglich Zunahme des Zusammenstoßes zu, wenn die Konfiguration zur Basisschaltung_C =zuist_und es gehabt wird, daß die Spannung, in fürdie _das®_C ¥ viel stark eins ist, muß ein ¥®, im allgemeinen emettitore anstatt tatsächlich gegessen werden, das genug das ®1 zwecks zu bilden, um folglichauseinanderzulaufen _{das C} für eine minderwertige Spannung, einer Eigenschaft zum negativen Widerstand wieviel ist für klein wird gehabt, aber_{das C} der Strom, der Dias in der Unterseite folglich der Stromkreis ist wie eine Basisschaltung klein ist, auf das Wachsen_{des C} erhöht sich es, aber die Ableitung des Widerstandes der Unterseite und des Stromkreises, die er zurückgeht, um sich wie ein allgemeines emettitore zu benehmen.

Erreichen-Durch

Auf das Wachsen der umgekehrten Spannung, die das Maß der Unterseite folglich verringert wird, erhöht die Steigung der Konzentration der Minoritätstützen und folglich des Stromes, bis die zugelassenen Höchstgrenzen von der Vorrichtung auch übersteigen wächst.

Die Spannung, zu der die Phänomenüberprüfung nicht nur von der Konfiguration aber von der Physik der Vorrichtung abgehangen wird.

 

12) Fototransistore:

Strom auszufallen ist eine Entwicklung des fotodiodo in wieviel vom Haben grösseres ein übereinstimmt, es kann mit einem Transistor, in dem die Kollektorspleißstelle entdeckt wird, und dem Lassen der Unterseite verwirklicht werden geöffnet, oder es kann sein sended einen Strom auf der Unterseite und Besitz folglich eine doppelte Steuerung, in solchem Fall hat tatsächlich .